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公开(公告)号：CN117542894A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311602052.1
申请日：2023-11-27
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种VDMOS终端结构和半导体器件，该VDMOS终端结构包括：衬底；第一外延层，位于衬底的表面上；第二外延层，位于第一外延层的远离衬底的表面上，第一外延层与第二外延层的掺杂类型不同；沿预定方向间隔设置的多个第一沟槽，各第一沟槽位于第二外延层和第一外延层中，且在预定方向上多个第一沟槽的深度逐渐减小，预定方向为垂直于衬底厚度的方向，深度为第一沟槽在衬底厚度方向上的长度。本申请解决了现有技术中VDMOS终端结构的耐压能力较低的问题。
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公开(公告)号：CN117409772A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311442914.9
申请日：2023-11-01
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海联云科技有限公司
IPC: G10L15/18 , G10L15/08 , G10L15/22 , G10L15/26 , G06F40/242 , G06F40/268 , G06F40/279 , G06F40/35
Abstract: 本申请涉及一种多意图识别方法、装置、电子设备及可读介质，其中，方法包括：在检测到目标对象的意图语音的情况下，将意图语音转换为文本数据；根据预设实体词典对文本数据进行实体抽取，获得实体数据，其中，实体数据包括表征目标对象的意图的目标实体；按照预设策略对实体数据中的各个目标实体进行组合，得到多个实体组；根据意图映射表获取与多个实体组匹配的各个意图指令，以确定目标对象的意图。通过预设实体词典抽取选出用户意图中的实体，然后根据预设策略将实体组合成实体组，最后通过实体组与意图指令的映射关系确定满足用户意图的意图指令，解决了无法识别用户的多意图请求的问题。
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公开(公告)号：CN117391090A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311412068.6
申请日：2023-10-27
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海联云科技有限公司
Abstract: 本申请提供的一种识别方法、装置、设备及存储介质，通过获取用户在场景中的行为数据、语音数据和文本交互数据；基于所述行为数据、语音数据、文本交互数据和场景确定融合语义特征；将所述融合语义特征输入至语义解析模型中，确定所述用户的语义，能够提升语义识别的准确性。
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公开(公告)号：CN117232107A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311412604.2
申请日：2023-10-27
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海联云科技有限公司
Abstract: 本申请提供的一种控制方法、装置、设备及存储介质，通过获取用户鼻腔区域的图像；对所述图像进行预处理，得到预处理后的图像；将所述预处理后的图像输入至预先建立的神经网络模型中，确定鼻炎的严重程度；基于所述严重程度确定加湿器的控制参数；基于所述控制参数控制所述加湿器运行，能够基于用户的鼻炎的严重程度自动对加湿器进行控制，提高治疗效果。
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公开(公告)号：CN117012661A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310893951.5
申请日：2023-07-19
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种SiC晶圆退火工艺的温度监控方法、装置、设备及存储介质，属于半导体加工技术领域。该方法包括：获取晶圆监控片在退火前的表面粗糙度；将晶圆监控片置于退火工艺腔内，并在设定温度下进行退火工艺；测量晶圆监控片在退火后的表面粗糙度，得到粗糙度变化值；基于粗糙度变化值与退火温度之间的对应关系，确定退火工艺腔的实际退火温度。利用SiC晶圆高温退火后表面会有部分Si析出导致表面粗糙度变化的特性，解决SiC晶圆高温退火温度无法监控的问题，达到监控高温炉管控温性能、便于调整工艺温度的效果，且无需给监控片生长氧化层或注入离子，监控流程简单易操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116936520A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310934544.4
申请日：2023-07-27
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/49
Abstract: 本申请提供了一种功率器件和电子设备，该功率器件包括：碳化硅模块；驱动结构，位于碳化硅模块的一侧；转接结构，位于碳化硅模块和驱动结构之间，转接结构与碳化硅模块和驱动结构分别电连接，驱动结构通过转接结构驱动碳化硅模块。通过设置转接结构来连接驱动结构和碳化硅模块，这样无需针对碳化硅模块单独设计驱动结构，无需更改驱动结构的引脚位置与连接走线，就可以实现碳化硅与驱动结构的连接兼容，节约了驱动结构的设计与生产成本，保证了碳化硅模块可以快速应用于市场。
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公开(公告)号：CN116884997A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202311149652.7
申请日：2023-09-07
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本申请提供了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法。该绝缘栅双极型晶体管结构包括：集电层，具有第一掺杂类型；漂移层，设置于集电层的一侧，且漂移层具有第二掺杂类型；栅极结构，设置于漂移层远离集电层的一侧；第一掺杂层，接触设置于漂移层远离集电层的一侧，第一掺杂层包括第一部分和第二部分，第一部分和第二部分之间具有第一间隔区域，第一间隔区域位于栅极结构靠近漂移层的一侧，且第一掺杂层具有第一掺杂类型；第二掺杂层，第二掺杂层在第一掺杂层上的投影位于第一间隔区域两侧，分别与栅极结构和第一掺杂层接触设置，且第二掺杂层具有第二掺杂类型；发射层，接触设置于第一掺杂层远离漂移层的一侧，且发射层具有第一掺杂类型。
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公开(公告)号：CN116779427A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202311071504.8
申请日：2023-08-24
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/04 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅半导体结构的制作方法和碳化硅半导体结构，该方法包括：提供第一基底层，其中，第一基底层的材料为碳化硅；对第一基底层的表面进行第一热氧化处理，形成第一氧化层，并去除第一氧化层，得到第二基底层；对第二基底层的表面进行第二热氧化处理，形成第二氧化层，并去除第二氧化层，得到第三基底层，第二热氧化处理的温度小于第一热氧化处理的温度，第二氧化层的厚度小于第一氧化层的厚度；对第三基底层的表面进行第三热氧化处理，形成栅氧化层，第三热氧化处理的温度小于第二热氧化处理的温度。该方法解决了栅氧化层进行热氧化过程中在界面处形成C残留，导致沟道迁移率退化并影响栅氧化层性能的问题。
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公开(公告)号：CN116773994A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202311051513.0
申请日：2023-08-21
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种晶圆测试的控制方法、控制装置、存储介质和电子设备。该控制方法包括：在探针卡的探针与晶圆接触的情况下，接收探针台发送的第一启动信号，其中，探针卡中具有气体通道，气体通道连接有阀门，以使得气体通道在阀门开启的情况下输送保护气体；根据第一启动信号控制阀门开启，并对晶圆上的第一待测器件进行晶圆测试；在完成对第一待测器件的晶圆测试的情况下，关闭阀门；通知探针台将晶圆移动至第二待测器件，以使第二待测器件和探针接触，并对第二待测器件进行晶圆测试。通过本申请，减少了保护气体与探针卡的接触时间，使得探针卡上的元器件和探针的温度降低，实现了增加探针的寿命的目的。
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公开(公告)号：CN116188095A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211626664.X
申请日：2022-12-16
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海联云科技有限公司
IPC: G06Q30/0601 , G06Q30/0251 , G06Q30/0241 , G06F16/9535
Abstract: 本申请涉及一种商品信息的推荐方法、装置、带屏空调和存储介质，该方法包括：接收用户的需求信息，需求信息包括待选购商品的品类信息；在预设数据库中，获取品类信息所对应的所有商品的商品信息，商品信息包括产品参数和销售属性参数；分别确定产品参数所对应的第一推荐值和销售属性参数所对应的第二推荐值，并根据第一推荐值和第二推荐值，确定商品所对应的总推荐值；基于总推荐值，在品类信息所对应的所有商品中选取待推荐的目标商品，并基于目标商品所对应的商品信息生成推荐信息。通过本申请，实现了在有效的时间内为用户推荐最有价值的商品，在用户进行请求时根据商品价值大小进行排序展示，提高商品推广效果的有益效果。
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