公开(公告)号：CN111354850B

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202010156177.6

申请日：2020-03-09

Applicant: 清华大学

Inventor： 江万军 ,  董一擎 ,  唐建石

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/06 ,  H01L43/14 ,  G11C11/16

Abstract: 一种自旋轨道耦合磁性器件、电子装置及其操作和制造方法。该自旋轨道耦合磁性器件包括：依次堆叠设置的N个叠层结构，其中，N个叠层结构每一个依次包括自旋轨道耦合材料层、磁性层以及隔挡层，并且磁性层具有垂直各向异性；以及多个电极，分别耦接到N个叠层结构，其中，N为大于或等于2的整数。该器件可以提升数据存储密度并且同时实现结构更为简单的磁性逻辑器件，从而降低了器件制造的工艺复杂度。

公开(公告)号：CN111354850A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN202010156177.6

申请日：2020-03-09

Applicant: 清华大学

Inventor： 江万军 ,  董一擎 ,  唐建石

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/06 ,  H01L43/14 ,  G11C11/16

Abstract: 一种自旋轨道耦合磁性器件、电子装置及其操作和制造方法。该自旋轨道耦合磁性器件包括：依次堆叠设置的N个叠层结构，其中，N个叠层结构每一个依次包括自旋轨道耦合材料层、磁性层以及隔挡层，并且磁性层具有垂直各向异性；以及多个电极，分别耦接到N个叠层结构，其中，N为大于或等于2的整数。该器件可以提升数据存储密度并且同时实现结构更为简单的磁性逻辑器件，从而降低了器件制造的工艺复杂度。