公开(公告)号：CN103367820B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201310114649.1

申请日：2013-04-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 野村真澄 ,  野田耕生

IPC: H01M10/42

CPC classification number: H02J7/0031 ,  H02J7/0068 ,  H02J2007/0037

Abstract: 本发明的目的之一是提供一种降低了电池组的保护电路中的电流截断用开关所使用的晶体管的泄漏电流的安全且长使用寿命的保护电路模块及电池组。本发明的一个方式是一种保护电路模块，其包括保护电路、充电控制用开关以及放电控制用开关。充电控制用开关及放电控制用开关与保护电路电连接。保护电路检测二次电池的电压并将其与预定电压进行比较，并根据上述比较结果对充电控制用开关或放电控制用开关输出控制信号，以便使充电控制用开关或放电控制用开关变为开启或关闭。充电控制用开关及放电控制用开关具有：包括氧化物半导体的晶体管；以及与包括氧化物半导体的晶体管并联的二极管。

公开(公告)号：CN102376583B

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201110234368.0

申请日：2011-08-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 野田耕生 ,  佐佐木俊成

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/465 ,  H01L21/477 ,  H01L22/10 ,  H01L29/401 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。制造具有优良的电特性的晶体管。在衬底之上形成氧化物绝缘膜，在该氧化物绝缘膜之上形成氧化物半导体膜，然后在使氧化物半导体膜中所含有的氢解除吸附并且使氧化物绝缘膜中所含有的部分氧解除吸附的温度下执行热处理，然后将所加热的氧化物半导体膜蚀刻成预定形状以形成岛形氧化物半导体膜，在该岛形氧化物半导体膜之上形成电极对，在该电极对和岛形氧化物半导体膜之上形成栅极绝缘膜，以及在栅极绝缘膜之上形成栅电极。

公开(公告)号：CN102598283B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201080050485.5

申请日：2010-08-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  野田耕生 ,  坂仓真之 ,  及川欣聪 ,  丸山穗高

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L23/5329 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的一个目的是制造含有电特性稳定的薄膜晶体管的高度可靠的半导体器件。覆盖薄膜晶体管的氧化物半导体层的绝缘层含有硼元素或铝元素。通过使用含有硼元素或铝元素的硅靶或氧化硅靶的溅射法来形成含有硼元素或铝元素的绝缘层。可选地，含有替代硼元素的锑(Sb)元素或磷(P)元素的绝缘层覆盖薄膜晶体管的氧化物半导体层。

公开(公告)号：CN102906881B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201180025311.8

申请日：2011-04-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 远藤佑太 ,  佐佐木俊成 ,  野田耕生 ,  佐藤瑞穗

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的是制造一种半导体装置，其中在使用氧化物半导体的晶体管中，电特性的变动小且可靠性高。作为形成沟道的氧化物半导体层的基底绝缘层，使用通过加热从其放出氧的绝缘层。从该基底绝缘层放出氧，由此可以降低该氧化物半导体层中的氧缺乏及该基底绝缘层与该氧化物半导体层之间的界面态。从而，可以制造电特性的变动小且可靠性高的半导体装置。

公开(公告)号：CN105070761A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510405528.1

申请日：2010-07-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大原宏树 ,  佐佐木俊成 ,  野田耕生 ,  桑原秀明

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明涉及显示装置，特别地，本发明的目的之一在于提供一种具有能够充分降低布线间的寄生电容的结构的半导体装置。在与栅电极层重叠的氧化物半导体层的一部分上形成用作沟道保护层的氧化物绝缘层。在与该氧化物绝缘层的形成相同的步骤中，形成覆盖氧化物半导体层的边缘部的氧化物绝缘层。覆盖氧化物半导体层的边缘部的氧化物绝缘层将栅电极层与形成在该栅电极层上方或边缘的布线层之间的距离拉大，从而可以降低寄生电容。

公开(公告)号：CN102473735B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201080034955.9

申请日：2010-07-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大原宏树 ,  佐佐木俊成 ,  野田耕生 ,  桑原秀明

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1337 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136277 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/24 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的之一在于提供一种具有能够充分降低布线间的寄生电容的结构的半导体装置。在与栅电极层重叠的氧化物半导体层的一部分上形成用作沟道保护层的氧化物绝缘层。在与该氧化物绝缘层的形成相同的步骤中，形成覆盖氧化物半导体层的边缘部的氧化物绝缘层。覆盖氧化物半导体层的边缘部的氧化物绝缘层将栅电极层与形成在该栅电极层上方或边缘的布线层之间的距离拉大，从而可以降低寄生电容。

公开(公告)号：CN102640279B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201080050571.6

申请日：2010-10-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 盐野入丰 ,  野田耕生

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1225

Abstract: 一个目的是提供一种具有减少的待机功率的半导体器件。包含氧化物半导体作为有源层的晶体管被用作开关元件，并通过该开关元件来控制电源电压向集成电路中的电路的供应。具体地说，当该电路处于动作状态时，通过该开关元件进行电源电压向该电路的供应，并且当该电路处于停止状态时，通过该开关元件停止电源电压向该电路的供应。另外，供应有电源电压的该电路包括用半导体形成的作为集成电路中所含的最小单位的半导体元件。此外，该半导体元件中所含的半导体包含具有结晶性的硅(晶体硅)。

公开(公告)号：CN102668062A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201080047983.4

申请日：2010-10-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  津吹将志 ,  野田耕生 ,  丰高耕平 ,  渡边一德 ,  原田光

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G06F15/76 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1108 ,  H01L27/1112 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L28/60 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78696

Abstract: 一个目的是提供一种存储器装置，其中包括能够由具有低截止态电流的薄膜晶体管没有问题地来操作的存储器元件。所提供的是一种存储器装置，其中包括包含氧化物半导体层的至少一个薄膜晶体管的存储器元件配置成矩阵。包括氧化物半导体层的薄膜晶体管具有高场效应迁移率和低截止态电流，并且因而能够有利地没有问题地来操作。另外，功率消耗能够降低。在包括氧化物半导体层的薄膜晶体管设置在显示装置的像素中的情况下，这种存储器装置特别有效，因为存储器装置和像素能够在一个衬底之上形成。

公开(公告)号：CN102473735A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080034955.9

申请日：2010-07-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大原宏树 ,  佐佐木俊成 ,  野田耕生 ,  桑原秀明

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1337 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136277 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/24 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的之一在于提供一种具有能够充分降低布线间的寄生电容的结构的半导体装置。在与栅电极层重叠的氧化物半导体层的一部分上形成用作沟道保护层的氧化物绝缘层。在与该氧化物绝缘层的形成相同的步骤中，形成覆盖氧化物半导体层的边缘部的氧化物绝缘层。覆盖氧化物半导体层的边缘部的氧化物绝缘层将栅电极层与形成在该栅电极层上方或边缘的布线层之间的距离拉大，从而可以降低寄生电容。

公开(公告)号：CN101647113A

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200880007858.3

申请日：2008-03-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 野田耕生 ,  佐藤奈奈绘

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1237 ,  H01L29/66833

Abstract: 本发明改进了非易失性存储晶体管的电荷保持特性。用作隧穿绝缘膜的第一绝缘膜、电荷存储层和第二绝缘膜夹在半导体衬底与导电膜之间。电荷存储层由两个硅氮化物膜构成。作为下层的硅氮化物膜通过CVD方法使用NH 3 作为氮源气体来形成，并且所包含的N-H键的数目大于上层的N-H键的数目。作为上层的第二硅氮化物膜通过CVD方法使用N 2 作为氮源气体来形成，并且所包含的Si-H键的数目大于下层的Si-H键的数目。