-
公开(公告)号：CN104844197A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510231730.7
申请日：2015-05-08
Applicant: 济南大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C01G23/00
Abstract: 本发明属于电子功能材料领域，具体涉及一种在硅基片上生长(100)择优取向钛酸铋钠基薄膜的方法。该系列薄膜的化学通式为Na0.5Bi0.5Ti1-yXyO3-δ，其中X为掺杂元素；y为掺杂元素的掺杂量；δ是为了维持电荷平衡所失去的氧原子的数目。本发明采用优化的化学溶液沉积制备技术，在硅基片上，制备了具有(100)择优取向的钛酸铋钠基薄膜。本发明整个制备工艺过程简单、易控，成本低廉，且制备出的薄膜晶相单一，择优取向度高。
-
公开(公告)号：CN104496468A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410693444.8
申请日：2014-11-27
Applicant: 济南大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于电子功能材料领域，具体涉及一种降低钛酸铋钠基薄膜矫顽场及提高其耐压性的方法。该薄膜的化学通式为Na0.5Bi0.5Ti1-xMnxO3-δ，其中x为锰离子的摩尔掺量，0
-
公开(公告)号：CN104119075A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410285025.0
申请日：2014-06-24
Applicant: 济南大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/64
Abstract: 本发明属于电子陶瓷制备与应用技术领域，尤其涉及一种利用H3BO3掺杂降低刚玉型Mg4Ta2O9微波介质陶瓷烧结温度新方法。本发明技术方案为：基于湿化学工艺利用H3BO3掺杂降低刚玉型Mg4Ta2O9微波介质陶瓷烧结温度方法，包括以下步骤：1)配制Mg离子的柠檬酸水溶液；2)配制Ta离子的柠檬酸水溶液；3)H3BO3掺杂Mg-Ta前驱体溶胶凝胶制备、介质陶瓷纳米前驱体的合成及陶瓷烧结。首先合成H3BO3掺杂的Mg4Ta2O9陶瓷前驱粉体，合成温度低、陶瓷颗粒均匀、分散性好、物相纯、粉体具有纳米粒度并具有高比表面能，呈现出较高活性等显著优势；在后续烧结过程中凸显H3BO3作为烧结助熔剂作用，可以显著降低烧结温度200-300℃，并保持其良好微波介电性能。
-
公开(公告)号：CN103708836A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310217203.1
申请日：2013-06-04
Applicant: 济南大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/626 , C04B35/624
Abstract: 本发明属于电子陶瓷制备与应用技术领域，尤其涉及一种利用溶胶凝胶法精细合成三元金红石结构NiTiNb2O8微波介质陶瓷方法。本发明技术方案为：利用溶胶凝胶法精细合成三元金红石结构NiTiNb2O8微波介质陶瓷方法，包括以下步骤：1）配制Ni离子的柠檬酸水溶液；2）配制Ti与Nb离子的柠檬酸水溶液；3）三元NiTiNb2O8微波介质陶瓷纳米前驱体的合成及陶瓷制备。具有合成温度低、陶瓷颗粒均匀、分散性好、物相纯、粉体具有纳米粒度（约50nm）并具有高比表面能，呈现出较高活性等显著优势，较传统固相法能显著降低烧结温度100-200℃，实现低温烧结，并保持其良好微波介电性能，有望满足LTCC应用需求。
-
公开(公告)号：CN102775141B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210290899.6
申请日：2012-08-16
Applicant: 济南大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于电子陶瓷制备与应用技术领域，尤其涉及一种利用湿化学法精细合成三元ZnO-Nb2O5-TiO2体系微波介质陶瓷方法。本发明的技术方案为：利用湿化学法精细合成三元ZnO-Nb2O5-TiO2体系微波介质陶瓷方法，包括以下步骤：1）配制Zn离子的柠檬酸水溶液；2）配制Ti与Nb离子的柠檬酸水溶液；3）三元ZnO-Nb2O5-TiO2体系微波介质陶瓷纳米前驱体的合成及陶瓷制备。具有合成温度低、陶瓷颗粒均匀、分散性好、物相纯、粉体具有纳米粒度并具有高比表面能，呈现出较高活性等显著优势，能够实现低温烧结，并保持其良好微波介电性能，满足LTCC应用需求。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103346255A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310258989.1
申请日：2013-06-26
Applicant: 济南大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种异质结，包括衬底和在衬底上外延生长的一层铁电薄膜，所述衬底为n型或p型掺杂硅半导体，所述铁电薄膜为SrTiO3薄膜。本发明还公开了一种铁电隧道结，包括上述异质结，所述异质结的铁电薄膜表面覆有上电极，异质结的铁电薄膜作为铁电隧道结的势垒层，异质结的衬底作为铁电隧道结的下电极。本发明还公开了它们的制备和应用。本发明异质结实现了钛酸锶与非本征硅的直接外延生长，表现出了稳定的极化翻转特性，制成隧道结可电调制势垒的高度而且可电调制势垒的宽度，从而大大提高了隧道电阻。
-
公开(公告)号：CN102222672B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201110123820.6
申请日：2011-05-13
Applicant: 济南大学
IPC: H01L27/115 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种铁酸铋基薄膜层叠结构电容器及其制备方法，该电容器从下到上依次包括底电极、衬底、缓冲层、铁电薄膜层和金属点电极，所述缓冲层为掺锰钛酸锶钡薄膜，化学式为Ba0.6Sr0.4Ti(1-x)MnxO3，x为元素锰的摩尔当量，x=0.005-0.05；所述铁电薄膜层为铁酸铋基薄膜，化学式为Bi(1-y)LnyFeO3，其中，Ln为镧系元素中的一种，y为镧系元素的摩尔当量，y=0.01-0.2。本发明制备方法简单，所得的电容器是铁电场效应晶体管的存储单元，该电容器克服了一般硅衬底上铁酸铋基薄膜电容器界面性能差、工作电压高的缺点，具有良好的存储性能。
-
公开(公告)号：CN101811889B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201010156023.3
申请日：2010-04-27
Applicant: 济南大学
IPC: C04B41/50
Abstract: 本发明公开了一种镧系元素掺杂的钛酸铋薄膜，它包括至少5层材料，每层材料的组分为Bi(4-x)(1+y)LnxTi3O12，其中，Ln为镧系元素中的一种，x为镧系元素的摩尔当量，0.1≤x≤0.85；元素Bi要过量加入，y为Bi以重量计的过量百分数，第一层材料中y为5％～15％，第二至四层材料中y为10％～20％，第五层及五层以上材料中y为15％～25％。本发明还公开了该薄膜的制备方法。本发明的制备方法成本低，操作简单，所制得的薄膜(100)取向的择优度高，剩余极化、电滞回线的矩形度等也得到了提高，适于应用。
-
公开(公告)号：CN117809988B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410120004.7
申请日：2024-01-29
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及一种碳‑高贝利特水泥基超级电容器及其制备方法，水泥基超级电容器包括含有铜箔电极、绝缘封装、以及碳‑高贝利特水泥基电解质的电容器组件，两部分组件浸泡在人工海水电解液里，形成超级电容器储能器件。碳‑高贝利特水泥基超级电容器的制备包含以下步骤：S1：将高贝利特水泥与碳黑、碳纤维混合研磨并搅拌均匀，得到碳‑水泥混合物；S2：将酚醛或聚氨酯加入步骤S1得到的碳‑水泥混合物中并研磨均匀，然后加入去离子水得到水泥基浆体；S3：将步骤S2得到的浆体倒入模具成型后放入养护室养护至凝固成型，得到所述的碳‑高贝利特水泥基电解质；S4：将步骤S3的碳‑高贝利特水泥基电解质单面贴上铜箔并引出导线后，用防水绝缘胶密封铜箔电极构成组件，最后将两片等同组件水泥面“面对面”浸泡在人工海水里得到碳‑高贝利特水泥基超级电容器。本发明的水泥基超级电容器拥有较高的电流密度、放电速率，适合海上光伏、风能发电的应用需求，对打造“海上新能源+储能”应用带具有积极的推动作用。
-
公开(公告)号：CN117922048A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410146197.3
申请日：2024-02-02
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明提供一种基于湿法纤维缠绕的球形压电换能器预应力定量控制方法，包括根据预期机械抗张应力极限计算压电陶瓷球表面的界面压强和纤维产生的径向力，进而计算出定量施加预应力所需的纤维张力，通过丝嘴和压电陶瓷球壳芯模复合旋转在压电陶瓷球壳表面包覆预应力纤维，最终提高球形压电换能器的输入电功率极限。本发明利用湿法纤维缠绕在压电陶瓷球壳表面包覆纤维层，通过控制纤维张应力实现球形压电换能器预应力的定量控制，具备生产效率高、应力一致性好、适用范围广等优势。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
86
records
(took 0.024 seconds)
