一种基于等离子体增强原子层沉积的薄膜掺杂改性方法

    公开(公告)号:CN107815666A

    公开(公告)日:2018-03-20

    申请号:CN201711043635.X

    申请日:2017-10-31

    Abstract: 本发明属于薄膜掺杂相关技术领域,并公开了一种基于等离子体增强原子层沉积的薄膜掺杂改性方法,该方法用于在目标基底的表面上沉积多层氮掺杂氧化铝薄膜,并包括下列步骤:对基底的清洁和抽真空等预处理;加热至预设温度,并执行清洗处理;在保持含氮元素气体的持续载入的条件下,通入多种前驱体来执行多次氮掺杂氧化铝薄膜的沉积反应,直至达到所需的厚度。通过本发明,能够在更为简捷易行、便于控制的掺杂环境及工艺条件下,高效率、高质量地执行整个氧化铝薄膜掺杂改性过程,因而尤其适用于其封装应用之类的场合。

    一种基于行星流化的粉体原子层沉积装置

    公开(公告)号:CN105386011B

    公开(公告)日:2017-09-22

    申请号:CN201510953058.2

    申请日:2015-12-17

    CPC classification number: C23C16/4417 C23C16/442 C23C16/45544 C23C16/45555

    Abstract: 本发明公开了一种基于行星流化的粉体原子层沉积装置,包括电机、反应腔、行星架、夹持器和输气管路,其中,电机与行星架相连,行星架上安装有中心轮和若干个行星轮;电机用于带动中心轮和行星轮旋转;夹持器位于反应腔内部,用于承载粉体;该夹持器还与行星轮相连,在行星轮的带动下旋转;输气管路用于向反应腔中输入反应气体或载气。本发明能够对夹持器内的粉体颗粒提供离心流化作用,同时结合轴向的气流流化作用,克服了离心流化床沿轴向方向分布不均匀的状况以及改善了传统垂直流化床剪切力过小的特点,能有效提高粉体包覆率和均匀性,一次性能够对大量粉体进行包覆,提高粉体包覆效率。

    一种变温薄膜沉积系统
    43.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105543807A

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201510932643.4

    申请日:2015-12-15

    CPC classification number: C23C16/54 C23C16/45544 C23C16/46

    Abstract: 本发明公开了一种变温薄膜沉积系统,包括多个沉积装置和基片转移装置,所述多个沉积装置均匀布设在基片转移装置周围;所述多个沉积装置具有基片温度控制机构,用于分别维持基片承载台温度恒温;所述基片转移装置,包括三维移动装置,所述三维移动装置的末端设有保护气体喷头,所述保护气体喷头两侧设有抓取装置,所述抓取装置用于抓取基片承载台。本发明提供的变温薄膜沉积系统能高效高质量的沉积多元物质沉积膜。

    一种用于大型非平整表面沉积的装置及方法

    公开(公告)号:CN103614705B

    公开(公告)日:2016-03-02

    申请号:CN201310583654.7

    申请日:2013-11-19

    Abstract: 本发明公开了一种原子层沉积装置,包括原子层沉积单元喷头,所述单元喷头包括高压气流入口,惰性隔离气体入口通道,出气口通道,和两种前驱体入口通道,其中所述高压气流入口喷出高压气体以顶起整个沉积装置,该装置是微型开放式且可移动可扩展,能够适用于大型非平整结构表面薄膜沉积,并可直接经过简单多块组合,增加沉积效率。

    一种用于微纳米颗粒表面修饰的装置和方法

    公开(公告)号:CN104046958A

    公开(公告)日:2014-09-17

    申请号:CN201410247956.1

    申请日:2014-06-06

    Abstract: 本发明公开了一种用于微纳米颗粒表面修饰的装置,包括:反应腔,其内部形成的空腔用于作为前驱体与微纳米颗粒的反应空间;多个前驱体供应装置,其分别通过管道与所述反应腔相通以提供不同的前驱体;载气输送系统,前驱体通过该载气输送系统输出的载气输送到反应腔中;以及粉体颗粒装载装置,用于承载待修饰的微纳米颗粒;通过多个前驱体供应装置分别向反应腔交替地输送前驱体,并进入旋转的粉体颗粒装载装置中以与微纳米颗粒表面接触进行原子层沉积反应,从而在微纳米颗粒的表面形成包覆薄膜,实现表面修饰。本发明还公开了利用上述装置进行微纳米颗粒的表面修饰的方法。本发明可以获得颗粒表面高均匀性的包覆层,并提高粉体颗粒的整体包覆率和前驱体的利用率。

    一种三氢化铝表面包覆改性方法

    公开(公告)号:CN104046957A

    公开(公告)日:2014-09-17

    申请号:CN201410247806.0

    申请日:2014-06-06

    Abstract: 本发明公开了一种三氢化铝表面包覆改性方法,采用原子层沉积技术在三氢化铝粉末表面沉积纳米厚度的金属氧化物或金属物质将其包覆,以提高三氢化铝粉末热稳定性,包括,S1:将三氢化铝粉体放入腔体内并抽真空;S2:加热腔体到设定温度且温度均匀稳定后,通入流化气,使三氢化铝预分散;S3:原子层沉积反应,当腔体内的温度达到50~130℃时,开始原子层沉积反应;S4:重复多次原子层沉积反应,使粉体表面沉积厚度不断增长,通过控制沉积反应循环的次数从而控制在三氢化铝粉体表面沉积的金属氧化物或金属的厚度,实现三氢化铝粉体包面包覆厚度为1~1000nm包覆层,以实现粉体的稳定化。

    半导体激光器的腔面镀膜方法
    48.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117587378A

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN202311637258.8

    申请日:2023-12-01

    Abstract: 本申请涉及一种半导体激光器的腔面镀膜方法,包括步骤S102,在半导体激光器解理条的电极表面区域选择性生长分子层,以形成具有疏水特性的阻隔层;步骤S104,对形成有阻隔层的半导体激光器解理条进行原子层沉积,以于半导体激光器解理条的除阻隔层覆盖区域以外的区域形成钝化薄膜。本申请的半导体激光器的腔面镀膜方法,实现了在半导体激光器解理条的腔面上沉积钝化薄膜并避免了半导体激光器的电极表面出现钝化薄膜,且不容易出现半导体激光器解理条受应力不均而产生机械损伤的问题。

    一种利用原子层沉积包覆纳米淀粉微球的方法

    公开(公告)号:CN111304634B

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202010231957.2

    申请日:2020-03-27

    Abstract: 本发明属于纳米淀粉微球改性技术领域,具体涉及一种利用原子层沉积包覆纳米淀粉微球的方法。本发明通过将纳米淀粉微球置于超声垂直流化原子层沉积设备中,开启超声振动,在适当的反应温度和压力下,选择合适活性与蒸汽压的前驱体交替通入,在纳米淀粉微球表面通过活性官能团的交换形成单层化学吸附并完成自限制化学半反应,生成致密的薄膜,对表面的各个部位进行厚度均匀一致的薄膜包覆。本发明采用原子层沉积技术生成的纳米薄膜包覆均匀性较高,尤其对于颗粒较小的纳米淀粉微球可实现其均匀包覆,形成的纳米薄膜结构致密,具有均匀的厚度、优异的一致性,由于其反应机理的特点,可实现对不同粒径纳米淀粉微球的包覆。

    粉体包覆反应器、超声流化原子层沉积包覆装置及其应用

    公开(公告)号:CN114075659A

    公开(公告)日:2022-02-22

    申请号:CN202111163408.7

    申请日:2021-09-30

    Abstract: 本发明提供了一种粉体包覆反应器、超声流化原子层沉积包覆装置及其应用。该粉体包覆反应器包括反应筒和多个传振片;反应筒的两端具有开口,反应筒的侧壁上开设有多个第一通孔;多个传振片依次间隔设置于反应筒内,每个传振片的边缘密封连接于反应筒的内壁,多个传振片将反应筒的内腔分隔为沿一端开口至另一端开口方向上依次分布的多个子腔体,传振片上设置有用于供粉体在该传振片相邻的两个子腔体之间通过的第二通孔。上述粉体包覆反应器能够有效保持纳米颗粒的分散状态,实现大批量粉末的均匀包覆。

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