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公开(公告)号：CN117220539A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311150123.9
申请日：2023-09-07
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米异质核壳结构的晶格曲变发电机及其制备方法，其结构包括柔性基底，柔性基底上设有金属纳米异质材料层，金属纳米异质材料层为纳米异质核壳结构交连的网络层，纳米异质核壳结构包括长径比＞1的金属纳米材料核芯及介质壳层，介质壳层包覆金属纳米材料核芯表面，金属纳米材料核芯作为第一电极；金属纳米异质材料层上设有第二电极。本发明所设计纳米异质结构，可以利用介质壳层晶格在按压、弯曲等外力作用下，形成晶格曲变产生的应变梯度，诱导出极化电荷并输出电流。该结构对固态电介质材料形成的介质壳层均有效，产生稳定的性能输出，制备工艺简单，成本较低，对应变能的电能量采集等方面具有重要应用潜力。
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公开(公告)号：CN114806207B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202210447864.2
申请日：2022-04-26
Applicant: 厦门大学
IPC: C08L101/00 , C08K3/38 , H02N2/18
Abstract: 本发明涉及纳米发电机领域，特别涉及一种正交取向化二维复合材料、制备方法与柔性纳米发电机。其中，一种正交取向化二维复合材料，由氮化硼纳米片与紫外固化胶混合，后经电场正交取向化，并进行紫外固化制得，所述氮化硼纳米片由氮化硼粉末经超声液相剥离后筛选得到，正交电场施加平行于发电薄膜法向方向。本发明提供的柔性纳米发电机，采用紫外固化胶固化的正交取向氮化硼纳米片，配合上下电极，最终制得的纳米发电机具有高输出电压，最高能达到50～60V，电流可超过100nA，性能突出，柔性稳定，并且柔性纳米发电机整体制备过程简便，具有大规模推广应用的潜力。
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公开(公告)号：CN113567510B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202110651789.7
申请日：2021-06-11
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明涉及传感器技术领域，特别涉及一种MXene基复合金属纳米点结构气体传感器的制备方法，包括以下步骤：将MXene材料与至少两种金属前驱体在分散剂中混合，在反应条件下完成金属纳米点在所述MXene材料上的自组装原位生长；将完成金属纳米点在所述MXene材料上原位生长的复合材料均匀转移至衬底上后进行真空退火，以使所述MXene材料与所述金属纳米点形成焊接紧密接触；在所述复合材料两侧引入金属电极，制成电阻型气体传感器；多层状的MXene材料可以形成气体捕获器，负载于MXene材料上的金属纳米点增强了对流通气体的捕获，引起电阻发生变化从而进行气体传感，提高了气体传感的响应速度和稳定性。
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公开(公告)号：CN115172510A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210803970.X
申请日：2022-07-07
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H04B13/02 , H01L31/0304 , H01L31/0264
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造技术领域，特别涉及一种水电解液的水下通信探测器及其制造方法，探测器包括主探测极板；光响应网络层，形成于所述主探测极板上；所述光响应网络层为复合纳米线组成的一维纳米网络，所述复合纳米线具有吸收外部光子以产生光生电子和光生空穴的功能；辅极板，通过外部电路与主探测极板电连接。本发明提供的探测器以具有光子吸收功能的复合纳米线构成一维光响应网络层，能够提供更大的固液反应界面以及为光生电子转移提供一维的转移通道，不仅能实现自供电，还能有效保护核芯材料；且直接采用水作为电解液，无需防水封装，就能够实现在深海水中长期稳定的循环工作。该器件响应时间短、响应度高，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN114875660A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210540527.8
申请日：2022-05-17
Applicant: 厦门大学
IPC: D06M11/83 , D06M13/513 , D06M10/02 , D06M13/144 , D06M13/127 , D06B3/10 , D06M101/06 , D06M101/32 , D06M101/34 , D06M101/20 , D06M101/40
Abstract: 本发明涉及导电纺织物领域，特别涉及一种介导金属纳米线直接吸裹的导电纺织布及其制备方法，其中，采用该制备方法可获得高质量的导电纺织布，具体为将纺织布依次经过氧等离子处理和硅烷偶联剂改性处理获得金属介种吸附位点；纺织布置于有机液相反应溶液并在纤维表面静止种入金属纳米介导颗粒；纯化后进入第二阶段，金属纳米线网络直接在纺织布表面的介导生长及网络吸裹反应，获得全纤维吸裹金属纳米线网络的导电纺织布。该方法可一次性直接在任何纤维纺织布上做原位金属纳米线网络化吸裹，并获得性能优良的导电纺织材料，可应用于未来可穿戴及智能纺织品，以及电子服饰生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113880189B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202111092041.4
申请日：2021-09-17
Applicant: 厦门大学
IPC: C02F1/32
Abstract: 本发明涉及动态水杀菌消毒设备，特别涉及一种差速式对称破缺结构及深紫外过流水杀菌器，其中差速式对称破缺结构具有一内腔，差速式对称破缺结构的上端面上设有入水口和出水口，入水口直接与内腔相连通；出水口连接一出水细管并延伸至接近下端面，利用出水细管直径与内腔直径的大幅度差异，形成进水降速和出水加速的差速式结构；且入水口须略偏离上端面对称中心设置、出水口则处于上端面对称中心的最远点处，从而形成对称破缺结构。利用对称破缺，有效实现水流双回旋从而增长流体及细菌在腔体内的停留时间。应用于深紫外过流水杀菌器，在保证高流速的情况下，扩充了现有技术在探究入水口和出水口设置对于杀菌效果影响的空白，大幅提升了杀菌效率。
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公开(公告)号：CN112331747A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011288517.7
申请日：2020-11-17
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种全色Micro/Nano LED阵列直接外延方法和结构，包括：1)在衬底外延生长缓冲层、非故意掺杂层以及n型层；2)在n型层上沉积第一介质层，在第一介质层上制作第一组微米或纳米孔阵列，在制成的第一组微米或纳米孔阵列内外延生长第一发光单元；3)制作第二介质层，并在该第二介质层上制作第二组微米或纳米孔阵列，在制成的第二组微米或纳米孔阵列内外延生长第二发光单元；4)制作第三介质层，并在该第三介质层上制作第三组微米或纳米孔阵列，在制成的第三组微米或纳米孔阵列内外延生长第三发光单元；5)使用化学溶液，将介质层腐蚀清除，露出发光单元。本发明避免了巨量转移的难题，可直接外延生长全色Micro/Nano LED阵列，具有巨大应用潜力。
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公开(公告)号：CN111910171A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010455859.7
申请日：2020-05-26
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种电场和/或磁场合成二维材料的装置和方法，于二维材料合成的反应腔内设置磁场产生装置和/或电场产生装置以及高温高真空保护装置，使气态分子、固体粒子或等离子体在磁场和/或电场调控下沉积于衬底上形成二维材料，调控方式包括加速前驱物分解、定向移动气态分子、固体粒子或等离子体和调控二维材料在衬底上的成核位点和晶粒取向，提高二维材料合成所需衬底的选择性，提高二维材料合成速率，可低温、快速合成高质量二维材料。
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公开(公告)号：CN106835265B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201710154036.9
申请日：2017-03-15
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种衬底上直接生长氧化锌纳米柱阵列的方法，涉及氧化锌纳米柱阵列的生长方法。提供制备氧化锌的工艺更加简易和广泛化的一种衬底上直接生长氧化锌纳米柱阵列的方法。通过CVD在衬底表面生长单原子层氮化硼薄膜；采用PMMA辅助法，将氮化硼薄膜转移覆盖于目标衬底表面；去除PMMA保护膜；将覆盖氮化硼薄膜的金属衬底置入反应腔，利用氧化锌纳米柱生长方法，直接生长整齐纳米柱阵列。不仅克服现有氧化锌纳米柱阵列生长过程中衬底选择的局限性，而且成功生长出品质优良的氧化锌纳米柱阵列，使氧化锌纳米柱阵列的制备和应用更趋于简易化和广泛化，可在柔性衬底上直接生长，更有利于在微电子器件上的应用。
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公开(公告)号：CN108559973A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201711485913.7
申请日：2017-12-29
Applicant: 厦门大学
IPC: C23C16/44 , C23C16/34 , H01L21/205 , H01L21/02
CPC classification number: C23C16/44 , C23C16/342 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/205
Abstract: 一种二维六方氮化硼薄膜掺杂获得p型电导的方法，涉及半导体薄膜p型电导。设置三温区双管路化学气相沉积系统；第一温区第一管路放置BN前驱物，第二温区第二管路放置Mg源前驱物，第三温区放置反应衬底；生长阶段开始前先将真空度控制至低于10-4torr；氢气和氩气的氛围中对衬底进行800～1000℃退火处理；三温区分别加温至设置温度，第一温区为低温区，温度70～100℃；第二温区为中温区，温度400～900℃；第三温区为高温反应区，温度900～1200℃；第一管路和第二管路通载气，携带前驱物和杂质源至反应区混合反应；生长结束，在保护气体中自然冷却到室温，得二维六方氮化硼薄膜掺杂获得p型电导。
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