公开(公告)号：CN101958226A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200910054803.4

申请日：2009-07-14

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 居建华 ,  刘兵武 ,  神兆旭

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明中公开了一种改善半导体元器件性能的方法，该方法包括：预先指定半导体元器件制造工艺中的至少一个工艺过程；对所述预先指定的工艺过程进行降低热预算的操作，降低整个制造工艺中的热预算的总量，改善半导体元器件性能。通过使用上述的改善半导体元器件性能的方法，可减小SCE和NWE对半导体元器件所产生的不利影响，改善半导体元器件的性能。

公开(公告)号：CN101593696B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200810112779.0

申请日：2008-05-26

Applicant: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

Inventor： 神兆旭

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/28

Abstract: 一种半导体器件制造方法，包括：提供基底，包括衬底、位于所述衬底上的栅极、位于所述栅极两侧的衬底内的源区和漏区；形成覆盖所述基底的阻挡层；图形化所述阻挡层，暴露部分基底；对覆盖图形化的阻挡层的基底执行用以修复所述基底的第一热处理操作；形成金属层，所述金属层覆盖经历所述图形化操作后暴露的基底；对具有所述金属层的基底执行用以形成金属硅化物的第二热处理操作。可减少器件内针型漏电流、贯穿漏电流等缺陷的产生。

公开(公告)号：CN101593696A

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200810112779.0

申请日：2008-05-26

Applicant: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

Inventor： 神兆旭

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/28

Abstract: 一种半导体器件制造方法，包括：提供基底，包括衬底、位于所述衬底上的栅极、位于所述栅极两侧的衬底内的源区和漏区；形成覆盖所述基底的阻挡层；图形化所述阻挡层，暴露部分基底；对覆盖图形化的阻挡层的基底执行用以修复所述基底的第一热处理操作；形成金属层，所述金属层覆盖经历所述图形化操作后暴露的基底；对具有所述金属层的基底执行用以形成金属硅化物的第二热处理操作。可减少器件内针型漏电流、贯穿漏电流等缺陷的产生。