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公开(公告)号：CN102983335A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210317652.9
申请日：2012-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01G11/68 , H01G11/06 , H01G11/28 , H01G11/30 , H01G11/46 , H01G11/86 , H01M4/131 , H01M4/134 , H01M4/1391 , H01M4/1395 , H01M4/366 , H01M4/386 , H01M4/387 , H01M4/48 , H01M4/483 , H01M10/052 , Y02E60/13 , Y02T10/7011 , Y02T10/7022
Abstract: 本发明的目的是提供一种充放电循环特性及比率特性高且不容易发生活性物质的剥离等导致的劣化的电极及蓄电装置。在蓄电装置的电极中，通过使用如下电极可以提高蓄电装置的充放电循环特性，该电极包含：集电体；该集电体上的第一活性物质层；以及该活性物质层上的包含具有氧化铌的粒子和粒状活性物质的第二活性物质层。再者，通过使粒状活性物质与具有氧化铌的粒子接触，由此粒状活性物质被物理地固定，从而能够抑制伴随蓄电装置的充放电的活性物质的膨胀或收缩导致活性物质的微粉化或活性物质从集电体上剥离等劣化。
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公开(公告)号：CN102906881A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180025311.8
申请日：2011-04-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L51/50 , H05B33/14
CPC classification number: H01L29/78606 , H01L29/66969 , H01L29/78603 , H01L29/7869
Abstract: 本发明的目的是制造一种半导体装置，其中在使用氧化物半导体的晶体管中，电特性的变动小且可靠性高。作为形成沟道的氧化物半导体层的基底绝缘层，使用通过加热从其放出氧的绝缘层。从该基底绝缘层放出氧，由此可以降低该氧化物半导体层中的氧缺乏及该基底绝缘层与该氧化物半导体层之间的界面态。从而，可以制造电特性的变动小且可靠性高的半导体装置。
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公开(公告)号：CN102723364A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210173533.0
申请日：2010-10-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/105 , G06F15/78
CPC classification number: H01L29/7869 , G06F15/76 , H01L27/10805 , H01L27/10873 , H01L27/11 , H01L27/1108 , H01L27/1112 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L28/60 , H01L29/24 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/78696
Abstract: 一个目的是提供一种存储器装置，其中包括能够由具有低截止态电流的薄膜晶体管没有问题地来操作的存储器元件。所提供的是一种存储器装置，其中包括包含氧化物半导体层的至少一个薄膜晶体管的存储器元件配置成矩阵。包括氧化物半导体层的薄膜晶体管具有高场效应迁移率和低截止态电流，并且因而能够有利地没有问题地来操作。另外，功率消耗能够降低。在包括氧化物半导体层的薄膜晶体管设置在显示装置的像素中的情况下，这种存储器装置特别有效，因为存储器装置和像素能够在一个衬底之上形成。
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公开(公告)号：CN102576518A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080046963.5
申请日：2010-09-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/36 , G02F1/133 , G09G3/20 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/1368 , G09G3/3611 , G09G3/3648 , G09G3/3674 , G09G3/3677 , G09G5/18 , G09G2310/0286 , G09G2320/103 , G09G2330/021 , G09G2330/022 , G09G2330/027 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 一种液晶显示设备，包括：驱动电路部分；像素部分；用于生成用于驱动驱动电路部分的控制信号、以及供应到像素部分的图像信号的信号生成电路；存储器电路；用于在存储器电路中存储的各个帧周期的图像信号中检测一系列帧周期的图像信号的差异的比较电路；在比较电路中检测到该差异时选择和输出该一系列帧周期的图像信号的选择电路；以及在比较电路中检测到该差异时将控制信号以及从选择电路输出的图像信号供应到驱动电路部分、并且在比较电路中未检测到该差异时停止向驱动电路部分供应控制信号的显示控制电路。
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公开(公告)号：CN102376583A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110234368.0
申请日：2011-08-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L21/02164 , H01L21/465 , H01L21/477 , H01L22/10 , H01L29/401 , H01L29/4908 , H01L29/78603 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。制造具有优良的电特性的晶体管。在衬底之上形成氧化物绝缘膜，在该氧化物绝缘膜之上形成氧化物半导体膜，然后在使氧化物半导体膜中所含有的氢解除吸附并且使氧化物绝缘膜中所含有的部分氧解除吸附的温度下执行热处理，然后将所加热的氧化物半导体膜蚀刻成预定形状以形成岛形氧化物半导体膜，在该岛形氧化物半导体膜之上形成电极对，在该电极对和岛形氧化物半导体膜之上形成栅极绝缘膜，以及在栅极绝缘膜之上形成栅电极。
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公开(公告)号：CN113903796A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202110982134.8
申请日：2010-09-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/786 , H01L27/02 , H01L27/12
Abstract: 逻辑电路包括：薄膜晶体管，具有使用氧化物半导体所形成的沟道形成区；以及具有端子的电容器，通过使薄膜晶体管截止来使端子之一进入浮动状态。氧化物半导体具有5×1019(原子/cm3)或更小的氢浓度，并且因此在没有生成电场的状态中实质上用作绝缘体。因此，薄膜晶体管的截止状态电流能够降低，从而引起抑制通过薄膜晶体管的电容器中存储的电荷的泄漏。相应地，能够防止逻辑电路的故障。此外，能够通过薄膜晶体管的截止状态电流的降低，来降低逻辑电路中流动的过量电流，从而导致逻辑电路的低功率消耗。
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公开(公告)号：CN105070761B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201510405528.1
申请日：2010-07-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
Abstract: 本发明涉及显示装置，特别地，本发明的目的之一在于提供一种具有能够充分降低布线间的寄生电容的结构的半导体装置。在与栅电极层重叠的氧化物半导体层的一部分上形成用作沟道保护层的氧化物绝缘层。在与该氧化物绝缘层的形成相同的步骤中，形成覆盖氧化物半导体层的边缘部的氧化物绝缘层。覆盖氧化物半导体层的边缘部的氧化物绝缘层将栅电极层与形成在该栅电极层上方或边缘的布线层之间的距离拉大，从而可以降低寄生电容。
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公开(公告)号：CN104992984B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201510387603.6
申请日：2010-07-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
Abstract: 本发明涉及半导体装置、显示模块及电子装置，特别地，本发明的目的之一在于提供一种具有能够充分降低布线间的寄生电容的结构的半导体装置。在与栅电极层重叠的氧化物半导体层的一部分上形成用作沟道保护层的氧化物绝缘层。在与该氧化物绝缘层的形成相同的步骤中，形成覆盖氧化物半导体层的边缘部的氧化物绝缘层。覆盖氧化物半导体层的边缘部的氧化物绝缘层将栅电极层与形成在该栅电极层上方或边缘的布线层之间的距离拉大，从而可以降低寄生电容。
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公开(公告)号：CN104992980B
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201510217808.X
申请日：2010-09-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
Abstract: 逻辑电路包括：薄膜晶体管，具有使用氧化物半导体所形成的沟道形成区；以及具有端子的电容器，通过使薄膜晶体管截止来使端子之一进入浮动状态。氧化物半导体具有5×1019(原子/cm3)或更小的氢浓度，并且因此在没有生成电场的状态中实质上用作绝缘体。因此，薄膜晶体管的截止状态电流能够降低，从而引起抑制通过薄膜晶体管的电容器中存储的电荷的泄漏。相应地，能够防止逻辑电路的故障。此外，能够通过薄膜晶体管的截止状态电流的降低，来降低逻辑电路中流动的过量电流，从而导致逻辑电路的低功率消耗。
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公开(公告)号：CN107925016A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680029827.2
申请日：2016-06-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 野田耕生
Abstract: 本发明提供一种单位体积的容量高的蓄电装置、具有新颖结构的柔性蓄电装置、能够反复弯曲的蓄电装置、可靠性高的蓄电装置或者寿命长的蓄电装置。一种蓄电装置，包括内部结构物及包围内部结构物的外包装体。内部结构物包括正极及负极。外包装体包括包含钛以及选自铌、钽、钒、锆和铪中的一个或多个元素的第一膜。第一膜优选还包含选自钼、铬和铝中的一个或多个元素。
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