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公开(公告)号:CN111919510B
公开(公告)日:2023-09-26
申请号:CN201880091929.6
申请日:2018-03-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H10K59/179
Abstract: 在显示设备中,第二配线(SH)延伸显示区域,向第二配线(SH)的延伸方向,从第二配线(SH)延伸的虚拟直线与边缘罩(23)的开口(23A)正交,第二配线(SH)以避开与边缘罩(23)的开口(23A)的正交的方式沿着开口(23A)的周缘延伸。
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公开(公告)号:CN115210793B
公开(公告)日:2023-08-18
申请号:CN202080097781.4
申请日:2020-03-02
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/00 , G09F9/30 , H10K59/123 , H05B33/12 , H10K59/121 , H05B33/22 , H05B33/26 , H10K59/131
Abstract: 显示区域(D)具有在第一显示区域(D1)的内侧使照相机(3)所利用的光透过的第二显示区域(D2)。第一显示区域的第一电极(51)具有第一下侧透明导电层(61)、第一反射导电层(62)和第一上侧透明导电层(65)依次层叠的构造。第二显示区域的第一电极具有第二下侧透明导电层(71)、第二反射导电层(72)以及第二上侧透明导电层(75)依次层叠的构造。第二反射导电层在边缘罩(52)的开口(68)的内侧比第一反射导电层更薄。
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公开(公告)号:CN112513959B
公开(公告)日:2022-11-01
申请号:CN201880096085.4
申请日:2018-07-30
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 氧化物半导体层包含岛状的半导体线(SS),所述岛状的半导体线(SS)在俯视下位于多个驱动器与显示区域之间,与多个控制线以及多个电源线正交,所述半导体线在栅极绝缘膜(16)的开口中与所述多个控制线(Gn、En)接触,并且在第一无机绝缘膜(18)的开口中与所述多个电源线(In、Qn)接触,且包括多个变细部(WT)。
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公开(公告)号:CN114846907A
公开(公告)日:2022-08-02
申请号:CN201980103309.4
申请日:2019-12-27
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 显示装置具备:第一连接布线(21b),经由形成于第二平坦化膜(22)的第一通孔(Hi)与第一电极(31)电连接;以及第二连接布线(18i),经由形成于第一平坦化膜(19)的第二通孔(Hj)与第一连接布线(21b)电连接,在第二层间绝缘膜(20a)贯通第二层间绝缘膜(20a),与第一连接布线(21b)重叠,并且以俯视时周缘包围第一通孔(Hi)及第二通孔(Hj)的方式设置有接触开口部(M)。
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公开(公告)号:CN111149434B
公开(公告)日:2022-07-05
申请号:CN201780095332.4
申请日:2017-09-28
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 由同一材料形成于与反射电极(21)相同的层的配线(21a)设置在TFT层(20)上,该反射电极(21)包括由低电阻金属材料构成的多个金属导电层、设置在最下层的最下金属导电层的下表面侧的氧化物的下侧透明导电层、设置在具有光反射性的最上层的最上金属导电层的上表面侧的氧化物的上侧透明导电层、及设置在多个金属导电层之间的氧化物的中间透明导电层。
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公开(公告)号:CN113508641A
公开(公告)日:2021-10-15
申请号:CN201980092674.X
申请日:2019-02-27
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 在显示区域的内部规定为岛状,在形成有贯通孔(H)的非显示区域中,分离壁沿着贯通孔(H)的周缘设置为框状,分离壁(Ea)第一树脂层(19ga),通过与平坦化膜(19a)相同材料来设置于相同层;以及第一金属层(21c),设置于第一树脂层(19ga)上且通过与第一电极相同材料来形成于相同层,第一金属层(21c)具备第一突出部(Ja),上述第一突出部以从第一树脂层(19ga)向显示区域侧檐状地突出地方式设置。
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公开(公告)号:CN111108541B
公开(公告)日:2021-10-15
申请号:CN201780095192.0
申请日:2017-09-27
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 在柔性有机EL显示装置(50)中,以填埋狭缝(BH)的方式形成有第一树脂层(13),该第一树脂层具有:与第一导电构件(9A)重叠的开口(TH1);与第二导电构件9C重叠的开口(TH4);以及与第三导电构件(9B)重叠的开口(TH2)及开口(TH3)。
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公开(公告)号:CN111937489A
公开(公告)日:2020-11-13
申请号:CN201880091987.9
申请日:2018-03-30
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 与阳极(22)同层的第一导电层(22M)经由形成在非显示区域(DA)的平坦化膜(21)的第一狭缝(H1)及第二狭缝(H2)和与源极(SE)同层的第三导电层(SM)和阴极(25)连接,与第一狭缝(H1)和第二狭缝(H2)重叠的电容电极(CE)设置有同层的第二导电层CM1/CM2。
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