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公开(公告)号：CN119545809A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202311098199.1
申请日：2023-08-29
Applicant: 黑龙江大学
Abstract: 本发明公开了一种忆阻器，包括衬底和设置在衬底上方的阻变单元，所述阻变单元包括由下至上依次设置的底电极、第二阻变层、中间电极层、第一阻变层和顶电极。本发明还公开了一种基于忆阻器实现二值布尔逻辑的方法，包括：设置逻辑状态表，逻辑表中设置有不同逻辑代码；根据逻辑状态表，初始化忆阻器；根据逻辑状态表，将变量写入忆阻器；根据逻辑状态表，读取忆阻器的变量，读取同时对忆阻器中变量进行改变，获得逻辑结果。本发明公开的忆阻器及实现二值布尔逻辑方法，制备方法操作简单，成本低廉，易于实现小型化和集成化，操作简单，步骤简洁，可以实现所有的16种二值布尔逻辑功能。
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公开(公告)号：CN114190901A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111314381.7
申请日：2021-11-08
Applicant: 黑龙江大学
Abstract: 本发明提供了一种压电式脉搏传感器及其集成化工艺方法，所述压电式脉搏传感器包括力测量结构和抗过载结构，力测量结构安装在抗过载结构上方，力测量结构和抗过载结构均包括力敏感单元，力测量结构还包括柔性覆盖膜，力敏感单元包括弹性衬底、压电结构等组成。在脉搏力作用下，通过柔性覆盖膜将力传导至弹性衬底上，使其发生弹性形变，进而使压电结构产生相应输出电荷，实现脉搏力大小的测量。本发明采用双层力敏感单元堆叠的方式，在所测力过大时，抗过载结构对力测量结构进行支撑保护及过载报警。本发明所述的压电式脉搏传感器可实现人体腕部脉搏的多点独立测量，具有无源、动态响应性好、准确性高等特点，同时，其制作工艺简单，可批量生产。
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公开(公告)号：CN111653665B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN201910839059.2
申请日：2019-09-05
Applicant: 黑龙江大学
Abstract: 本发明公开了一种阻变存储器及其集成化制作工艺方法，所述存储器包括衬底(1)和设置在其上的单个或多个阻变单元，其中，所述阻变单元包括依次设置的底电极(2)、阻变层(3)和顶电极(4)，所述阻变层(3)为Li掺杂ZnO薄膜(ZnO:Li)，显著提升阻变存储器的性能，使其具有长的保持时间和优异的耐久性。所述集成化制作工艺方法通过射频磁控溅射法和剥离工艺相结合，实现芯片集成化工艺制作，操作简单，且能够实现阻变存储器的大面积、高一致性和集成化制造，降低了制造成本。
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公开(公告)号：CN111238714B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202010103197.7
申请日：2020-02-19
Applicant: 黑龙江大学
Abstract: 本发明公开了一种微压传感器及其制作工艺方法，所述微压传感器包括SOI衬底，在所述SOI衬底上设置有弹性元件和敏感元件，以实现对外加微压的测量；其中，弹性元件包括弹性硅膜和四个梯形梁结构，敏感元件为梯形梁结构上四个压敏电阻构成的惠斯通电桥结构。本发明通过微电子机械加工技术在SOI晶圆上制作弹性硅膜、四个梯形梁结构和四个压敏电阻，具有集成化和小型化的特点，构成的微压传感器能够实现对外加压力的检测且能实现微压测量。
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公开(公告)号：CN111880130B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202010657902.8
申请日：2020-07-09
Applicant: 黑龙江大学
Abstract: 本发明公开了一种空间磁场矢量传感器及其制作工艺方法，所述传感器包括第一磁敏感结构和第二磁敏感结构，第二磁敏感结构设置在第一磁敏感结构中，二者的磁敏感方向正交且磁敏感中心重合。其中，所述第一磁敏感结构由磁敏三极管及负载电阻构成的两对差分结构组成，形成x轴、y轴磁敏感单元，可实现xy平面内磁场分量测量；所述第二磁敏感结构由磁敏三极管及负载电阻构成的一对差分结构组成，形成z轴磁敏感单元，可实现z方向磁场分量测量。本发明公开的传感器制作工艺方法，包括制备第一磁敏感结构和第二磁敏感结构，并将第二磁敏感结构嵌入第一磁敏感结构中。该方法可实现空间磁场矢量传感器芯片制作，具有各磁敏感方向磁敏特性一致性好等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112635662A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201910954291.0
申请日：2019-10-09
Applicant: 黑龙江大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种响应温度刺激的阻变存储器的制备方法，属于电子技术以及存储器器件技术领域。本发明为了解决现有阻变存储器无法实现外界温度刺激的响应的问题。本发明将果胶水溶液滴涂在聚对苯二甲酸乙二醇酯衬底上真空蒸镀的铝薄膜上，铝作为上电极，获得响应温度的阻变存储器。本发明制得的阻变存储器在外界温度的刺激下可实现阻变存储器三稳态到双稳态转换的特性响应，拓展了调控阻变存储器特性的手段，为实现阻变存储器的温控特性调制提供了可能，进而可以更好的应用于智能存储等新兴领域。并且本方法制备的阻变存储器的功能层所用原料为果胶，相比于使用重金属粒子掺杂得到功能层，对环境更加友好，且该阻变存储器的开关比高、性能稳定。
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公开(公告)号：CN109856425A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201810362459.4
申请日：2018-04-20
Applicant: 黑龙江大学
Abstract: 本发明公开了一种单片集成三轴加速度传感器及其制作工艺，其中，采用微电子机械加工技术方法，利用4个双L型梁、两个质量块、中间双梁作为弹性元件，所述两个质量块将感受的加速度信息(ax、ay、az)转换为弹性元件形变，引起所述由弹性元件根部12个压敏电阻构成的3个惠斯通电桥结构输出电信号发生变化，可分别实现三个方向加速度(ax、ay、az)检测；并且，通过优化4个双L型梁和两个质量块、中间双梁尺寸，优选后三个检测电路检测对应加速度具有较好一致性。
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公开(公告)号：CN102243126B
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201110093983.4
申请日：2011-04-14
Applicant: 黑龙江大学
Abstract: 纳米硅薄膜晶体管压力传感器，属于传感器技术领域。它解决了现有压力传感器存在零点漂移的问题。它由第一纳米硅薄膜晶体管、第二纳米硅薄膜晶体管、第三纳米硅薄膜晶体管、第四纳米硅薄膜晶体管和单晶硅衬底组成，第一纳米硅薄膜晶体管的漏极连接电源VDD，第四纳米硅薄膜晶体管的源极接地GND；第二纳米硅薄膜晶体管的源极引出端作为第一输出电压端VOUT1，第一纳米硅薄膜晶体管的源极引出端作为第二输出电压端VOUT2；四个纳米硅薄膜晶体管均设置在单晶硅衬底上，单晶硅衬底的背面为C型硅杯结构，四个纳米硅薄膜晶体管沟道电阻构成惠斯通电桥结构。本发明用于压力检测。
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公开(公告)号：CN101630662B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200910072709.1
申请日：2009-08-20
Applicant: 黑龙江大学
Inventor： 温殿忠
IPC: H01L21/8256 , H01L51/00
Abstract: 蛋白质结构快速开关忆阻器阵列的制作方法，它涉及蛋白质结构忆阻器阵列的制作方法。本发明解决了现有的忆阻器模型制作方法存在的制作成本高及制作得到的忆阻器制造模型的开关速度低的问题。本发明方法是采用微电子技术和生化技术相结合的方法在半导体材料上固定上牛免疫球蛋白质，并制作得到生物细胞膜，继而制作得到蛋白质结构快速开关忆阻器阵列；本发明纳米结构忆阻器阵列的制作方法简单，所使用的原料价格便宜，制作成本低，制作得到的忆阻器阵列开关速度更快。
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公开(公告)号：CN113985329B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202111117431.2
申请日：2021-09-23
Applicant: 黑龙江大学
IPC: G01R33/032
Abstract: 本发明公开了一种空间磁场发生器装置以及采用其的空间磁场产生方法，该装置包括磁场发生器单元(1)、360°角度转盘单元(2)和待测芯片测试台(3)，所述磁场发生器单元(1)、360°角度转盘单元(2)和待测芯片测试台(3)均由控制单元控制，以实现对待测芯片施加空间磁场。本发明提供的空间磁场发生器装置结构简单，操作方便，能够在xy平面、xz平面、yz平面和任意平面内对待测芯片进行固定磁场加载。通过控制单元可实现磁场发生器单元产生的磁场大小和旋转平台旋转角度自动化控制，精度高、误差小。
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