半导体光调制器
    33.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101133355B

    公开(公告)日:2011-02-02

    申请号:CN200680006437.X

    申请日:2006-03-08

    CPC classification number: G02F1/025 G02F2201/07 G02F2202/102

    Abstract: 提供一种具有n-i-n结构半导体光调制器的特点、又能稳定工作,而且对电场的耐压性优良的半导体光调制器。其包括依次层叠n型InP包层(11)、具有电光效应的半导体芯层(13)、p-InAlAs层(15)、以及n型InP包层(16)而形成的波导结构。p-InAlAs层(15)的电子亲和力小于n型InP包层(16)的电子亲和力。在如此构成的波导结构中,还可以分别在n型InP包层(11)和半导体芯层(13)之间设置未掺杂的InP包层(12),在半导体芯层(13)和p-InAlAs层(15)之间设置未掺杂的InP包层(14)。

    半导体光调制器和光调制装置

    公开(公告)号:CN101910913A

    公开(公告)日:2010-12-08

    申请号:CN200880124499.X

    申请日:2008-12-26

    CPC classification number: G02F1/025 G02F2201/07

    Abstract: 本发明的半导体光调制器具备:第一半导体光波导,具有包含以下部分的层叠构造:核心层;夹着上述核心层被分别配置在下部和上部的第一包层和第二包层;插入在上述第二包层和上述核心层之间的势垒层;第二半导体光波导,具有在上述第一半导体光波导的层叠构造中上述第二包层在n型半导体内在层叠方向上局部地贯通的p型半导体的层叠构造;与上述第一半导体光波导的上述第一包层连接的第一电极;电气地将上述第一半导体光波导的上述第二包层和上述第二半导体光波导的上述第二包层的p型半导体连接起来的第二电极。

    用于液晶显示装置的阵列基板及其制造方法

    公开(公告)号:CN100498486C

    公开(公告)日:2009-06-10

    申请号:CN200610169001.4

    申请日:2006-12-15

    Inventor: 宋武炯 洪性珍

    CPC classification number: G02F1/136286 G02F2201/07 H01L27/124 H01L27/1244

    Abstract: 本发明涉及用于液晶显示装置的阵列基板及其制造方法。该用于液晶显示装置的阵列基板包括:在基板上的选通线与数据线,数据线与选通线交叉以限定像素区;在选通线和数据线之间的绝缘层;邻近选通线和数据线的交叉部的开关器件;连接到开关器件的像素电极,该像素电极设置在像素区中;以及在选通线和数据线中的一个的第一侧的第一缓冲图案,该第一缓冲图案与选通线和数据线中的另一个交叠,并与选通线与数据线中的所述一个设置在同一层。

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