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公开(公告)号：CN1178797C
公开(公告)日：2004-12-08
申请号：CN97191225.4
申请日：1997-09-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/24 , G11B7/26 , G11B2007/24306 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432
Abstract: 提供一种光学信息记录媒体，该媒体在透明衬底上备有至少含有Te、O及M原子(其中，M是从金属元素、半金属元素及半导体元素中选择的至少一种原子)的信息层、通过将上述信息层中的O原子的含有比例定为40atom%以上、60atom%以下，M原子的含有比例定为2atom%以上、25atom%以下，Te原子的含有比例定为15atom%以上、58atom%以下，在记录位长b对光点直径d的比b/d小的信息的记录·重放时，能以较宽的功率容限获得C/N比高、起伏小的良好的记录特性。
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公开(公告)号：CN1542791A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200410030404.1
申请日：1997-03-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/257 , G11B7/00454 , G11B7/00557 , G11B7/006 , G11B7/0062 , G11B7/00718 , G11B7/24 , G11B7/243 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715
Abstract: 一种相变记录媒体，为设有以Ge－N、Ge－N－O为代表的阻挡层的记录媒体，以防止记录层和电介质保护层之间发生层间化学反应和原子扩展。阻挡材料也可以用于保护层其本身。由此可以明显抑制现有相变型光学信息记录媒体中观察到的重复记录擦除所造成的反射率下降和信号振幅的下降，可使重写次数增加。
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公开(公告)号：CN1538424A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410031796.3
申请日：2004-03-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L45/06 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/257 , G11B7/266 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , H01L27/2463 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1625 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供一种多层信息记录介质，即使长期作档案记录后也具有良好的复制性能和良好的记录和重写性能及良好的重复重写性能。信息记录介质(22)至少有在结晶相和非晶相之间能够产生可逆相变的第一记录层(104)和第二记录层(204)，第一记录层(104)含有Ge、Te和Bi，而第二记录层(204)含有Sb和一种或多种选自V、Mn、Ga、Ge、Se、Ag、In、Sn、Te、Pb、Bi和Au的元素M1。
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公开(公告)号：CN1538420A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410030407.5
申请日：1997-03-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/257 , G11B7/00454 , G11B7/00557 , G11B7/006 , G11B7/0062 , G11B7/00718 , G11B7/24 , G11B7/243 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715
Abstract: 一种相变记录媒体，为设有以Ge－N、Ge－N－O为代表的阻挡层的记录媒体，以防止记录层和电介质保护层之间发生层间化学反应和原子扩展。阻挡材料也可以用于保护层其本身。由此可以明显抑制现有相变型光学信息记录媒体中观察到的重复记录擦除所造成的反射率下降和信号振幅的下降，可使重写次数增加。
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公开(公告)号：CN1121029C
公开(公告)日：2003-09-10
申请号：CN99107235.9
申请日：1999-05-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/00
CPC classification number: G11B7/26 , G11B7/00454 , G11B7/0052 , G11B7/126 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/252 , G11B2007/0013 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713
Abstract: 一种多层光信息记录媒体具有在激光束入射面的第一信息层和在其背面的另一信息层。其具有较大容量。信息层2和信息层4各自记录和未记录部分的反射率R1a、R1c和R2a、R2c保持R1a＜R1c和R2a＞R2c。第一记录层的结晶状态和非结晶状态的吸收率A1c和A1a间保持A1a＜A1c。第二记录层的结晶状态和非结晶状态的吸收率A2c和A2a间保持A2a＜A2c。因此可高速和高灵敏度地将信号写入记录媒体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1351379A
公开(公告)日：2002-05-29
申请号：CN01135992.7
申请日：2001-10-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625
Abstract: 一种存储器,包括:第一和第二记录层,用于利用晶相和非晶相之间的可逆相变来记录信息,该相变是因施加电流脉冲引起的温度升高而产生的。第一和第二记录层的结晶化温度Tx1和TX2具有关系TX1 tx2。Ra1+Ra2、Ra1+Rc2、Rc1+Ra2和Rc1+Rc2彼此不同,其中,非晶相中第一记录层的电阻值为Ra1’晶相中第一记录层的电阻值为Rc1非晶相中第二记录层的电阻值为Ra2,晶相中第二记录层的电阻值为Rc2。
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公开(公告)号：CN1345053A
公开(公告)日：2002-04-17
申请号：CN01132834.7
申请日：2001-07-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/00454 , G11B7/0052 , G11B7/007 , G11B7/24 , G11B7/243 , G11B7/2542 , G11B7/256 , G11B7/257 , G11B7/258 , G11B7/259 , G11B7/26 , G11B2007/0013 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 本发明的信息记录介质具有第1衬底11,相对第1衬底11配置的第2衬底12,在第1衬底11与第2衬底12之间配置的第1信息层13,在第1信息层13与第2衬底12之间配置的第2信息层14,在第1信息层13与第2信息层14之间配置的中间层15。第1信息层13包括在激光束35的作用下,在晶体相与非晶相之间产生可逆相变反应的第1记录层18,第2信息层14包括在激光束35的作用下,在晶体相与非晶相之间产生可逆相变反应的第2记录层27。第1记录层18含有Ge、Sn、Sb、Te,并且其厚度在9nm以下。
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公开(公告)号：CN1313592A
公开(公告)日：2001-09-19
申请号：CN01111350.2
申请日：2001-03-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/266 , G11B7/00454 , G11B7/00557 , G11B7/243 , G11B7/26 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/24322 , Y10T428/21
Abstract: 提供一种信息记录媒体及其制造方法,可以实现高密度记录,重复改写性能好,结晶化灵敏度随时间下降小。具有在基板11和基板11的上方配置的记录层14,记录层14的构成元素包含从Ag、Al、Cr、Mn和N中选出的至少1种元素M以及Ge、Sb、Te、Sn,而且,通过照射能量束,在结晶相和非结晶相之间以可逆方式引起相变态。
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公开(公告)号：CN1251197A
公开(公告)日：2000-04-19
申请号：CN98803649.5
申请日：1998-03-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/0062 , G11B7/0901 , G11B7/0906 , G11B7/0938 , G11B7/24 , G11B7/24079 , G11B7/246 , G11B7/254 , G11B7/257 , G11B7/258 , G11B7/2595 , G11B2007/24312 , G11B2007/24316
Abstract: 记录信号时用推挽法或通过机械进给进行跟踪控制,再生时用相位差跟踪法进行跟踪控制,从而可以进行相位差再生、并能实现可重写的相变型光盘。此外,在具有相位差再生结构的相变光盘中,通过使未记录部分的反射率大于记录标记部的反射率,在信号再生时可以稳定地进行伺服控制。
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公开(公告)号：CN1236156A
公开(公告)日：1999-11-24
申请号：CN99107235.9
申请日：1999-05-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/00
CPC classification number: G11B7/26 , G11B7/00454 , G11B7/0052 , G11B7/126 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/252 , G11B2007/0013 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713
Abstract: 一种多层光信息记录媒体具有在激光束入射面的第一信息层和在其背面的另一信息层。其具有较大容量。信息层2和信息层4各自记录和未记录部分的反射率R1a、R1c和R2a、R2c保持R1a R2c。第一记录层的结晶状态和非结晶状态的吸收率A1c和A1a间保持A1a
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