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公开(公告)号：CN111864004B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202011005172.X
申请日：2020-09-23
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
IPC: H01L31/108 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本公开涉及肖特基二极管及其制备方法。一种肖特基二极管包括：衬底层；位于衬底层上的第一结构和第二结构，其中第一结构与第二结构之间为隔离槽结构，第一结构包括第一主体区和从第一主体区延伸的悬臂梁，第二结构包括第二主体区；以及肖特基接触结构，该肖特基接触结构包括：台面结构，位于第二主体区上；以及钝化层，位于第二主体区上并且包围台面结构，其中钝化层的厚度与台面结构的厚度相同；以及接触金属层，位于台面结构上并与悬臂梁的端部相接，其中，接触金属层与台面结构相接触并且接触金属层的接触面尺寸大于台面结构的顶面尺寸，并且其中钝化层内部嵌入有重掺杂多晶硅，该重掺杂多晶硅具有导电特性。
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公开(公告)号：CN106784071A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611121395.6
申请日：2016-12-07
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/035272 , H01L31/18
Abstract: 公开了光电二极管器件、光电二极管探测器及其制造方法。根据实施例，一种光电二极管器件可以包括：在衬底的第一表面上生长外延层，其中，该外延层被第一类型轻掺杂，且在衬底中形成与该第一类型轻掺杂的外延层相接触的第一类型重掺杂区；从衬底的与第一表面相对的第二表面一侧，减薄衬底，并露出第一类型重掺杂区；从衬底的第二表面一侧，对第一类型重掺杂区进行构图，以在其中形成沟槽，该沟槽穿透第一类型重掺杂区而进入外延层中，其中，构图后的第一类型重掺杂区充当光电二极管器件的第一电极区域；以及在沟槽底部形成第二类型重掺杂的区域，该区域充当光电二极管器件的第二电极区域。
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公开(公告)号：CN106324649A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610797815.6
申请日：2016-08-31
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
IPC: G01T1/00
CPC classification number: H01L31/118 , G01T1/026 , G01T1/241 , H01L27/1446 , H01L31/022408 , H01L31/022416 , H01L31/028 , H01L31/0296 , H01L31/02966 , H01L31/0304 , H01L31/032
Abstract: 公开了一种半导体探测器。根据实施例，该半导体探测器可以包括：半导体探测材料，包括彼此相对的第一侧面和第二侧面，其中，第一侧面和第二侧面之一是接收入射射线的射线入射面；设置于第一侧面上的多个像素阴极；设置于第二侧面上的多个像素阳极，其中，像素阳极与像素阴极彼此一一对应；以及设置于射线入射面上各像素阴极或像素阳极外周的阻挡电极。根据本公开的实施例，可以有效避免像素之间的电荷共享，提高探测器的成像分辨率。
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公开(公告)号：CN209133661U
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201822260563.0
申请日：2018-12-29
Applicant: 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
Abstract: 公开了一种太赫兹混频器及包括该混频器的电子设备。根据实施例，该太赫兹混频器包括：腔体，用于分别形成射频输入波导和本振输入波导，以及用于容纳悬置微带线，在腔体的内侧表面上形成有台阶；悬置微带线，通过半导体生长工艺形成并跨接在台阶的至少一部分上，悬置微带线分别延伸至射频输入波导和本振输入波导所在腔体内，以分别形成用于接收射频输入信号和本振输入信号的微带线天线。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209133660U
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201822256650.9
申请日：2018-12-29
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
Abstract: 公开了一种太赫兹混频器及包括该混频器的电子设备。根据实施例，该太赫兹混频器包括：腔体，用于分别形成射频输入波导和本振输入波导，以及用于容纳微带线；微带线，通过半导体生长工艺形成在腔体的内侧表面的至少一部分上，微带线分别延伸至射频输入波导和本振输入波导所在腔体内，以分别形成用于接收射频输入信号和本振输入信号的微带线天线。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN206412371U
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201621340715.2
申请日：2016-12-07
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/109
Abstract: 公开了光电二极管器件及光电二极管探测器。根据实施例，一种光电二极管器件可以包括：第一类型轻掺杂的半导体基板，包括彼此相对的第一表面和第二表面；设于半导体基板的第一表面上的第一类型重掺杂的第一电极区域；以及设于半导体基板的第二表面上的第二类型重掺杂的第二电极区域，其中，第一表面为光入射面。
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公开(公告)号：CN206057585U
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201621032168.1
申请日：2016-08-31
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
IPC: G01T1/00
Abstract: 公开了一种半导体探测器。根据实施例，该半导体探测器可以包括：半导体探测材料，包括彼此相对的第一侧面和第二侧面；设置于第一侧面上的阴极；以及设置于第二侧面上的阳极，其中，阳极包括限定半导体探测器的探测像素的像素阳极阵列以及设置于相邻的像素阳极之间的中间阳极。根据本公开的实施例，可以实现信号修正，提高探测器的能量分辨率和信噪比。
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公开(公告)号：CN207779553U
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201721925563.7
申请日：2017-12-29
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
IPC: G01J1/42 , G01J1/44 , H01L31/115
Abstract: 本实用新型公开了一种太赫兹探测器。太赫兹探测器包括由多个像素单元构成的面阵列结构，每个像素单元包括N个子像素，每个子像素包括至少一个信号触发器，配置用于将太赫兹信号转化为电流脉冲信号，并且每个像素单元探测到的信号为N个子像素的电流脉冲信号的总和，N为整数。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206516638U
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201621339939.1
申请日：2016-12-07
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/109
Abstract: 公开了光电二极管器件以及光电二极管探测器。根据实施例，一种光电二极管器件可以包括：第一类型重掺杂的衬底，包括彼此相对的第一表面和第二表面，该第一类型重掺杂的衬底充当光电二极管器件的第一电极区域；在衬底的第一表面上生长的外延层，其中，该外延层被第一类型轻掺杂，且衬底中包括沟槽以露出外延层；以及在沟槽内形成的第二类型重掺杂的第二电极区域，其中，该第二电极区域与第一电极区域电隔离。
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公开(公告)号：CN206074817U
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201621032761.6
申请日：2016-08-31
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
IPC: G01T1/00
Abstract: 公开了一种半导体探测器。根据实施例，该半导体探测器可以包括：半导体探测材料，包括彼此相对的第一侧面和第二侧面，其中，第一侧面和第二侧面之一是接收入射射线的射线入射面；设置于第一侧面上的多个像素阴极；设置于第二侧面上的多个像素阳极，其中，像素阳极与像素阴极彼此一一对应；以及设置于射线入射面上各像素阴极或像素阳极外周的阻挡电极。根据本公开的实施例，可以有效避免像素之间的电荷共享，提高探测器的成像分辨率。
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