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公开(公告)号：CN115479690B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202110668067.2
申请日：2021-06-16
Applicant: 上海艾为电子技术股份有限公司
IPC: G01K7/16
Abstract: 本申请公开了一种温度传感器电路及包含该温度传感器电路的温度传感器，通过使用Vbe的温度系数进行温度检测，由于其对温度的变化较大，因此，可以实现高灵敏度的温度检测；且本申请中斜率固定并不受offset影响，因此只需在常温下校准一次，无需多温度点测量温度曲线，大大节省成本且提高准确度。本申请实施例可以通过较小的放大倍数来实现较大的斜率，以提高温度传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN119906603A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411959034.3
申请日：2024-12-27
Applicant: 上海艾为电子技术股份有限公司
IPC: H04L12/40 , H03K17/687 , G05F3/26 , H03F1/34
Abstract: 本发明实施例提供了一种总线驱动单元和控制设备。所述总线驱动单元包括：放大器电路，所述放大器电路的第一输入端连接到参考电压，所述放大器电路的输出端用于输出电压控制信号；开关电路，所述开关电路的控制端连接到所述放大器电路的输出端，用于在所述电压控制信号低于预设电压阈值时关断，所述开关电路的一端连接到所述放大器电路的第二输入端并通过电阻接地，形成所述放大器电路的负反馈支路，其中，所述开关电路的另一端连接到总线信号的驱动输出端以及驱动上拉电路；下拉电路，所述下拉电路用于接收所述总线信号，并且在所述总线信号的电平状态为高电平时将所述电压控制信号下拉至低于所述预设电压阈值。
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公开(公告)号：CN113904549B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202111150907.2
申请日：2021-09-29
Applicant: 上海艾为电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种无片外电容的LDO，其稳压单元用于使第一开关管的控制端接收到的驱动电压稳定在预设范围内；稳压单元的输出端处设置有补偿单元；第一开关管的输入端与外部电源相连，第一开关管的输出端作为无片外电容的LDO的输出端；也即，稳压单元的输出端处设置有补偿单元，进一步使该稳压单元的输出电压稳定在预设范围内，其不受输出端负载的影响，因此该无片外电容的LDO的稳定性也不受输出负载的影响，提高了无片外电容的LDO负载瞬态响应能力；同时，该采用无片外电容的LDO，对于芯片的微型化、小型化应用来说，降低其应用板的面积。
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公开(公告)号：CN115078978B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202110264997.1
申请日：2021-03-11
Applicant: 上海艾为电子技术股份有限公司
IPC: G01R31/3185
Abstract: 本发明提供了一种数字集成电路的扫描链测试方法及系统，方法包括将切换向量和输入数据向量按照预设规则转换为组合向量，进而根据组合向量生成组合信号并输入到数字集成电路，然后在数字集成电路内对组合信号进行分离，得到切换信号和输入数据信号，进而进行扫描链测试。通过将原来的两个信号组合为一个信号输入到数字集成电路，减少了一个PAD端口的需求量，因此，只需要三个PAD端口即可进行扫描链测试，具体的，一个PAD端口用于输入组合信号，一个PAD端口用于输入系统时钟，最后一个PAD端口用于扫描链的输出信号的输出。提高了只有三个PAD端口的数字集成电路的测试覆盖率与可观测性，进而提高了量产测试的质量。
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公开(公告)号：CN119582580A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411726926.9
申请日：2024-11-27
Applicant: 上海艾为电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种放大器装置，包括：电压变换器和反馈控制器，电压变换器包括开关网络、经由开关网络连接至电源端和接地端的泵浦电容模块、H桥驱动电路和输出电容器；H桥驱动电路具有连接至泵浦电容模块的电压输入端，以及连接于电压输入端与接地端之间的第一桥臂和第二桥臂，第一桥臂和第二桥臂均包括上功率开关管和下功率开关管；输出电容器连接在第一桥臂的上功率开关管和下功率开关管的连接点与第二桥臂的上功率开关管和下功率开关管的连接点之间，用于提供输出电压；反馈控制器，用于根据输出电压和预设参考电压，控制开关网络和H桥驱动电路中的功率开关管的通断状态，使得输出电压等于预设参考电压的预设倍数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119519610A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411536975.6
申请日：2024-10-30
Applicant: 上海艾为电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种升压供电装置、功率放大装置、信号处理系统、供电控制方法、以及电子设备。所述升压供电装置包括：升压供电单元，根据升压供电参数，对功率放大器进行供电，其中，所述升压供电参数至少包括供电输出电压和开关时钟频率；监控单元，与所述升压供电单元电连接，所述监控单元检测所述功率放大器的输入信号的当前幅值，并且根据所述供电输出电压和所述开关时钟频率与所述当前幅值之间的正相关关系，动态调整与所述当前幅值对应的升压供电参数，并且将调整后的升压供电参数提供给所述升压供电单元。
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公开(公告)号：CN113594137B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202110843203.7
申请日：2021-07-26
Applicant: 上海艾为电子技术股份有限公司
Inventor： 窦志敏
IPC: H01L23/552 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供了一种晶圆级封装结构及封装方法，包括：芯片本体，所述芯片本体包括芯片单元，及位于所述芯片单元表面的多个封装引脚；位于所述芯片单元背离所述封装引脚一侧的屏蔽金属层；位于芯片单元的侧壁的多个金属化半孔，且所述金属化半孔与所述屏蔽金属层接触连接，其中，所述金属化半孔与所述屏蔽金属层用于接入地信号。金属化半孔和屏蔽金属层接入地信号且相连，进而形成一隔绝电磁能量的法拉第笼，实现了晶圆级封装结构中电磁屏蔽结构。并且，本发明提供的金属化半孔设置于芯片单元的侧壁，避免了金属化半孔占用芯片单元的布线区域，进而保证了晶圆级封装结构的体积较小的同时，保证了芯片本体的有效布线面积的最大化。
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公开(公告)号：CN112185827B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202011125655.3
申请日：2020-10-20
Applicant: 上海艾为电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种芯片晶圆、芯片封装结构及封装方法，所述封装方法包括：提供一半导体晶圆，所述半导体晶圆包括多个芯片基底，相邻所述芯片基底之间具有划片道；所述芯片基底具有相对的第一侧和第二侧；在所述第一侧的有源层上形成第一互联结构；形成第一塑封层，所述第一塑封层覆盖所述第一边缘区、所述第一互联结构以及所述有源层；形成第二互联结构，所述第二互联结构覆盖中间区域，露出第二边缘区；形成第二塑封层，所述第二塑封层覆盖所述第二互联结构、所述第二边缘区以及所述第一塑封层；基于所述划片道进行分割，形成多个单粒的芯片封装结构。应用本发明提供的技术方案，避免了切割导致的翘曲和隐裂问题，从而提升产品封装的可靠性。
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公开(公告)号：CN119046194A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411103649.6
申请日：2024-08-12
Applicant: 上海艾为电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请涉及音频技术领域，公开了一种信号传输方法、存储介质及电子设备，该方法基于音频接口的位时钟信号的上升沿和下降沿，控制控制模块以交替传输方式通过音频接口向音频模块发送音频信号和控制信号。如此，通过音频接口实现音频信号和控制信号的混合，不仅可以在一个时钟周期相对提高音频接口的数据传输量，且音频接口传输速率通常高于I2C接口的传输速率，即还可以相对提高控制信号的传输速率。同时，通过设置控制信号的帧结构，使得控制模块可以向音频模块发送读数据指令、写数据指令、控制监测指令等控制信号，且在控制模块通过音频接口向音频模块实时发送控制监测指令时，可以实现控制模块对音频模块的实时控制监测。
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公开(公告)号：CN116149420B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202310229829.8
申请日：2023-03-10
Applicant: 上海艾为电子技术股份有限公司
Inventor： 彭双
IPC: G05F1/567
Abstract: 本申请涉及集成电路设计领域，公开了一种零温漂电流产生电路。本申请的零温漂电流产生电路包括：带隙基准模块，用于生成并输出基准参考电压和与绝对温度成正比的第一正温电流；稳压模块，用于对带隙基准模块输出的基准参考电压进行钳位后生成与第一正温电流相关的第二正温电流；零温漂电流产生模块，用于根据第一正温电流和第二正温电流生成零温漂电流。具体地，基准参考电压随工艺、电源、温度等因素变化极小，具有较高的精度。该零温漂电流产生电路通过简单的电路结构实现与电源、温度无关，对电阻的温度系数要求也较低的零温漂电流，并且可适应于大部分电路的工作要求，存在较高的应用价值。
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