-
公开(公告)号：CN112152509A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010662602.9
申请日：2020-07-10
Applicant: 浙江大学
IPC: H02N3/00
Abstract: 本发明公开了一种基于半导体/极性液体/半导体动态二极管的新型直流发电机及其制备方法，是在封闭盒体内两侧分别设有半导体层1和半导体层2，两层半导体层之间注有极性液体，极性液体与半导体层1和半导体层2均接触且可在二者之间流动；两层半导体层上均设有背电极并通过导线引出盒体外。本发明利用不同半导体之间的费米能级差将极性液体极化，在半导体/极性液体界面感应出电子或空穴。极性液体在运动过程中，新的电子/空穴不断被感应，旧的电子/空穴被从外部导出形成直流电。该发电机具有各向同性、内阻小、功率大、寿命长的优势，多个串联使用可大幅提高输出电压。此外，该发电机结构简单、小巧坚固、成本较低，可大规模推广使用。
-
公开(公告)号：CN111786595A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010656936.5
申请日：2020-07-09
Applicant: 浙江大学
IPC: H02N3/00
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯/极性液体/半导体动态二极管的新型直流发电机及其制备方法，是在封闭空间内设有石墨烯层、半导体层，半导体层上设有背电极，石墨烯层和背电极分别通过导线引出，在石墨烯层和半导体层之间填充有极性液体，极性液体可在石墨烯层与半导体层之间流动。本发明利用石墨烯和半导体之间的费米能级差将极性液体极化，在石墨烯/极性液体和极性液体/半导体的接触界面感应出电子或空穴，极性液体在运动过程中，新的电子/空穴不断被感应，旧的电子/空穴被从外部导走输出直流电。这种具有小内阻和大功率的发电机可以串联使用，输出电压可通过石墨烯费米能级调控，可直接驱动某些便携式电子设备，且该发电机制备简单、成本低。
-
公开(公告)号：CN109273551B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201811057062.0
申请日：2018-09-11
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/076 , H01L31/18 , H01L31/0304 , H01L31/028
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯/GaInP多结异质太阳能电池及其制备方法，该石墨烯/GaxIn1‑xP多结异质太阳能电池由石墨烯/GaxIn1‑xP顶电池、GaAs中电池和Ge底电池三结组成，利用GaxIn1‑xP、GaAs和Ge的帯隙宽度不同，可吸收不同频率的电磁波，有效提高太阳能电池的整体转换效率。与现有技术相比，本发明中石墨烯可直接转移到GaxIn1‑xP上，且顶电极可直接键合至第二隧穿层上；同时石墨烯与GaxIn1‑xP形成的异质结拥有较高的开路电压，也使石墨烯/GaxIn1‑xP太阳能电池具有更高的光电转换效率。本发明的多结异质太阳能电池性价比高、工艺简单、易于商业推广。
-
公开(公告)号：CN109216484B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201811058580.4
申请日：2018-09-11
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0328 , H01L31/0725 , H01L31/074 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯/AlGaAs多结异质太阳能电池及其制备方法，该太阳能电池自下而上依次为：背面电极、多结半导体衬底(包括Ge电池、第一隧穿层、GaAs电池、第二隧穿层)、石墨烯/AlxGa1‑xAs层、正面电极。本发明的多结异质太阳能电池利用Ge、GaAs、AlxGa1‑xAs的帯隙不同，可对不同频率的太阳能分别吸收，从而显著提高太阳能电池的光电转换效率。此外，与传统多结太阳能电池相比，石墨烯与半导体形成异质结不需要晶格匹配，且顶电池可直接键合至多结半导体层衬底上，同时石墨烯与半导体形成的异质结具有更高的开路电压。本发明的多结异质太阳能电池具有转化效率高、工艺简单、便于推广的特点。
-
公开(公告)号：CN109921687B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201910002417.4
申请日：2019-01-02
Applicant: 浙江大学
IPC: H02N11/00
Abstract: 本发明公开了一种层状半导体‑半导体动态PN结直流发电机及其制备方法。该直流发电机主要由一种层状半导体和另一种半导体组成，因两种半导体材料费米能级不同，在两者接触面形成一个PN结，滑动时两种半导体材料之间产生的动态PN特性，即滑动时，直流发电机结区内PN结扩散电流和漂移电流平衡被打破，在内建电场作用下漂移电荷被弹回，产生持续不断的直流电输出；该发电机可将机械能转化为高密度电能输出，提供给各类电子设备和产品。与传统的电磁感应发电机、纳米发电机相比，该直流发电机电流密度极高，发电电压高，可以应用于各类便携可穿戴电子设备，可重复利用，结构简单、成本低，易于工业应用。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109192822B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201811051461.6
申请日：2018-09-10
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯/金属纳米颗粒‑PMMA/石墨烯/氮化镓发光二极管及其制备方法，该发光二极管的结构自下而上依次有蓝宝石衬底层或硅衬底层、氮化镓层、底石墨烯层、金属纳米颗粒‑PMMA层、顶石墨烯层，氮化镓层上设有第一电极，底石墨烯层上设有第二电极，顶石墨烯层上设有第三电极。本发明的石墨烯/金属纳米颗粒‑PMMA/石墨烯/氮化镓发光二极管利用顶石墨烯层产生的栅调控效应对发光二极管的发光强度进行调控，同时结合金属纳米颗粒表面等离子体增强效应提高发光强度，此外结合石墨烯材料的高透光性、高导电性和氮化镓优异的发光特性，具有亮度高，可栅调控的特点，器件制备工艺简单且成本低。
-
公开(公告)号：CN109273551A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811057062.0
申请日：2018-09-11
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/076 , H01L31/18 , H01L31/0304 , H01L31/028
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯/GaInP多结异质太阳能电池及其制备方法，该石墨烯/GaxIn1-xP多结异质太阳能电池由石墨烯/GaxIn1-xP顶电池、GaAs中电池和Ge底电池三结组成，利用GaxIn1-xP、GaAs和Ge的帯隙宽度不同，可吸收不同频率的电磁波，有效提高太阳能电池的整体转换效率。与现有技术相比，本发明中石墨烯可直接转移到GaxIn1-xP上，且顶电极可直接键合至第二隧穿层上；同时石墨烯与GaxIn1-xP形成的异质结拥有较高的开路电压，也使石墨烯/GaxIn1-xP太阳能电池具有更高的光电转换效率。本发明的多结异质太阳能电池性价比高、工艺简单、易于商业推广。
-
公开(公告)号：CN104916777B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201510229169.9
申请日：2015-05-08
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开一种锂离子掺杂石墨烯忆阻器，自下而上依次有绝缘衬底、锂离子掺杂的石墨烯层及两个金属电极，或者自下而上依次有绝缘衬底、两个金属电极和锂离子掺杂的石墨烯层。其制备方法如下：1）将石墨烯转移至洁净的绝缘衬底上，再在石墨烯上制作金属电极，或者在洁净的绝缘衬底上先制作金属电极，再将石墨烯转移至绝缘衬底上，获得石墨烯电阻器；2）通过给锂离子电池充电的方式，将锂离子掺入石墨烯层中，获得锂离子掺杂石墨烯忆阻器。本发明的锂离子掺杂石墨烯忆阻器利用石墨烯材料的大比表面积与高载流子率，并利用其表面的缺陷及多层石墨烯与锂离子形成的亚稳定结构，有利于在低成本及简单工艺的基础上制备具有优良电学性能的忆阻器。
-
公开(公告)号：CN106505115A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610902591.0
申请日：2016-10-17
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/109 , H01L31/0352 , H01L31/035218 , H01L31/1804
Abstract: 本发明公开了一种量子点光掺杂石墨烯/氮化硼/氮化镓紫外光电探测器，是在蓝宝石衬底上自下而上依次有N型掺杂氮化镓层、绝缘层、氮化硼层、石墨烯层、量子点层，并设有第一电极以及边电极。其制备方法是：先在N型掺杂的蓝宝石衬底氮化镓片上制作边电极及绝缘层，在绝缘层上留有窗口；将石墨烯转移到氮化硼上，再将氮化硼转移至绝缘层上，使得窗口内氮化硼与氮化镓接触形成异质结；再在石墨烯上制作第一电极，并用量子点对石墨烯进行光掺杂，得到量子点光掺杂石墨烯/氮化硼/氮化镓光电探测器。本发明的紫外光电探测器通过量子点对石墨烯进行光掺杂进一步优化了其器件性能，暗态电流低，且对紫外波段具有极高的响应度与探测度，器件工艺简单。
-
公开(公告)号：CN104291339B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410511422.5
申请日：2014-09-29
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B31/36
Abstract: 本发明涉及一种超薄碳化硅材料的制备方法，将硅源与碳源相距0?100cm放置于反应炉管内；以1℃/min?300℃/min的速率升温至600℃－2300℃，反应炉管抽至真空度为10?5?105Pa，在保护气氛下反应1?2880min；然后以1℃/min?500℃/min的速率冷却至室温，得到超薄碳化硅材料。本发明制备工艺简单，制得的超薄碳化硅（5纳米厚度以下）是一种具有宽禁带并且能够稳定存在的二维材料，它的诞生克服了石墨烯没有禁带和单层二硫化钼不能稳定存在的缺点。可广泛用于量子光源、光电、半导体原型器件、微电子电路、射频器件、集成电路、光催化、海水淡化、纳米能源、复合材料等技术领域。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
100
records
(took 0.025 seconds)
