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公开(公告)号：CN105912066B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610388834.3
申请日：2016-06-02
Applicant: 西安电子科技大学昆山创新研究院 , 西安电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种低功耗高PSRR的带隙基准电路，其特征在于，由无运放带隙核心电路、启动电路和负反馈控制环路组成，在无运放带隙核心电路中，电阻R6的阻值远远大于电阻R4及电阻R5，使得晶体管Q4的基极电流减小到可以忽略的程度，同时避免了使用运算放大器，降低了电路设计的复杂性，进一步减小了整体功耗；在负反馈控制环路中，检测节点V2的电压变化以及A、B节点电位误差，分别通过该环路中的晶体管MN2产生负反馈电压及电流镜的镜像作用，抑制电源电压变化和器件失配对电路造成负面的影响，提高了带隙电路的稳定性；在启动电路中，通过晶体管MP4触发带隙电路启动工作，使得启动电路在带隙电路正常工作后能够快速的关断，节省了电路的功耗。
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公开(公告)号：CN105912066A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610388834.3
申请日：2016-06-02
Applicant: 西安电子科技大学昆山创新研究院 , 西安电子科技大学
IPC: G05F1/567
CPC classification number: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种低功耗高PSRR的带隙基准电路，其特征在于，由无运放带隙核心电路、启动电路和负反馈控制环路组成，在无运放带隙核心电路中，电阻R6的阻值远远大于电阻R4及电阻R5，使得晶体管Q4的基极电流减小到可以忽略的程度，同时避免了使用运算放大器，降低了电路设计的复杂性，进一步减小了整体功耗；在负反馈控制环路中，检测节点V2的电压变化以及A、B节点电位误差，分别通过该环路中的晶体管MN2产生负反馈电压及电流镜的镜像作用，抑制电源电压变化和器件失配对电路造成负面的影响，提高了带隙电路的稳定性；在启动电路中，通过晶体管MP4触发带隙电路启动工作，使得启动电路在带隙电路正常工作后能够快速的关断，节省了电路的功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105955386A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610316383.2
申请日：2016-05-12
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05F1/565
CPC classification number: G05F1/565
Abstract: 本发明公开了一种超低压CMOS阈值带隙基准电路，包括PTAT产生电路、阈值电压产生电路和启动电路；所述PTAT产生电路包括MP2、MP3、MP4三个PMOS晶体管，Q1、Q2两个PNP型双极型晶体管，OP1一个运算放大器和R1、R2两个电阻；所述阈值电压产生电路包括MP5、MP6、MP7和MP8四个PMOS晶体管，MN1、MN2、MN3和MN4四个NMOS晶体管，OP2一个运算放大器和R3一个电阻；所述启动电路包括MP1、MP9两个PMOS晶体管。本发明中输出基准源相比于传统的带隙基准源，可工作在超低压条件下，从而满足低功耗设计要求，同时电路具有可控的输出电压，且相比于传统的高阶补偿带隙基准源，本发明实现的基准源具有较低的温漂系数，无需特殊的工艺要求，结构简单。
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公开(公告)号：CN106059516B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201610385982.X
申请日：2016-06-03
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03F3/45
Abstract: 本发明涉及一种轨对轨运算放大电路及ADC转换器、DCDC变换器和功率放大器。该运算放大器电路包括第一输入端Vn、第二输入端Vp、输出端Vout、电源端VDD及接地端GND，其中，还包括互补差分输入级电路21和推挽输出级电路23。本发明实施例，采用互补差分输入级电路和推挽输出级电路组成的轨对轨运算放大电路可以工作在1V左右的电源电压下，相比于传统的轨对轨运算放大电路来说，不仅可以在更低的电源电压下工作，而且降低了电路的整体功耗。
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公开(公告)号：CN106059516A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610385982.X
申请日：2016-06-03
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03F3/45
CPC classification number: H03F3/45632 , H03F2203/45096
Abstract: 本发明涉及一种轨对轨运算放大电路及ADC转换器、DCDC变换器和功率放大器。该运算放大器电路包括第一输入端Vn、第二输入端Vp、输出端Vout、电源端VDD及接地端GND，其中，还包括互补差分输入级电路21和推挽输出级电路23。本发明实施例，采用互补差分输入级电路和推挽输出级电路组成的轨对轨运算放大电路可以工作在1V左右的电源电压下，相比于传统的轨对轨运算放大电路来说，不仅可以在更低的电源电压下工作，而且降低了电路的整体功耗。
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公开(公告)号：CN105955387A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610316828.7
申请日：2016-05-12
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05F1/565
CPC classification number: G05F1/565
Abstract: 本发明公开了一种双环保护低压差LDO线性稳压器，包括：误差放大器，用于完成双端输入到单端输出的转换，为输出提供高增益；过流保护电路，通用于将输出电压与峰值电压进行比较，经反馈电路控制功率管，实现过流保护功能；功率管，采用PMOS晶体管的共源极放大器结构实现，用于为LDO环路提供足够的增益，同时保证LDO的压差为PMOS管的漏源电压；单位增益频率补偿网络，用于产生零点的电阻。本发明可以通过降低PMOS管临界工作点时的导通电阻来降低压降；具有过流保护作用，不再影响误差放大器的工作；具有很好的稳定性。本发明不仅有低输入输出电压差，同时在电压、温度变化时仍能稳定工作，另外还有过流保护的辅助功能。
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公开(公告)号：CN105955387B
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201610316828.7
申请日：2016-05-12
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05F1/565
Abstract: 本发明公开了一种双环保护低压差LDO线性稳压器，包括：误差放大器，用于完成双端输入到单端输出的转换，为输出提供高增益；过流保护电路，通用于将输出电压与峰值电压进行比较，经反馈电路控制功率管，实现过流保护功能；功率管，采用PMOS晶体管的共源极放大器结构实现，用于为LDO环路提供足够的增益，同时保证LDO的压差为PMOS管的漏源电压；单位增益频率补偿网络，用于产生零点的电阻。本发明可以通过降低PMOS管临界工作点时的导通电阻来降低压降；具有过流保护作用，不再影响误差放大器的工作；具有很好的稳定性。本发明不仅有低输入输出电压差，同时在电压、温度变化时仍能稳定工作，另外还有过流保护的辅助功能。
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