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公开(公告)号：CN105955387A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610316828.7
申请日：2016-05-12
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05F1/565
CPC classification number: G05F1/565
Abstract: 本发明公开了一种双环保护低压差LDO线性稳压器，包括：误差放大器，用于完成双端输入到单端输出的转换，为输出提供高增益；过流保护电路，通用于将输出电压与峰值电压进行比较，经反馈电路控制功率管，实现过流保护功能；功率管，采用PMOS晶体管的共源极放大器结构实现，用于为LDO环路提供足够的增益，同时保证LDO的压差为PMOS管的漏源电压；单位增益频率补偿网络，用于产生零点的电阻。本发明可以通过降低PMOS管临界工作点时的导通电阻来降低压降；具有过流保护作用，不再影响误差放大器的工作；具有很好的稳定性。本发明不仅有低输入输出电压差，同时在电压、温度变化时仍能稳定工作，另外还有过流保护的辅助功能。
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公开(公告)号：CN102074271B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201010509226.6
申请日：2010-10-11
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提供的电流熔断型多晶熔丝电路，由于设置了多晶熔丝熔断的外部选择电路和熔断控制电路，避免了现有技术中熔断熔丝需使用压焊点的缺陷，减小多晶熔丝电路面积，节省芯片面积，降低芯片成本。同时由于本发明设置了输出锁存器，从而可以实现熔丝熔断的同时保证电路输出是标准的数字逻辑电平。
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公开(公告)号：CN101977046B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010291312.4
申请日：2010-09-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明提供自举采样开关电路和自举电路，自举电路包括：二极管D1、充电电容C1、反相器、第三PMOS管M3、第四NMOS管M4、第五NMOS管M5、第六NMOS管M6、第七PMOS管M7及第八NMOS管M8；反相器的输入端连接CLK，输出端连接M3栅极和M4栅极；M3源极连接VDD，M4源极连接Vin，M3漏极和M4的漏极相连；M5源极接Vin，M5栅极接Vboot，M5漏极接M6漏极和电容的一板；M6栅极连接CLK，M6源极连接GND；D1正端连接VDD，D1负端连接C1第二板和M7源极；M7栅极与M3漏极相连，M7漏极和M8源极连接Vboot；M8栅极连接VDD，M8漏极与反相器输出端相连。
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公开(公告)号：CN117055321A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311198911.5
申请日：2023-09-15
Applicant: 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
IPC: G04F10/00
Abstract: 本发明公开了一种两步多相时钟时间数字转换器的校正电路及校正方法，校正电路包括选择模块和校正模块；选择模块基于细量化信号翻转边沿所处的主时钟电平状态选择对应的正确时钟信号，选择模块将正确时钟信号输入校正模块；校正模块接收正确时钟信号进行校正并产生两组数字校准控制码，利用数字校准控制码对粗量化模块的粗量化计数值进行校正操作，校正操作包括：对粗量化计数值进行保持、加一、加二、减一或减二操作。本发明的校正方法基于上述校正电路。本发明解决了现有技术中D触发器的亚稳态和传输延时失配引起的误差，实现了D触发器的亚稳态误差和传输延时失配误差的校正。
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公开(公告)号：CN114035641A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111296272.7
申请日：2021-11-03
Applicant: 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种具有高性能的带隙基准电路，所述电路包括：带隙核心电路、多级运放闭环电路、基极电流补偿电路、Trim电路以及自偏置电流源电路；其中，所述自偏置电流源电路，用于根据启动电流输出偏置电流，以控制所述多级运放闭环电路进入工作状态；所述多级运放闭环电路，用于控制带隙核心电路产生参考电压；所述基极电流补偿电路用于向所述带隙核心电路输出补偿电流；所述基极电流补偿电路和所述Trim电路，用于调整所述参考电压等于目标电压，以得到最终电压。本发明能够在工艺、电压、温度变化等环境中保证电路的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110417360B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201910507488.X
申请日：2019-06-12
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种用于生物电检测的低噪声放大器，包括输入斩波电路(1)、输入耦合电容模块(2)、两级运算放大器模块(3)、电容负反馈环路(4)、正反馈输入阻抗提升环路(5)、电极直流失调消除环路(6)。该低噪声放大器通过采用电流复用的两级运算放大器模块使得低噪声放大器的噪声系数得以提升，进一步提高了低噪声放大器的噪声性能，同时通过采用电极直流失调消除环路抑制了模拟前端电路中电极间的直流失调电压，进而保证了模拟前端电路接收信号的质量。
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公开(公告)号：CN110768645A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201910828917.3
申请日：2019-09-03
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03H11/04
Abstract: 本发明涉及一种反双曲正切预失真电路、跨导器及GM-C低通滤波器。该反双曲正切预失真电路包括：第一偏置电流单元(1)、第二偏置电流单元(2)、第一电阻(Rx1)、第一PMOS管(PM1)、第二PMOS管(PM2)、第一电流-电压转换单元(3)、第二电流-电压转换单元(4)。该反双曲正切预失真电路通过将电压转换为电流，电流再转换为电压的调整方式使得输入端电压差和输出端电压差满足反双曲正切关系，可以连接在输入差分对工作在亚阈值区的跨导器之前用来扩展跨导器的输入线性范围，降低跨导单元的功耗，从而有利于GM-C低通滤波器低压低功耗的设计。
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公开(公告)号：CN109391239A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201811055254.8
申请日：2018-09-11
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03G3/30
Abstract: 本发明涉及一种改进型高线性度压控增益衰减器，包括模拟参考电压产生器、电压跟踪与比较器阵列和CMOS晶体管衰减阵列。本发明在传统压控衰减器的核心电路基础上进行改进，采用CMOS晶体管衰减阵列代替传统的单个衰减晶体管，以实现大动态范围的衰减增益；采用电压跟踪与比较器阵列对CMOS晶体管衰减阵列进行控制，提高衰减增益的线性度；采用电阻分压方法为所有衰减晶体管提供衬底电压，保证晶体管衰减阵列正、负信号支路的对称性，提高衰减器的失真性能。
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公开(公告)号：CN107981886A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201711180661.7
申请日：2017-11-23
Applicant: 西安电子科技大学 , 陕西博纵电子科技有限公司
IPC: A61B8/00
Abstract: 本发明公开了超声成像的模拟信号处理电路，包括振荡调频回路、反馈运放电路和滤波电路，所述振荡调频回路接收超声成像设备的信号传输通道的输入信号，利用三极管Q1-Q3组成复合电路选频，然后由反馈运放电路利用运放器AR1放大信号输入滤波电路内，同时设计了运放器AR2反馈运放器AR1的信号，稳定运放器AR1的输出信号，运放器AR1的输出信号经电感L2串联电阻R7和电容C3并联的RC电路滤波后输出，也即是输入超声成像设备的信号传输通道内，具有很大的实用价值和开发价值。
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公开(公告)号：CN107979342A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201711178421.3
申请日：2017-11-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03C1/36
Abstract: 本发明公开了集成电路的电磁干扰补偿电路，包括开关电路、运放电路和补偿电路，所述开关电路接收集成电路信号传输通道的输入信号，利用三极管Q1-Q3组成复合电路调幅，然后由运放电路利用运放器AR1、AR2放大信号输入补偿电路内，同时设计了运放器AR2放大信号驱动补偿电路工作，补偿电路利用三极管Q5为控制开关经电阻R8分压后输出，也即是输入集成电路信号传输通道内，达到集成电路的电磁干扰补偿的效果。
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