一种碳自掺杂氮化碳光电薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN110983273A

    公开(公告)日:2020-04-10

    申请号:CN201911352682.1

    申请日:2019-12-25

    Abstract: 本发明公开一种碳自掺杂氮化碳光电薄膜的制备方法,包括以下步骤:a、采用单晶硅片作为衬底,清洗衬底,去除衬底表面的污垢;b、将衬底放置于磁控溅射腔室,采用石墨为溅射靶材,石墨纯度为99.99%,采用直流与射频耦合电源,工作气体为Ar,反应气体为N2,在衬底表面沉积得到氮化碳光电薄膜;该方法只利用石墨作为溅射靶材,可以方便地制备出氮化碳薄膜,提高薄膜的结晶质量,且同时解决薄膜内应力大的缺陷。

    一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池

    公开(公告)号:CN110323293A

    公开(公告)日:2019-10-11

    申请号:CN201910372257.2

    申请日:2019-05-06

    Abstract: 本发明公开一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池,包括基板,基板表面由内向外依次层叠背电极层、吸收层、缓冲层、窗口层、透明电极层以及金属栅电极层,其特征在于,所述吸收层包括m组相层叠的基础吸收层,每组基础吸收层均包含由下至上层叠的铜铟镓膜层与硒膜层,2≤m≤5;吸收层厚度为1~2.5μm;背电极层背电极层厚度为0.3~2μm的;缓冲层厚度为20~200nm;窗口层厚度为20~200nm;透明电极层厚度为0.3~2μm;金属栅电极层厚度为2~10μm;本发明镓的梯度沿吸收层背面和吸收层表面两个方向,从而促进镓元素在铜铟镓硒吸收层中深度分布及吸收层带隙宽度的增大,进而提高薄膜太阳能电池的开路电压及光电转换效率。

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