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公开(公告)号：CN109817788A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811556261.6
申请日：2018-12-19
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提供了一种管壁内嵌化学合成量子点的管状微腔及其制备方法。该管状微腔为内嵌化学合成量子点的无源介质薄膜通过释放应力自卷曲形成的中空管状结构；所述化学合成量子点完全被所述无源介质薄膜包裹。本发明将化学合成量子点嵌设在自卷曲微米管的管壁中，相对于外延生长量子点方式，化学合成量子点的尺寸和分布的可控性和均匀性良好，发光特性优异，制作成本很低且适合大规模制备；特别是，本发明相对于将化学合成量子点包覆在自卷曲微米管管壁表面方式，不仅大幅度提高了量子点发光与微腔谐振模式之间的耦合效率，还避免了化学合成量子点因受到外界气体或液体环境影响而导致微腔光学性能恶化甚至失效的情况。
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公开(公告)号：CN109782390A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910174369.7
申请日：2019-03-08
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于非周期亚波长光栅的光分束器及其设计方法，属于光电子技术领域。所述方法包括建立三维坐标系，通过一维、二维和三维光栅构成非周期的光栅基本单元，周期性的延拓所述的光栅基本单元形成具有两个偏转角度的光分束器。本发明能够实现垂直方向上光的分束，并且仅为功率分束，使子分束光仍能维持为入射光的形态；采用光栅块结构组成的光栅基本单元周期性排列，可以形成任意一维、二维或三维光栅，具有无限延拓性。
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公开(公告)号：CN106784028A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611249948.6
申请日：2016-12-29
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/02 , H01L31/0232 , H01L27/146
CPC classification number: H01L31/02 , H01L27/146 , H01L31/02325
Abstract: 本发明提供一种光电探测器阵列，包括具有光束分束功能的亚波长光栅，以及位于亚波长光栅上方的光电探测器组；所述亚波长光栅与光电探测器组间设有键合介质层。在处理大功率、高速、高动态范围的入射光信号时，其包含的高性能亚波长分束光栅将该光信号分为多束功率较小、动态范围较小的光信号并分别由光电探测器阵列中的各分布式光电探测器进行光电转换，各光电探测器产生的电信号在大电极处叠加从而还原原注入信号。本方案克服了单个光电探测器无法处理过大功率及过大动态范围的光信号的弊端，也克服了传统光电探测器阵列耦合方式及制备工艺复杂的缺点，相较于前两者具有工艺简单易于制备、饱和功率大、动态范围大、响应度高的特点。
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公开(公告)号：CN106772797A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611184920.9
申请日：2016-12-20
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G02B6/122
CPC classification number: G02B6/122
Abstract: 本发明提供一种单片集成收发一体光电芯片及集成芯片阵列，所述光电芯片包括衬底、光吸收单元和光发射单元；所述光发射单元的光激射波长为光电芯片的发射光谱区，所述光吸收单元吸收波长为光电芯片的吸收光谱区，所述吸收光谱区和所述发射光谱区不重叠；所述光吸收单元包括依次层叠于衬底上的第一半导体材料层、第二半导体材料层和第三半导体材料层，所述第三半导体材料上设有绝缘层，所述光吸收单元和光发射单元通过绝缘层电隔离；光发射单元包括第一反射镜、光学腔和第二反射镜，所述光学腔位于第一反射镜上，所述第二反射镜位于光学腔上。只应用一个光学腔，同时起到光发射上的谐振增强与光吸收上的高透滤波功能，实现光信号的发射与接收。
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公开(公告)号：CN105185862B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201510319023.3
申请日：2015-06-11
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种具有汇聚增强功能的蘑菇型高速光探测器及其制备方法，涉及光电子技术领域。所述蘑菇型高速光探测器包括由下至上依次形成的硅衬底层、氧化硅衬底层、非周期亚波长光栅层、树脂层、n型外延层、本征层、p型外延层，以及n型接触电极和p型接触电极。所述制备方法包括刻蚀形成非周期亚波长光栅；外延生长Ⅲ-Ⅴ族PIN光探测器外延片；采用键合工艺混合集成光探测器外延片和非周期亚波长光栅；最后通过选择性刻蚀工艺实现蘑菇型台面结构。本发明能够广泛用于光通信及光信号处理等领域，具有易于集成、高量子效率、高频率响应带宽等特点；同时相关工艺具有低成本、工艺简单、易于实现等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114566423B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202011359732.1
申请日：2020-11-27
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明实施例提供一种硅上III‑V族半导体外延结构及其制备方法，该方法包括：在硅衬底上直接或间接生长适配层；在所述适配层上直接或间接生长III‑V族半导体目标外延结构；其中，所述适配层包括三元系III族砷化物适配层或二元系III‑V族化合物适配层。该方法生长工艺简单，易调控，对生长设备没有特殊要求。特别是，降低穿透位错密度所需的适配层的厚度薄，使得后续通过增加层数和厚度来优化III‑V族半导体外延结构变为可能，利于硅上高性能III‑V族半导体器件的制备。
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公开(公告)号：CN114825041B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202210376977.8
申请日：2022-04-11
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本申请提供一种单模垂直腔面发射激光器芯片及包含其的激光器，该芯片包括：依次设置的芯片衬底、缓冲层、芯片底镜结构、光学腔以及芯片顶镜结构；沿芯片衬底至芯片顶镜结构的方向，光学腔依次设有第一包层、有源区层、第二包层以及电流限制层；电流限制层的绝缘材料部分将电流限制层的半导体材料部分包围；芯片底镜结构设有第一反射镜层，芯片顶镜结构设有第四反射镜层；单模垂直腔面发射激光器芯片至少满足以下条件之一：在第一反射镜层与第一包层之间依次设有第一腔层以及第二反射镜层；以及在电流限制层与第四反射镜层之间依次设有第三反射镜层以及第二腔层。本申请提供的方案能够实现垂直腔面发射激光器稳定维持单模工作状态。
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公开(公告)号：CN114678264A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210220200.2
申请日：2022-03-08
Applicant: 北京邮电大学 , 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种硅基III‑V族半导体材料的制备方法，该方法包括在硅衬底上至少两次重复生长以弱关联晶化为特征的III‑V族半导体基本外延结构单元。每个基本外延结构单元自下而上都包括低温层、中温层和高温层三层，且在高温层生长过程中须插入热循环退火。该方法使得低温层的顶部与底部区域实现彼此弱关联的晶化，同时使得高温层连同中温层的顶部区域与中温层底部区域实现彼此弱关联的晶态纯化，从而实现高温层晶体质量的优化。基于类似的机理，该基本外延结构单元的重复生长可进一步提高目标外延层(即完整结构顶部外延层)的晶体质量。采用本方法可制备穿透位错密度极低的硅基III‑V族半导体材料。
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公开(公告)号：CN112234097B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202011052522.8
申请日：2020-09-29
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L29/45 , H01L31/0224 , H01L31/0304 , H01L31/10 , H01S5/042
Abstract: 本发明属于光电子半导体技术领域，具体涉及一种非特意掺杂III‑V族半导体的欧姆接触结构及其制备方法与应用。所述欧姆接触结构包括：非特意掺杂III‑V族半导体层，及其表面的氧化镍层。本发明首次提出以氧化镍层与非特意掺杂III‑V族半导体层形成欧姆接触结构，成功解决了非特意掺杂III‑V族半导体材料难以直接形成良好的欧姆接触特性的技术问题。同时，本发明利用氧化镍薄膜的透明导电特性，将其作为III‑V族半导体有源器件的电极，有效解决传统接触电极在光耦合时阻挡信号光、降低光耦合效率和减小有效有源区域面积的技术问题。
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公开(公告)号：CN113249961A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110448844.2
申请日：2021-04-25
Applicant: 北京邮电大学
IPC: D06M11/74 , D01F6/70 , D06M101/38 , G01D5/16
Abstract: 本发明提供基于导电纤维网络的柔性器件结构及其制备方法与应用，该柔性器件结构包括：导电纤维网络和封装所述导电纤维网络的弹性体材料；导电纤维网络中相邻的导电纤维之间相互连接、内部连通，从一根导电纤维的内部到达另外一根导电纤维的内部存在多条通路，且所有导电纤维沿轴向具有多个细管状的贯通性空腔从而使得横截面均为多孔隙结构，导电纤维被弹性体材料包裹。本发明提供的柔性器件结构解决了现有基于导电纤维网络的柔性器件功能单一、集多功能于一身困难的问题，可实现吸波、温度传感、应变传感、压力传感等多种功能并能集多种上述功能于一身，可用于人体运动监测、生命体征监测、姿态矫正、智能感知、电磁屏蔽等场景。
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