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公开(公告)号:CN1892834A
公开(公告)日:2007-01-10
申请号:CN200610094258.8
申请日:2006-06-28
IPC: G11B5/84 , H01L21/3065 , C23F1/00
CPC classification number: G03F7/0002 , B08B7/0092 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G11B5/8404 , G11B5/855
Abstract: 根据一个实施例,一种制造用于离散磁道记录介质的基底的方法,该方法包括以下步骤:在基底(11,31,41,51)上形成压印抗蚀剂层(12,32,42,52);在所述压印抗蚀剂层(12,32,42,52)上压印具有与记录磁道区和伺服区对应的凸起和凹陷的图形的压模(13,15),以将所述凸起和凹陷的图形转移到所述压印抗蚀剂层(12,32,42,52);从所述压印抗蚀剂层(12,32,42,52)除去所述压模(13,53);以及在压力设定为2至5atm的处理室中扩散液化的CO2,在压力设定为0.01至1atm的处理室中扩散液化的H2O,或在设定为任意压力的处理室中扩散选自液化CF4、CHF3、SF6和C2F6的反应气体,以将所述液化气体喷射到所述基底(11,31,41,51)的表面上。
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公开(公告)号:CN1892831A
公开(公告)日:2007-01-10
申请号:CN200610094232.3
申请日:2006-06-27
Abstract: 一种磁记录装置,包括:磁记录介质(11),所述磁记录介质包括基底(21),所述基底具有与伺服区域和数据区域对应的凸起和凹陷,还包括沉积在基底上的磁性层(23);以及,读/写磁头,其包括一对磁屏蔽罩(31)和巨磁阻元件(32),其中介质(11)上的磁道间距在20nm至300nm之间,磁记录介质(11)的线速度为11m/s,以及当将磁屏蔽罩(31)至介质(11)的凸起上的磁性层(23)间的距离定义为“m”,而将介质(11)伺服区域的凸起和凹陷上的磁性层(23)间的距离定义为“d”时,则满足下列条件即d/m在0.2至3之间。
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公开(公告)号:CN1892830A
公开(公告)日:2007-01-10
申请号:CN200610094224.9
申请日:2006-06-27
CPC classification number: G11B5/7315
Abstract: 一种磁记录介质包括:具有记录磁道(11)和隔离记录磁道(11)的隔离区域(12)的基底(1),有凸起和凹陷图形形成于其上的隔离区域(12),以及沉积在基底(1)上的记录薄膜(2,3),其中,记录磁道(11)顶部和隔离区域(12)底部间的高度差大于等于2nm且小于等于7nm,记录磁道(11)顶部和隔离区域(12)底部间的高度差大于等于10nm。
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公开(公告)号:CN1841514A
公开(公告)日:2006-10-04
申请号:CN200610074110.8
申请日:2006-03-28
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 一种离散磁道介质,其具有非磁性基板,和设置在非磁性基板上并包括含记录磁道的数据区域和含前导区、地址区和分帧区的伺服区域的磁性记录层,该数据区域和伺服区域包括形成突起的铁磁性层图案和填充在铁磁性层图案之间的凹口中的非磁性材料,其中填充在数据区域的凹口中的非磁性材料的高度低于填充到分帧区凹口中的非磁性材料的高度。
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公开(公告)号:CN1822110A
公开(公告)日:2006-08-23
申请号:CN200610003707.3
申请日:2006-02-05
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/65
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 一种磁记录设备具有磁记录介质,该磁记录介质包括基板和包含基板上的磁性图形的磁性层,所述磁性层包括构成记录磁道和伺服区的数据区,所述伺服区的磁性图形被用作地址位,以及构造成在磁记录介质上飞行时从磁记录介质读取信号的磁头,其中,在相应于两个相邻记录磁道的伺服区上的两个用作地址位的磁性图形以一个磁性图形的一角最接近于另一个磁性图形的一角这样的方式排列的情况下,两个磁性图形的角基本彼此分离。
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公开(公告)号:CN1741135A
公开(公告)日:2006-03-01
申请号:CN200510087678.9
申请日:2005-07-29
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 一种磁记录装置,包括磁记录介质、旋转磁记录介质的主轴马达、包括使用巨磁阻元件的读头的浮动头滑动块、在磁记录介质上移动头滑动块的致动器、容纳上述构件的底盘和在50nm或更小的距离内交替地面向读头通过金属部分和介电部分的放电机构。
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公开(公告)号:CN1713276A
公开(公告)日:2005-12-28
申请号:CN200510074222.9
申请日:2005-05-31
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B5/012 , G11B5/72 , G11B5/743 , G11B5/82 , G11B5/855 , G11B2005/0029 , Y10T428/1164
Abstract: 通过在不恶化其电磁变换特性的情况下,容易地图形化磁记录层,通过在磁记录层(2)与光致抗蚀剂(3)之间形成基于硅的保护膜以及通过进行干蚀刻和氧等离子处理,获得磁记录介质。
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