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公开(公告)号:CN108964645B
公开(公告)日:2024-04-05
申请号:CN201811161052.1
申请日:2018-09-30
Applicant: 上海艾为电子技术股份有限公司
IPC: H03K17/284 , H05B47/16 , H05B45/30
Abstract: 本申请公开一种延时电路,由于增加设置了一个控制开关,所述控制开关连接在电路中,并按时序间断控制导通和关断其所在电路,从而将延时电路中电容连续的充放电过程转变为离散的充放电过程,从而延长延时电路的延时时间,以便于减小延时电路中电容的大小,进而减小电路整体的占用面积。
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公开(公告)号:CN117750276A
公开(公告)日:2024-03-22
申请号:CN202311745729.7
申请日:2023-12-18
Applicant: 上海艾为电子技术股份有限公司
IPC: H04R3/12
Abstract: 本申请涉及产品测试领域,公开了一种扬声器温度控制方法、系统以及存储介质。本申请的扬声器温度控制方法包括获取待处理信号的第一参数;获取预设输出功率,基于第一参数和预设输出功率确定目标温度;获取预设温度,基于预设温度和目标温度确定待处理信号的目标温差;基于目标温差对待处理信号进行增益处理,以实现对于扬声器的温度控制。本申请的扬声器温度控制方法,不需要被控扬声器提供任何IV反馈,而是利用信号的频率通过设定算法准确计算扬声器温度,进而根据计算的扬声器温度确定对于信号的增益处理方式,以保证增益处理后的信号经过扬声器时,不会使扬声器线圈温度过高,进而避免扬声器发生损坏。
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公开(公告)号:CN117741257A
公开(公告)日:2024-03-22
申请号:CN202311738706.3
申请日:2023-12-15
Applicant: 上海艾为电子技术股份有限公司
IPC: G01R27/26
Abstract: 本申请涉及电容检测技术领域,具体涉及一种电容检测电路、检测方法、检测装置以及检测设备。该方法包括:充放电单元,用于提供镜像电流源对待测电容进行充电或放电,并为触发器提供供电电压,镜像电流源至少包括第一电流源、第二电流源,其中第一电流源为第二电流源提供充电补偿电流,并且充放电单元还用于控制第一电流源对待测电容的第一充电时间小于或等于第二电流源对待测电容的第二充电时间,第一充电时间与第二充电时间的起始时刻相同。本申请的两路充电电流可以减小电容检测端的充放电周期,从而使得电容检测电路的振荡周期减小。最终使得采样时间内,计数器的计数值增加,从而提高电容检测的灵敏度。
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公开(公告)号:CN117728837A
公开(公告)日:2024-03-19
申请号:CN202311736693.6
申请日:2023-12-15
Applicant: 上海艾为电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请提出了一种电流舵型DAC及其控制方法、芯片、电子设备。本申请采用二进制码和温度计码相结合的DAC编码,来控制电流舵型DAC的电流源分支,有利于将电流舵型DAC控制在较小的堆叠面积,并在一定程度上保证精度;进一步地,对DAC编码增加校正码,通过校正码中的校正位进位来对因例如MOS管等器件匹配性不一致导致的电流差值进行补偿,将低位向高位进位时丢失的电流补回,从而可以很好的保证精度。
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公开(公告)号:CN117647691A
公开(公告)日:2024-03-05
申请号:CN202311660634.5
申请日:2023-12-05
Applicant: 上海艾为电子技术股份有限公司
IPC: G01R31/00
Abstract: 本申请提供一种FRA测试装置,包括:微控制单元,被配置为根据多组参数,确定与每组参数相对应的数字正弦信号,并输出每组参数;马达控制单元,被配置为根据微控制单元所输出的每组参数,确定相对应的数字正弦信号并将其转换成对应的模拟正弦信号,读取模拟霍尔信号并将其转换成对应的数字正弦信号,其中,模拟霍尔信号被配置为马达响应于马达控制单元所确定的模拟正弦信号的信号,微控制单元被配置为,读取马达控制单元所读取的数字霍尔信号,并根据微控制单元所确定的数字正弦信号和所读取的数字霍尔信号,确定每组参数下马达的增益值和相位值。该FRA测试装置能够在实现便携性的同时确保测试的准确度,本申请还提供一种FRA测试方法。
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公开(公告)号:CN117637715A
公开(公告)日:2024-03-01
申请号:CN202311676279.0
申请日:2023-12-07
Applicant: 上海艾为电子技术股份有限公司
Inventor: 窦志敏
IPC: H01L23/64 , H01L23/482 , H01L23/485 , H01L21/60
Abstract: 本申请提供一种封装结构及方法,其中,该封装结构包括沿第一方向依次堆叠的电容结构、封装层和重新再布线层,其中,封装层包括一个或多个导电孔;重新再布线层包括一个或多个第一电极和一个或多个第二电极;电容结构包括第一电极层、与第一电极层相对设置的第二电极层以及位于第一电极层和第二电极层之间的介质层,第一电极层铺设于封装层上,并通过一个或多个导电孔与第一电极电连接;介质层包裹第一电极层,以使得第一电极层与第二电极层绝缘;第二电极层铺设于介质层背向第一电极层的一侧表面并延伸至四周侧壁,以使得第二电极层与四周侧壁中暴露的重新再布线层的第二电极电连接。从而使得电容不占据过多的封装体体积,易于工艺实现。
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公开(公告)号:CN117637487A
公开(公告)日:2024-03-01
申请号:CN202311642516.1
申请日:2023-12-01
Applicant: 上海艾为电子技术股份有限公司
Inventor: 窦志敏
IPC: H01L21/48 , H01L21/768 , H01L23/498 , H01L23/538
Abstract: 本申请提供一种塑封件的制作方法、半导体产品的制作方法和半导体产品,该方法包括:获取处于半熔融状态的胶体层;将一个或多个导体柱中的各导体柱沿第一方向部分地插设在胶体层中,该第一方向为胶体层的厚度方向;固化胶体层;沿第一方向,在胶体层上设置第一塑封层,第一塑封层包裹导体柱位于载体层之外的部分,以得到第一封装件;去除第一封装件的第一部分和第二部分,以得到第一塑封件,其中,第一部分和第二部分分别位于第一封装件沿第一方向的两端,并且,一个或多个导体柱中的各导体柱沿第一方向贯穿第一塑封件。从而使得第一塑封件中导体柱构成的通孔之间的间距小于预设阈值,以使得上下层塑封件可以更高密度地电连接。
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公开(公告)号:CN109756116B
公开(公告)日:2024-03-01
申请号:CN201910091785.0
申请日:2019-01-30
Applicant: 上海艾为电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种升压芯片及其短路保护电路,本发明技术方案在升压芯片的输出端发生短路故障时,通过所述短路保护电路可以使得第一开关管关断,使得第二开关管的栅极电位由其栅极开启电位逐渐过渡到目标控制电位,以使得所述第二开关管中的电流逐渐降低,而且第二开关管的第二电极通过输出端接地,这样,短路电流可以通过第二开关管形成的回路释放,从而避免发生短路故障时完全断开所述第一开关管以及所述第二开关管导致的第一节点电压过冲问题,避免电感电流击穿第一开关管,故本发明技术方案可以在升压芯片发生短路故障时,避免其内部开关管发生烧坏的问题。
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公开(公告)号:CN117614269A
公开(公告)日:2024-02-27
申请号:CN202311569731.3
申请日:2023-11-22
Applicant: 上海艾为电子技术股份有限公司
Inventor: 应豪
Abstract: 本申请实施例提供了一种升压供电方法、电路及音频设备,所述方法包括:获得升压阈值,所述升压阈值与电源电压同步变化;获得音频功放器中的音频信号的信号值,并将所述信号值与所述升压阈值进行比较,获得检查标志信号;根据所述检查标志信号,生成对应的升压控制信号;根据所述升压控制信号,获得升压后的供电电压,并采用所述升压后的供电电压对所述音频功放器的功率输出级电路进行供电。本申请实施例在保证音频功放器的输出功率的同时,减小其功率损耗,提高了音频功放器的效率。
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公开(公告)号:CN109462336B
公开(公告)日:2024-02-27
申请号:CN201811601072.6
申请日:2018-12-26
Applicant: 上海艾为电子技术股份有限公司
IPC: H02M3/158
Abstract: 本发明提供的电压型PWM比较器及DC/DC变换器,通过设置第一级开关管电路的电压输出端的钳位电路,对第一级开关管电路的电压输出端的电压进行钳位,使得电压被钳位在电压阈值与翻转阈值之间,电压阈值小于电压源电压。相比传统电压型PWM比较器的第一级开关管电路的电压输出端电压由电压源电压降低到翻转阈值所用的时间,本方案中第一级开关管电路的电压输出端电压由电压阈值降低翻转阈值所用的时间较少,减小了小信号延时时间,进而减小了电感电流IL上升的最小时间Ton_min,使得DC/DC变换器的最小占空比降低,扩大了DC/DC变换器的应用范围。
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