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公开(公告)号：CN113868879A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111164180.3
申请日：2021-09-30
Applicant: 清华大学
IPC: G06F30/20 , G06F111/10
Abstract: 本公开的实施例提供了纳米材料器件的仿真方法、设备、计算机程序产品和可读存储介质。本公开的实施例所提供的方法根据纳米材料器件和一维纳米材料单元的参数，设置纳米材料器件的仿真模型的初始化参数，在二维矩形平面上随机生成具有初始化参数的纳米材料网络，纳米材料网络包括多个一维纳米材料单元，且其中的至少两个一维纳米材料单元之间存在相交；建立与纳米材料网络具有相同拓扑结构的导电网络，若导电网络中存在导电通路则对导电通路进行解算，获得纳米材料器件的仿真模型的电学性能参数，从而准确对应纳米材料薄膜各参数与纳米材料器件电学性能的关系。
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公开(公告)号：CN113837373A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111131563.0
申请日：2021-09-26
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种数据处理装置以及数据处理方法，该数据处理装置包括：双向数据处理模块，包括至少一个存储计算一体化的计算阵列，被配置为执行推理计算任务和训练计算任务；控制模块，被配置为将双向数据处理模块的工作模式切换为推理工作模式，以及将双向数据处理模块的工作模式切换为训练工作模式；参数管理模块，被配置为设置双向数据处理模块的权重参数；输入输出模块，被配置为响应于控制模块的控制，根据计算任务的输入数据生成计算输入信号，并将计算输入信号提供给双向数据处理模块，从双向数据处理模块接收计算输出信号并根据计算输出信号生成输出数据。该数据处理装置可以满足多种神经网络算法的推理与训练的要求。
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公开(公告)号：CN112863589A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202010921961.1
申请日：2020-09-04
Applicant: 清华大学
IPC: G11C29/56
Abstract: 一种测试设备和测试方法，所述测试设备包括：检测接口装置，配置为容纳待测试半导体器件；信号采集装置，配置为采集至少一个脉冲信号；信号提供装置，配置为向待测试半导体器件提供具有可调的物理特征的至少一个脉冲信号；状态获取装置，配置为在检测接口装置中两个检测接口之间获取待测试半导体器件的实时状态；预处理装置；以及控制器，配置为响应于实时状态，调整至少一个脉冲信号的物理特征，以获得至少一个脉冲信号的物理特征与实时状态二者的关系。该测试设备可以通过调整脉冲信号来动态地执行待测试半导体器件的超高速脉冲测试。
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公开(公告)号：CN112630620A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011469727.6
申请日：2020-12-14
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种用于半导体样品的测试装置、测试系统和测试方法，该测试装置包括：样品室，该样品室包括：包括承载面的样品台，承载面配置为承载样品器件；接触探头，接触探头配置为可移动地接触承载在承载面上的样品器件；以及壳体，壳体将样品台和接触探头容纳在内部；环境调节单元，与样品室连接，并配置为调节样品室内的环境，环境调节单元包括用于无流体地调节样品器件温度的干式温度调节单元；以及控制器，与接触探头信号连接，并配置为控制接触探头移动至与样品器件接触。该测试装置通过无流体地调节样品器件温度来控制接触探头移动至与样品器件接触，以进行长时间的测试。
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公开(公告)号：CN112382331A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011164982.X
申请日：2020-10-27
Applicant: 清华大学
IPC: G11C29/50
Abstract: 本发明涉及半导体存储测试技术领域，尤其涉及一种对阻变随机存储器电导弛豫效应特征参数的提取方法。本方法包括：阻变随机存储器的激活过程；施加多次工作信号使阻变随机存储器达到稳定状态；选取稳定电导值G0；施加激励信号使阻变随机存储器电导值达到G0；对器件进行弛豫测试；继续保持读取脉冲一段时间；再对器件进行随机电报噪声测试；对器件进行擦除操作；进行信号过滤，提取电导弛豫效应特征参数。本发明能够有效、完整地提取阻变随机存储器电导弛豫效应的特征参数，有利于对阻变随机存储器的电导弛豫效应的机理研究以及器件阻态稳定性的提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112328227A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011209731.9
申请日：2020-11-03
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种适用于存算一体计算机装置的编译方法、编译装置、计算设备和存储介质。该编译方法包括：获取待编译算法的运算信息；根据运算信息，将待编译算法转换为第一中间表示，第一中间表示包括存算一体计算机装置执行的算子操作；将第一中间表示映射为第二中间表示，第二中间表示包括存算一体计算机装置的硬件信息与算子操作的对应关系；以及根据硬件信息，将待编译算法编译为存算一体计算机装置识别的指令信息，以由存算一体计算机装置执行指令信息。该编译方法能够将运算信息编译为存算一体计算机装置可直接执行的指令，从而可以实现利用存算一体计算机装置对各种算法进行加速运算的效果。
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公开(公告)号：CN112165384A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202011100864.2
申请日：2020-10-15
Applicant: 清华大学
IPC: H04L9/08
Abstract: 一种数据加密方法和解密方法及数据加密装置和解密装置。数据加密方法包括：获取数据；基于数据，对第一阻变存储器单元执行第一加密处理，以对数据进行加密存储。对第一阻变存储器单元执行第一加密处理，以对数据进行加密存储，包括：响应于数据为第一数值，对第一阻变存储器单元执行n1次加密操作，使得第一阻变存储器单元的电阻值处于加密目标阻值范围；响应于数据为第二数值，对第一阻变存储器单元执行m1次加密操作，使得第一阻变存储器单元的电阻值处于加密目标阻值范围。n1和m1是正整数，并且m1>n1。该数据加密和解密方法及数据加密和解密装置不需要额外的密钥保护模块，并且可以实现数据加密和解密与存储的一体化，从而电路开销较小。
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公开(公告)号：CN112151674A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010901106.4
申请日：2020-08-31
Applicant: 清华大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种低温非易失性存储器，该存储器包括上电极、阻变层和下电极，其中，阻变层为双层结构，阻变层的上层为导电绝热材料，与上电极连接，阻变层的下层为阻变材料，与下电极连接，当进行写入SET和重置RESET时，外电场电流产生的焦耳热将阻变层中的局部温度升高，导电绝热材料将部分热量保存在阻变层内，使阻变层保持阻变特征。该存储器利用阻变效应，针对低温应用场景进行器件结构与材料性质上的优化，实现了低温下的非易失性存储。
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公开(公告)号：CN111859261A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010775594.9
申请日：2020-08-05
Applicant: 清华大学
IPC: G06F17/12
Abstract: 一种计算电路及其操作方法。该计算电路包括至少一个存储器阵列、电压钳位电路以及电压读取电路，存储器阵列包括布置为N行M列的多个三端存储器，多个三端存储器的每一个包括第一信号端、第二信号端以及控制信号端，且被配置为可以根据控制信号端被施加的电压脉冲而存储对应的目标值；存储器阵列还包括沿存储器阵列的行方向延伸的N条第一信号线以及沿存储器阵列的列方向延伸的M条第二信号线；第n条第一信号线与第n行的三端存储器的第一信号端电连接，第m条第二信号线与第m列的三端存储器的第二信号端电连接；N和M均为大于等于2的整数，且1≤n≤N，1≤m≤M。该计算电路可以提高计算精度以及鲁棒性。
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公开(公告)号：CN111354850A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN202010156177.6
申请日：2020-03-09
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种自旋轨道耦合磁性器件、电子装置及其操作和制造方法。该自旋轨道耦合磁性器件包括：依次堆叠设置的N个叠层结构，其中，N个叠层结构每一个依次包括自旋轨道耦合材料层、磁性层以及隔挡层，并且磁性层具有垂直各向异性；以及多个电极，分别耦接到N个叠层结构，其中，N为大于或等于2的整数。该器件可以提升数据存储密度并且同时实现结构更为简单的磁性逻辑器件，从而降低了器件制造的工艺复杂度。
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