公开(公告)号：CN108769944A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810697001.4

申请日：2018-06-29

Applicant: 福州大学

Inventor： 陈志聪 ,  李清华 ,  吴丽君 ,  林培杰 ,  程树英 ,  郑茜颖

IPC: H04W4/38 ,  H04W40/10 ,  H04W40/12 ,  H04W40/16 ,  H04W72/12 ,  H04L12/753 ,  H04W40/24

CPC classification number: H04W4/38 ,  H04L45/48 ,  H04W40/10 ,  H04W40/12 ,  H04W40/16 ,  H04W40/248 ,  H04W72/1231

Abstract: 本发明涉及一种面向桥梁结构健康监测的MP‑MR‑MC无线传感器网络数据收集方法，获取桥梁无线传感器网络模型，每个传感器工作模式为多功率级数、多收发器、多信道；构建（收发器‑信道‑功率）组件，组件数目为D；将组件数目定义为BFPA‑PSO种群中花配子数目;根据组件激活状态，构建激活组件冲突图模型；构建时隙路由树，节点之间无干扰通信；采用BFPA‑PSO混合优化算法寻找无线传感器网络最优链路调度。本发明提供的面向桥梁结构健康监测的MP‑MR‑MC无线传感器网络数据收集方法，能够有效提高桥梁结构健康监测无线传感器网络数据容量的同时，降低系统总能量消耗。

公开(公告)号：CN108494365A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201810535342.1

申请日：2018-05-30

Applicant: 福州大学

Inventor： 陈志聪 ,  吴丽君 ,  周海芳 ,  苏凤萍 ,  林培杰 ,  程树英 ,  郑茜颖 ,  章杰

IPC: H02S50/10 ,  H02J13/00

Abstract: 本发明提出一种光伏组件及组件串在线失配监测系统，包括无线传感节点、子阵列路由节点及上位机数据管理模块；无线传感节点与光伏组件相连以测量光伏组件的运行状态；子阵列路由节点与组件串相连以测量组件串的电压和背板温度；传感节点以第一级无线传感网络与子阵列路由节点相连；子阵列路由节点以第二级无线传感网络与上位机数据管理模块相连；子阵列路由节点在收集组件串的光伏数据时，同步收集其内部光伏组件的光伏数据；上位机数据管理模块从子阵列路由节点收集光伏组件和组件串的光伏数据，并判定是否有失配故障及故障位置，本发明能够在线实时获取光伏子阵列中各个组件串及各个组件的电气和环境参数并据此判断光伏阵列的运行状况。

公开(公告)号：CN106708146B

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710017005.9

申请日：2017-01-11

Applicant: 福州大学

Inventor： 俞金玲 ,  曾晓琳 ,  程树英 ,  陈涌海 ,  赖云锋 ,  郑巧

IPC: G05F1/46

Abstract: 本发明涉及一种调控GaAs/AlGaAs二维电子气中线偏振光致电流的方法。该方法通过改变样品温度有效调控GaAs/AlGaA二维电子气中线偏振光致电流：首先，用分子束外延设备生长GaAs/AlGaAs二维电子气样品，并在样品对角上沉积铟电极；其次，调整光路，使入射激光波长为1064nm；最后，将样品置于杜瓦瓶中，使样品温度由77K至室温300K变化，测量样品随温度变化的线偏振光致电流。本发明方法调控效果显著，且实施简便。

公开(公告)号：CN107302056A

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201710568317.9

申请日：2017-07-13

Applicant: 福州大学

Inventor： 郑巧 ,  程树英 ,  俞思敏

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549 ,  H01L51/42 ,  H01L51/0003

Abstract: 本发明涉及一种等离激元增强的有机光伏电池及其制备方法，所述光伏电池包括透明导电的衬底、空穴传输层、金纳米棒、有机活性层和金属电极。其制备方法包括：（1）清洗透明导电的衬底、烘干并进行等离子体清洗；（2）通过旋涂法在ITO上旋涂PEDOT：PSS水溶液，退火固化，形成空穴传输层；（3）在空穴传输层上旋涂金纳米棒，加热固化；（4）然后通过旋涂法在金纳米棒上制备有机活性层；（5）在有机活性层表面热蒸镀金属电极，在惰性气体保护下对整个器件进行热退火。本发明在传输层与活性层间引入1.5~3.5长径比的金纳米棒，制备工艺简单，并且能显著改善有机光伏电池的性能。

公开(公告)号：CN105957926B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201610571895.3

申请日：2016-07-20

Applicant: 福州大学

Inventor： 俞金玲 ,  郑重明 ,  程树英 ,  赖云锋 ,  郑巧 ,  周海芳 ,  董丽美

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/072 ,  C23C14/06 ,  C23C14/24

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种调控铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶的方法，用溶胶‑凝胶法制备铜锌锡硫薄膜，并在铜锌锡硫薄膜上面用真空热蒸发法在不同的基片温度下生长了硫化铟薄膜，得到铜锌锡硫/硫化铟异质结，达到调控铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶，从而达到优化铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶的目的。此外，本发明所用的方法简单，可操作性强，调节效果显著，容易实现，可用于铜锌锡硫薄膜太阳能电池缓冲层的制备。

公开(公告)号：CN106098935A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610522488.3

申请日：2016-07-06

Applicant: 福州大学

Inventor： 赖云锋 ,  邱文彪 ,  陈凡 ,  程树英 ,  林培杰 ,  俞金玲 ,  周海芳

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/1253 ,  H01L45/145 ,  H01L45/1625

Abstract: 本发明涉及一种低功耗氧化物线状忆阻器及实现其电子突触功能的方法，该氧化物线状忆阻器包括：衬底；第一端电极，设置于衬底上，并与衬底形成良好电接触；氧化物线状介质，设置于第一端电极旁侧；第二端电极，对应设置于氧化物线状介质旁侧，该氧化物线状忆阻器在低功耗下具有良好的阻变性能且通过特定的激发方式可以在低功耗下实现电子突触功能。

公开(公告)号：CN106098844A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610490142.X

申请日：2016-06-29

Applicant: 福州大学

Inventor： 程树英 ,  董丽美 ,  赖云锋 ,  龙博 ,  贾宏杰 ,  周海芳

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/0322

Abstract: 本发明公开了一种基于柔性钼衬底的铜锌锡硫的铝电极的制备方法。首先用电沉积法清洗柔性钼箔片，然后用溶胶‑凝胶法制备铜锌锡硫薄膜，最后依次使用化学水浴法、溅射法、蒸发法制备缓冲层、窗口层、电极。采用柔性钼作为电池的背电极，减低薄膜太阳能电池及其器件的制造成本；采用环境友好型的CZTS作为电池的吸收层，绿色环保，热膨胀系数与钼箔基底相匹配；且CZTS制备工艺简单，具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN106024963A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610571961.7

申请日：2016-07-20

Applicant: 福州大学

Inventor： 俞金玲 ,  郑重明 ,  程树英 ,  赖云锋 ,  郑巧 ,  周海芳 ,  董丽美

IPC: H01L31/072 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种提高铜锌锡硫/硫化铟太阳能电池效率的方法，用溶胶‑凝胶法制备铜锌锡硫薄膜，随后对负载有铜锌锡硫薄膜的钼基片进行加热处理，待基片升高到150℃时，采用真空热蒸发法在铜锌锡硫薄膜上面生长硫化铟薄膜，得到铜锌锡硫/硫化铟异质结，大大提高了铜锌锡硫/硫化铟太阳能电池的效率。此外，本发明可操作性强，容易实现，能用于薄膜太阳能电池的制备，对太阳能电池效率的提高有着重要贡献。

公开(公告)号：CN105428217A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510814405.3

申请日：2015-11-23

Applicant: 福州大学

Inventor： 俞金玲 ,  郑重明 ,  程树英 ,  赖云锋 ,  郑巧 ,  周海芳

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/225 ,  H01L21/324 ,  H01L31/0304

CPC classification number: H01L21/02422 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02697 ,  H01L21/225 ,  H01L21/3245 ,  H01L31/03042

Abstract: 本发明公开了一种制备Cu掺杂硫化铟薄膜的方法，其是采用真空蒸发法，在两层硫化铟薄膜之间蒸发一层很薄的Cu，然后通过热退火使得Cu扩散到硫化铟薄膜中，达到制备Cu掺杂硫化铟薄膜的目的。本发明可以通过控制蒸发Cu的量来控制掺杂浓度，从而起到不同程度降低薄膜电阻率的目的。本发明制备的薄膜可用于作为太阳能电池的缓冲层。

公开(公告)号：CN105390611A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510665569.4

申请日：2015-10-16

Applicant: 福州大学

Inventor： 赖云锋 ,  曾泽村 ,  程树英 ,  林培杰 ,  俞金玲 ,  周海芳 ,  郑巧

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/145 ,  H01L45/16

Abstract: 本发明涉及一种基于双存储介质层的低功耗阻变存储器及其制备方法，所述存储器包括一衬底；一第一端电极，设置于所述衬底上，并与所述衬底形成良好电接触；一双层阻变介质，设置于所述第一端电极的左侧或上方；一第二端电极，若所述双层阻变介质设置于所述第一端电极的左侧，则所述第二端电极设置于所述双层阻变介质的左侧；若所述双层阻变介质设置于所述第一端电极的上方，则所述第二端电极设置于所述双层阻变介质的上方。本发明的存储器由两个端电极和夹于两电极间的双层存储介质组成，通过参数优选和合理设计，使得该存储器的工作电流为微安级别，这为阻变存储器低功耗运行提供了保证。