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公开(公告)号：CN106876580B
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201710154030.1
申请日：2017-03-15
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种透明柔性的压电式纳米发电机的制备方法，涉及纳米发电机。提供灵活性强，可操作性简单，容易集成耐磨材料，可用于衣服和鞋子，成功将身体的日常运动的机械能转化为电能，为智能服饰的开发和应用提供前提条件的一种透明柔性的压电式纳米发电机的制备方法。在金属衬底直接生长整齐的氧化锌纳米柱阵列，得ZnO/h‑BN/金属复合结构；在ZnO/h‑BN/金属复合结构上旋涂PDMS透明硅胶填充纳米柱阵列，得弹性的氧化锌纳米柱阵列薄膜；去除金属衬底，获得埋藏氧化锌纳米柱阵列的透明PDMS薄膜结构；在PDMS/ZnO薄膜结构连帽压印上金属纳米线网络，退火得纳米焊接网络，做透明电极；连接上下电极至载体，即完发电机的制备。
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公开(公告)号：CN108580924A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810588079.2
申请日：2018-06-08
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种纳米材料液相连续合成方法，1)设计纳米材料连续反应装置；2)配制预反应液；3)通过控制阀自动控制预反应液流进预反应装置中的反应瓶；4)通过微机控制加热炉进行升温反应；5)升温反应完成后，通过控制阀自动控制含有纳米材料的反应液流出反应瓶到收集瓶；6)连续生长前预反应瓶内充分储备多次反应所需的预反应液，使用设计安装好的垂直式连续生长实验设备，重复3)～5)，实现纳米材料的连续生长；7)对纳米材料进行提纯，完成纳米材料液相连续合成。在小体积的恒温加热炉体内，通过系统控制的垂直联通容器和管道，实现程序化连续生长，在较小空间中大幅提高液相合成纳米材料的产量，适用于实验室合成及工业化生产。
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公开(公告)号：CN104532209B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201510039073.6
申请日：2015-01-27
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种在基底上制备晶片级大尺寸六方氮化硼的方法，涉及六方氮化硼。在Cu箔上可控生长六方氮化硼薄层；携带Borazane的气体离开石英管后，将Cu箔衬底弯曲成半圆柱状并折置入石英舟，推入加热温区，抽真空，加热，当温度达到设定值时通入H2，进行表面去氧化物处理，继续升高三区的生长温度，对一区前驱物加热，同时达到设定值一区温度和三区温度时，从石英管中通入H2和Ar输送产生的Borazane气体进入反应腔进行反应，直至Cu箔被完全覆盖,反应结束后取出Cu箔，即在Cu箔上生长大面积六方氮化硼薄层，再旋涂pmma层，溶解掉Cu衬底,将pmma/六方氮化硼薄膜转移到衬底上，再去除样品表面的pmma层，即完成。
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公开(公告)号：CN106835265A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710154036.9
申请日：2017-03-15
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: C30B23/06 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23C16/342 , C30B29/66
Abstract: 一种衬底上直接生长氧化锌纳米柱阵列的方法，涉及氧化锌纳米柱阵列的生长方法。提供制备氧化锌的工艺更加简易和广泛化的一种衬底上直接生长氧化锌纳米柱阵列的方法。通过CVD在衬底表面生长单原子层氮化硼薄膜；采用PMMA辅助法，将氮化硼薄膜转移覆盖于目标衬底表面；去除PMMA保护膜；将覆盖氮化硼薄膜的金属衬底置入反应腔，利用氧化锌纳米柱生长方法，直接生长整齐纳米柱阵列。不仅克服现有氧化锌纳米柱阵列生长过程中衬底选择的局限性，而且成功生长出品质优良的氧化锌纳米柱阵列，使氧化锌纳米柱阵列的制备和应用更趋于简易化和广泛化，可在柔性衬底上直接生长，更有利于在微电子器件上的应用。
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公开(公告)号：CN106594678A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611211603.1
申请日：2016-12-25
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种金属纳米线的透明薄膜LED调光器制备方法，涉及LED调光器。将硅胶弹性基体液和环氧树脂固化剂混合，再压制成弹性透明薄膜，固化后得可拉伸的弹性透明薄膜；将包裹合金的金属纳米线经过超声，离心，使金属纳米线分散在正己烷溶液中，离心后把附着在金属纳米线表面的附着杂物分离，再将得到的纳米线保存在正己烷溶液中备用；将包裹合金的金属纳米线均匀地分布于弹性透明薄膜表面，再将压有金属纳米线的弹性透明薄膜浸泡在乳酸溶液中，然后进行退火处理，即完成导电弹性透明薄膜的制作；将得到的具有导电性的弹性透明薄膜使用导线连接LED光源，即得金属纳米线的透明薄膜LED调光器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104959626A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510385468.1
申请日：2015-06-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种合金包裹铜纳米线制备多功能核壳纳米材料的方法，涉及核壳纳米材料。将Cu纳米线与金属有机盐混溶于十八烯胺溶液中；将反应容器加热，第一阶段，将反应容器内溶液温度加热至80～120℃后，通入N2，恒温加热10～20min；第二阶段，当金属有机盐为乙酰丙酮镍或乙酰丙酮锌时，反应温度为180～210℃；当金属有机盐为乙酰丙酮钒或乙酰丙酮钛时，反应温度为140～170℃；当反应溶液的温度由80～120℃达到设定温度后，恒温加热30～60min，反应结束；待反应溶液冷却，加入正己烷溶液，超声，将溶液转移至离心管中离心，纳米线固体沉积在离心管底部，将离心管中上层溶液倒掉即得完成包裹后的Cu纳米线。
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公开(公告)号：CN103137799A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201310030135.8
申请日：2013-01-27
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种陡峭界面GaN/AlGaN超晶格的制备方法，涉及一种超晶格结构。利用界面引入超薄阻挡－补偿插层方法，在金属有机物MOCVD生长的GaN/AlGaN超晶格的界面进行特殊处理，有效阻挡高温下界面金属元素扩散效应，以获得超陡峭、对称界面，使量子阱更为接近方势阱，增强量子限制效应。它通过调控外延生长参数特别是组分参数以实现超薄阻挡－补偿对层的插入，在MOCVD生长同时即可完成界面超陡处理。运用该方法外延生长的GaN/AlGaN超晶格结构的界面陡峭度可提高35％以上，克服了不同界面陡峭度的不对称性，大大提高了异质界面的质量，并使超晶格发光效率得到有效提升。
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公开(公告)号：CN1699979A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200510078721.5
申请日：2005-06-03
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N23/227 , G01N1/34
Abstract: 纳米级高分辨应力测量方法，涉及一种应力测量方法，提供一种基于俄歇电子能谱仪，以电子作为测量的激发源，可获得高空间分辨的应力分布值的微区应力测量方法。其步骤为确定元素分析和零应力点，用俄歇能谱确定样品的化学元素成分和比例，并以样品的1个本质元素选择一个零应力点搜取其标准谱，作为应力零点标定；利用搜取的零应力点标准谱确定拟合参数得优化拟合理论俄歇谱；建立应力标定曲线后，根据确立的俄歇移动和应力的标定曲线得微区应力值。灵活性强，可根据样品需要建立特殊的模型进行计算，也可建立所有化合物元素的应力变化标定曲线的数据库。得到的空间分辨率和采用的俄歇电子能谱仪一致，可达到纳米量级。
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公开(公告)号：CN116676663A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310542612.2
申请日：2023-05-15
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及半导体生长技术领域，特别涉及一种悬空二维材料的非衬底耦合低密度外延方法及外延结构。其中，一种悬空二维材料的非衬底耦合低密度外延方法，关键技术如下：提供介质衬底，通过刻蚀形成大范围占空比与高纵向孔深的均匀规则化镂空衬底；通过雾化无损干转移法将二维材料层转移并利用占沿表面张力覆盖于镂空衬底表面；其中空孔部分形成下方非衬底耦合的悬空二维薄膜外延区；将悬空非耦合衬底放入半导体材料生长反应腔中，采用先预成核后高迁移外延的二步模式循环生长，利用悬空非衬底耦合区表面的高迁移率，外延低密度高质量半导体薄膜。本发明可以获得低密度高质量的半导体外延薄膜，制备方法简单，省时高效，具有广阔的工业化前景。
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公开(公告)号：CN113526507B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202110651786.3
申请日：2021-06-11
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B32/921 , C01B21/076 , B22F9/24 , B22F1/054 , H01B1/02 , H01B5/14
Abstract: 本发明涉及MXene材料技术领域，特别涉及一种新型MXene金属纳米复合材料、制备方法及应用，其中，一种新型MXene金属纳米复合材料，包括若干MXene材料层；负载于所述MXene材料层间的金属纳米线；本发明提供的一种新型MXene金属纳米复合材料，金属纳米线插层负载于MXene材料层间，MXene材料层的表面及层间的金属纳米线可以随意组合成金属纳米线网络，不仅能够起到MXene层间支撑的作用，避免了MXene材料层间塌陷的问题，使MXene材料暴露出更多的比表面积，提供更多的活性位点以及层间储能空间，进而提升MXene金属纳米复合材料在实际应用中的导电性、电化学性能和稳定性。
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