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公开(公告)号：CN101602480A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200810064693.5
申请日：2008-06-11
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种采用激光释放硅悬臂梁的方法，尤其是该方法为激光加工技术与微电子机械加工系统(MEMS)相结合刻蚀硅悬臂梁的方法。本发明提供一种采用激光精准释放硅悬臂梁的方法，该方法不仅能释放出无削角的硅悬臂梁，而且为其他微结构的制备提供高质量的激光刻蚀方法。本发明的制造方法所采用的工艺方案是：在硅片上，采用MEMS技术在硅微悬臂梁的根部制作由四个P沟道增强型场效应管(P－MOSFETs)组成的惠斯通电桥，将硅片的背面硅衬底利用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术加工成硅杯结构，并用激光刻蚀出硅悬臂梁。本发明的有益效果是，克服了传统释放硅悬臂梁方法的削角问题，无需光刻显影，刻蚀速率高。
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公开(公告)号：CN119395610A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411518391.6
申请日：2024-10-29
Applicant: 黑龙江大学
Abstract: 本发明公开了一种空间磁场均匀性测量装置，包括三自由度移动平台以及设置在移动平台上的集成化磁场传感器阵列等，所述集成化磁场传感器阵列中设置有n×n个磁敏感元件，所述移动平台为三自由度平台，能够在三个相互垂直方向上移动磁场传感器阵列。本发明公开的空间磁场均匀性测量装置，可以测量出待测空间中的磁场矢量，获得待测空间的磁场矢量等分布图，能够完成空间磁场均匀性的分析。
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公开(公告)号：CN109100665B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN201811101755.5
申请日：2018-09-20
Applicant: 黑龙江大学
Abstract: 本发明公开了一种磁场矢量传感器，所述传感器包括作为器件层的第一硅片(1)和作为衬底的第二硅片(2)，其中，在所述第一硅片(1)上设置有多个同种磁敏感元器件，所述多个磁敏感元器件构成三个磁敏感单元，以实现对不同方向磁场分量的测量。同时在芯片内嵌入聚/导磁微结构，能够转换磁场分量的方向，实现空间磁场的测量。本发明所述磁场矢量传感器结构简单，实现了芯片的小型化和集成化；所述制作工艺，操作简单，易于实现，适合规模化工业应用。
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公开(公告)号：CN114858051B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202110502063.7
申请日：2021-05-08
Applicant: 黑龙江大学
IPC: G01B7/30
Abstract: 本发明公开了一种角度传感器及其制作工艺，所述角度传感器包括嵌套设置的转子(1)和定子底座(2)，在所述转子(1)的上表面设置有传感器防护板(3)，在所述定子底座(2)的中心设置有磁敏感单元，所述转子(1)以磁敏感单元为中心绕定子底座，实现360°的转动。所述第一磁敏感单元以多层膜巨磁电阻作为主要磁敏感元件，第二磁敏感单元为霍尔元件。本发明公开的角度传感器制作工艺，通过微电子工艺和磁控溅射方法相结合，并结合3D打印技术实现了传感器的封装，操作简单，可实现传感器的小型化，易于批量生产，在汽车转向系统、风速测量、流速测量等方面皆有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN107091996B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201710295965.1
申请日：2017-04-28
Applicant: 黑龙江大学
Abstract: 本发明公开了一种复合磁场传感器及其制作工艺，其中，所述复合磁场传感器包括磁敏三极管和复合在磁敏三极管上的遂穿磁敏电阻(TMR)；其中，所述磁敏三极管的集电区设置于发射区的上方，所述基区设置于发射区和集电区的一侧，且所述基区制作在硅腐蚀坑内，提高了基区载流子注入能力，进而提高磁敏三极管的磁敏特性；本发明所述制作工艺将微电子机械加工技术(MEMS)、双极型工艺和纳米薄膜制备技术相结合，得到所述复合磁场传感器。本发明所述复合磁场传感器将磁敏三极管与遂穿磁敏电阻进行有效结合，兼具磁敏三极管的较强磁场检测性能以及遂穿磁敏电阻的弱磁场检测性能，实现了对磁场的宽量程检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114858051A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110502063.7
申请日：2021-05-08
Applicant: 黑龙江大学
IPC: G01B7/30
Abstract: 本发明公开了一种角度传感器及其制作工艺，所述角度传感器包括嵌套设置的转子(1)和定子底座(2)，在所述转子(1)的上表面设置有传感器防护板(3)，在所述定子底座(2)的中心设置有磁敏感单元，所述转子(1)以磁敏感单元为中心绕定子底座，实现360°的转动。所述第一磁敏感单元以多层膜巨磁电阻作为主要磁敏感元件，第二磁敏感单元为霍尔元件。本发明公开的角度传感器制作工艺，通过微电子工艺和磁控溅射方法相结合，并结合3D打印技术实现了传感器的封装，操作简单，可实现传感器的小型化，易于批量生产，在汽车转向系统、风速测量、流速测量等方面皆有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN113488587A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110328498.4
申请日：2021-03-26
Applicant: 黑龙江大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种CRS阻变存储器及其制备方法，所述阻变存储器包括衬底(1)和设置在其上方的阻变单元，所述阻变单元包括由下至上依次设置的底电极(2)、中间层和顶电极(3)，所述阻变单元具有一个或多个。本发明提供的CRS阻变存储器，采用氧化石墨烯和银纳米粒子构成中间层，与顶电极和底电极构成一个或多个阻变单元，表现出CRS特性，有效解决了Crossbar阵列中未被选择单元的潜通路电流问题。本发明提供的CRS阻变存储器的制备方法，操作简单，成本低廉，易于实现阻变存储器单元的小型化和集成化，适合规模化工业应用。
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公开(公告)号：CN110632538B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201910894125.6
申请日：2019-09-20
Applicant: 黑龙江大学
Abstract: 本发明公开了一种磁场/加速度集成传感器和集成化工艺方法，所述传感器包括设置在同一芯片上的磁场传感器和加速度传感器，磁场传感器磁敏感单元包括硅磁敏三极管和霍尔磁场传感器，其中，霍尔磁场传感器以原位掺杂纳米硅薄膜nc‑Si:H(n+)作为磁敏感层，加速度传感器敏感单元主要为原位掺杂的纳米多晶硅薄膜电阻，可实现对三维磁场和三轴加速度的同时测量。本发明基于微电子机械加工技术在SOI晶圆器件层上完成集成传感器芯片制作，并通过键合工艺和内引线压焊技术实现芯片封装，具有体积小、易于批量生产等特点。
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公开(公告)号：CN112635663A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201910955015.6
申请日：2019-10-09
Applicant: 黑龙江大学
Abstract: 一种基于大豆蛋白的阻变存储器及其制备方法和应用，属于电子技术以及存储器器件技术领域。本发明为了解决现有阻变存储器无法实现存算一体逻辑门的构建问题。本发明将大豆蛋白薄膜作为阻变存储器的活性层，溅射有氧化铟锡薄膜的聚对苯二甲酸乙二醇酯作为衬底，镁作为上电极，获得大豆蛋白阻变存储器。本发明制得的阻变存储器的阻变特性是初始态就处于高导态，当外加电压不断增大，到达一定值后，电流发生两次突然地降低，表现出负阻效应，且阻态的跃变发生了两次，这种阻变特性为逻辑门的构建提供基础。该阻变存储器不仅能够存储数据，还能够处理数据。与传统的的冯诺依曼体系相比，本发明不仅可以作为信息存储的单元，还可以作为逻辑门处理数据。
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公开(公告)号：CN111653665A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201910839059.2
申请日：2019-09-05
Applicant: 黑龙江大学
Abstract: 本发明公开了一种阻变存储器及其集成化制作工艺方法，所述存储器包括衬底(1)和设置在其上的单个或多个阻变单元，其中，所述阻变单元包括依次设置的底电极(2)、阻变层(3)和顶电极(4)，所述阻变层(3)为Li掺杂ZnO薄膜(ZnO:Li)，显著提升阻变存储器的性能，使其具有长的保持时间和优异的耐久性。所述集成化制作工艺方法通过射频磁控溅射法和剥离工艺相结合，实现芯片集成化工艺制作，操作简单，且能够实现阻变存储器的大面积、高一致性和集成化制造，降低了制造成本。
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