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公开(公告)号：CN111908914B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202010685817.2
申请日：2020-07-16
Applicant: 广州天极电子科技股份有限公司 , 华南理工大学
IPC: C04B35/47 , C04B35/622 , C04B41/87
Abstract: 本发明提供了一种晶界层陶瓷材料、晶界层陶瓷基片的制备方法及其应用，属于芯片电容器技术领域。本发明提供的晶界层陶瓷材料包括以下质量份数的制备原料：SrTiO3 95.35～99.30份、Nb2O3 0.30～0.55份和改性添加剂0.30～5.00份；所述改性添加剂为BaCO3、Nd2O3、CaO、Sm2O3、Al2O3和SiO2中的一种或几种。本发明提供的晶界层陶瓷材料具有优异的电性能和可控性，由该晶界层陶瓷材料制备的晶界层陶瓷基片具有优良的重复性和一致性。
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公开(公告)号：CN107082566B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201710209281.5
申请日：2017-03-31
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了单相堇青石透明耐磨釉，其组分按以下重量百分比含有：Al2O3：17～33；MgO：11～28；碱金属氧化物：0.5～3；CaO：0～5；B2O3：1～3；TiO2：0～7；SiO2：余量。本发明还公开了上述单相堇青石透明耐磨釉的制备方法，包括：(1)称取原料，经球磨混合制浆，得到浆料；(2)将浆料施釉于素烧过的坯体上；(3)施釉后的坯体于1300～1400℃保温30～40min，获得单相堇青石透明耐磨釉。本发明提高了传统陶瓷釉面砖的耐磨性，同时提高了原料的利用率。
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公开(公告)号：CN103496951A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310415793.9
申请日：2013-09-12
IPC: C04B35/10 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种低温烧成高强超薄陶瓷砖的制备方法，属于材料科学领域。本发明的制备方法为将铝土尾矿经600℃煅烧2小时，获得煅烧铝土尾矿石，取煅烧铝土尾矿石50～71重量份，长石9～19重量份，石英砂15～25重量份，滑石1.5～4.5重量份和球土1.5～3重量份；球磨至粒度250目，喷雾造粒，干压成型，厚度3mm，1100～1170℃烧成，获得高强超薄陶瓷砖。本发明所获得的高强超薄陶瓷砖在建筑陶瓷中广泛应用。
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公开(公告)号：CN100586902C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200710031107.2
申请日：2007-10-26
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B38/00 , C04B35/185
Abstract: 本发明公开了一种高强度抗震隔热多孔陶瓷的制备方法，该方法把纯度大于98.4%的莫来石球磨得粒度小于1μm的莫来石粉；将采用共沉淀法制备的氢氧化锆和氢氧化钇混合溶胶加入莫来石粉中，加入三乙醇胺为分散剂，混和均匀后干燥、在500～900℃温度范围煅烧，制备出氧化锆分散均匀的氧化锆/莫来石粉体；然后在无水乙醇中加入淀粉，然后用超声波对其进行分散，将其加入到氧化锆/莫来石粉中。造粒后，采用先干压成型再静压成型；从室温升温到700℃，去除淀粉，再快速升温至1500℃～1600℃烧成高强度抗震隔热多孔陶瓷。本发明制备的多孔陶瓷强度高，气孔的孔径小、分布比较集中，具有良好的抗热震性和隔热性能。
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公开(公告)号：CN1559945A
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：CN200410015588.4
申请日：2004-03-08
Applicant: 华南理工大学 , 广州新日电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用作氧化锌多层片式压敏电阻器用保护层的无铅的低温玻璃材料及其制备方法。本发明的玻璃材料具体组成如下：SiO2含量30～50％，B2O3含量20～35％，Al2O3含量5～17重量％，RO含量为0～15重量％，R2O含量为5～15％，稀土氧化物的含量为0.5～1.5％。本发明的玻璃材料的透明度高，化学稳定性好，操作温度不高于 700℃，很好地符合多层ZnO压敏电阻器的保护层要求，并解决了传统的铅玻璃对人体有害、对环境污染严重等缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117700219A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311643669.8
申请日：2023-12-01
IPC: C04B35/195 , C04B35/622 , G02B5/08 , G02B5/18 , G02B5/20 , G02B6/02
Abstract: 本发明公开了一种柱状形晶粒高纯堇青石陶瓷及其制备方法与应用；柱状形晶粒高纯堇青石陶瓷由氧化镁、氧化铝、二氧化硅原料进行混合后造粒，将造粒粉体压制成型后进行排胶处理，高温反应合成出堇青石，细化后造粒，采用模具压制成型，冷等静压处理，排胶处理后低温烧结得到柱状形晶粒高纯堇青石陶瓷。本发明通过原料粉体采用模具压制成型；特别是控制所述的压制成型的压力为4～10MPa，保压时间5～15s，可显著减小原料颗粒之间的间距，使合成堇青石的固相反应充分进行，显著提高堇青石晶相的含量，并使得所得柱状形晶粒高纯堇青石陶瓷综合性能显著提升。
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公开(公告)号：CN116675429A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310559822.2
申请日：2023-05-17
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了玻璃材料及其制备方法和应用。本发明的玻璃材料包括以下摩尔百分比的组分：氧化镧：5％～25％；氧化铋：40％～70％；氧化硼：15％～40％；二氧化锆：0～10％；二氧化锡：0～10％；三氧化二钕：0～10％。本发明的玻璃材料的制备方法包括以下步骤：1)将所有原料混合进行研磨制成混合料；2)将混合料熔融，再冷却形成玻璃块体，再进行球磨，得到粉末状的玻璃材料，或者，将混合料熔融，再注入模具成型，再进行退火、切割和抛光，得到成型的玻璃材料。本发明的玻璃材料的相对介电常数较大、介电损耗低，且不含有毒元素、熔融温度较低、生产成本较低、便于制备薄膜，适合用于电子封装和玻璃薄膜芯片电容器。
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公开(公告)号：CN115629052A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211206734.6
申请日：2022-09-30
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种测试透明釉透光性的方法，其包括以下步骤：1)将色料涂覆在陶瓷坯体表面形成色料层，得到上色的陶瓷坯体；2)选取上色的陶瓷坯体施透明釉后进行干燥和烧成制成施釉样，并选取上色的陶瓷坯体直接进行干燥和烧成制成参比样；3)用色度计测量施釉样的Lab值和参比样的Lab值，再计算施釉样和参比样的色差ΔE用以确定釉层的透光性。本发明的方法是利用施釉样与参比样的色差来评价釉层的透光性，具有操作简单、适用范围广、结果可靠、可重复性好等优点，适合进行大规模推广应用。
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公开(公告)号：CN113834859A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111113271.4
申请日：2021-09-23
Applicant: 广州天极电子科技股份有限公司 , 华南理工大学
Abstract: 本发明涉及一种晶界层晶粒晶界性能的微米级电极制备方法及测试方法。其中，制备方法包括：在晶界层上表面均匀涂覆一层光刻胶并进行固化；使用图形化掩膜版对表面涂覆固化有光刻胶的微米级金电极进行曝光，显影后使用溶液在曝光后的微米级金电极上形成光刻胶保护图层；使用蚀刻液蚀刻无光刻胶保护图层的微米级金电极后，进行清洗得到微米级电极。本发明在制备的晶界层基片晶粒上直接镀上微米级金电极材料，在金相显微镜下即可获取适用于测试晶界层基片的电性能的微米级电极块，通过定位，可具体到某一微观晶粒晶界性能的测试，并且实现该晶粒晶界性能的重复测试，从而在晶界层性能上实现机理上的研究。
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公开(公告)号：CN108409146B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201810544981.4
申请日：2018-05-31
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种无锆假蓝宝石微晶乳浊釉及其制造方法。该无锆假蓝宝石微晶乳浊釉的组分及各组分的质量百分比为：Na2O：1～3%；K2O：2～3%；Al2O3：25～28%；MgO：8～10%；B2O3：5～7%；Li2O：0～1%；CaO：0～1%；P2O5：0～1%；余量为SiO2。本发明用假蓝宝石代替ZrSiO4作为乳浊剂制备乳浊釉。本发明所得的无锆假蓝宝石微晶乳浊釉，其釉面光泽度高、硬度高、耐磨性好、耐酸碱性好和抗划痕。另外，相较于ZrSiO4乳浊釉，本发明不含锆英砂，不含任何放射性元素，成本低廉、环保且乳白效果好，生产工艺与锆系乳浊熔块釉完全一样，降低了生产成本。
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