公开(公告)号：CN102193072B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201010596371.2

申请日：2010-12-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 太田尚城 ,  平林启 ,  酒井正则 ,  永沼宙

IPC: G01R33/02 ,  G01D5/14

CPC classification number: G01R33/093 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/0029

Abstract: 本发明提供一种磁传感器，包括自旋阀型磁阻效应元件、电压检测部、线圈以及电流控制部，上述线圈通过流通电流，对上述自旋阀型磁阻效应元件提供测定用磁场，上述电压检测部在检测出上述自旋阀型磁阻效应元件的输出电压成为规定的电压值时，将检测信号输出给上述电流控制部，上述电流控制部控制上述电流，以使上述测定用磁场的强度从初始值单方面增加或单方面减少，在输入了上述检测信号时，将上述电流控制为使上述测定用磁场的强度回到上述初始值，上述初始值是对上述自旋阀型磁阻效应元件提供饱和磁化的磁场的强度。

公开(公告)号：CN1877277A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200610091569.9

申请日：2006-06-09

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 太田尚城 ,  桑岛哲哉

IPC: G01L9/06 ,  G01P15/12 ,  G01N27/04 ,  G01B21/30

CPC classification number: G01P15/0894 ,  G01Q20/04

Abstract: 微结构、悬臂、扫描探针显微镜以及用于测量微结构的形变量的方法。针对在其至少一部分处产生弹性形变的微结构，希望在希望的位置、以希望的形状和尺寸设置高效率并且高灵敏度的极小尺寸的多个传感器。此外，还要求便于对多个部件进行组装和调节，使检测电路小型化并简化，并测量微结构的细微部分的局部位移。所公开的微结构是悬臂(1)，其梁部(14)产生弹性形变。该悬臂(1)设置有通过隧道效应检测梁部(14)的弹性形变的传感器(12)。

公开(公告)号：CN119729999A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411330798.6

申请日：2024-09-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 小久保真生子 ,  原晋治 ,  太田尚城 ,  青木进

IPC: H05K1/02 ,  H05K1/11

Abstract: 本发明的电子器件用构件(100)具有：第一基板(2)、从第一基板(2)突出的至少一个突出部(6)、以及焊料层(12)，至少一个突出部(6)具有：至少一个侧面(61)、前端面(62)、以及至少一个侧面(61)与前端面(62)的连接部(64)，焊料层(12)与前端面(62)相接。在连接部(64)，至少一个侧面(61)和前端面(62)形成钝角(θ1)。

公开(公告)号：CN118057129A

公开(公告)日：2024-05-21

申请号：CN202311448457.4

申请日：2023-11-02

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 原晋治 ,  太田尚城 ,  千里内忠雄 ,  青木进 ,  前川和也 ,  小久保真生子 ,  木本裕介

IPC: G01J5/20

Abstract: 本发明提供电磁波传感器，该电磁波传感器包括：第一基板；在从与第一基板的基板面垂直的方向看的俯视图中在与基板面平行的第一方向上延伸的第一配线；在俯视图中，在与基板面平行且与第一方向不同的第二方向上延伸的第二配线；和与第一配线电连接并且与第二配线电连接的电磁波检测部，第一配线在与第一方向及第二方向正交的第三方向上，相比于电磁波检测部位于第一基板侧，第二配线在第三方向上，位于电磁波检测部的与第一基板相反侧。

公开(公告)号：CN111819425B

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN201880090904.4

申请日：2018-03-06

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 原晋治 ,  太田尚城 ,  青木进 ,  小村英嗣 ,  海津明政

IPC: G01J1/02

Abstract: 本发明提供一种热利用装置，其抑制配线层的电阻的增加，并且配线层(10)的热阻增加。热利用装置(1)具有电阻根据温度而变化的热敏电阻(7)；以及连接于热敏电阻(7)的配线层(10)。配线层(10)中的声子的平均自由行程比由配线层(10)的材料构成的无限介质中的声子的平均自由行程小。

公开(公告)号：CN110277489B

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN201811067781.0

申请日：2018-09-13

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 太田尚城 ,  金谷贵保

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/80 ,  H10N50/01 ,  G01D5/14 ,  G01R33/09

Abstract: 本发明涉及的磁阻效应元件包括：多个磁阻效应层叠体；将多个磁阻效应层叠体串联地电连接的多个下部引线电极和上部引线电极；和以多个下部引线电极都不电孤立的方式将多个下部引线电极互相电连接的抗静电膜。

公开(公告)号：CN115854845A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211047860.1

申请日：2022-08-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 广田洋平 ,  太田尚城

IPC: G01B7/02 ,  B60K20/02 ,  B60K26/02

Abstract: 本发明的位移检测装置具备磁场产生部、第一软磁体、第二软磁体和磁检测元件。磁场产生部沿着与第一方向正交的平面扩展，并且具有第一部分和第二部分。第一软磁体配置成在第一方向上与第一部分整体互相重叠，第二软磁体配置成在第一方向上与第二部分整体互相重叠。磁检测元件配置在第一软磁体与第二软磁体之间的区域，被施加由磁场产生部形成的磁场。磁场产生部、第一软磁体和第二软磁体设置为可以对磁检测元件以旋转轴为中心一体旋转，旋转轴在第一方向上延伸。

公开(公告)号：CN114964513A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210125104.X

申请日：2022-02-10

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 青木进 ,  原晋治 ,  太田尚城 ,  城川真生子

IPC: G01J5/20 ,  G01J5/24

Abstract: 本发明的热敏电阻元件具备：热敏电阻膜；一对第一电极，与热敏电阻膜的一面接触地设置；绝缘膜，设置于一对第一电极的与热敏电阻膜接触的一侧的相反侧；和至少一个以上的开口部，位于在俯视时与一对第一电极分别重叠的区域内，贯通绝缘膜，第一电极具有：位于在俯视时与开口部重叠的区域内的第一部分；和位于在俯视时与开口部重叠的区域外的第二部分，并且，遍及第一部分和第二部分之间，与热敏电阻膜的一面接触而设置。

公开(公告)号：CN108461627B

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN201711159781.9

申请日：2017-11-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 太田尚城 ,  高杉圭祐

IPC: H01L43/00 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供一种容易确保磁轭的高度并且容易引导磁场感测膜检测磁场的方向上的磁通的磁传感器。磁传感器包括：第一磁场检测元件(21)，具有检测第一方向(X)上的磁场的第一磁场感测膜(38)；和第一磁轭(23)，包括相对于第一方向(X)位于第一磁场感测膜(38)的一侧上的第一部分(23a)和在与第一方向(X)正交的方向(Z)上与第一部分(23a)接触的第二部分(23b)。第二部分(23b)在第一方向(X)上的平均尺寸大于第一部分(23a)在第一方向(X)上的平均尺寸。

公开(公告)号：CN113391247A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202110036954.8

申请日：2021-01-12

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 驹﨑洋亮 ,  太田尚城

IPC: G01R33/06

Abstract: 本发明的旋转检测装置具备磁场发生源、自旋阀元件和运算部。磁场发生源产生磁场且可以进行自身的旋转，其剩余磁通密度的温度系数的绝对值小于等于0.1％/℃。自旋阀元件包含磁性层，该磁性层对应伴随磁场发生源的旋转的磁场方向的变化而产生磁壁的移动。运算部检测由磁壁的移动而产生的自旋阀元件的电阻变化，并且算出磁场发生源的旋转数或旋转角。