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公开(公告)号：CN1540863A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN200410035107.6
申请日：2004-04-23
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 清水和宏
IPC: H03K17/16
CPC classification number: H03K17/063 , H01L27/088
Abstract: 本发明的课题是，提供防止了用于进行电源线的桥式整流的半导体元件遭到破坏的功率集成电路器件。本发明制成了将HNMOS晶体管4的漏电极与NMOS晶体管21的栅电极连接，经电阻32对NMOS晶体管21的漏电极施加逻辑电路电压VCC，对NMOS晶体管21的源电极施加接地电位的结构。于是，借助于用接口电路1监测NMOS晶体管21的漏电位V2，间接地监测了电位VS。
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