抑制铌酸盐基无铅压电陶瓷烧结过程中碱金属挥发的方法

    公开(公告)号:CN1935745A

    公开(公告)日:2007-03-28

    申请号:CN200610112893.4

    申请日:2006-09-06

    Abstract: 本发明公开了一种有效抑制铌酸盐无铅压电陶瓷烧结过程中碱金属挥发的方法。该方法简称为双层坩埚法:在常用氧化铝陶瓷外坩埚里内置一个与烧结材料相似成分的碱金属铌酸盐内坩埚,并在内坩埚周围充填碱金属铌酸盐埋粉。具体方法是将碱金属铌酸盐陶瓷预烧后的压制坯体放入与其成分相似成分的碱金属铌酸盐内坩埚中,再将其埋入盛有与待烧结陶瓷相似成分的碱金属铌酸盐埋粉的外坩埚中,在大气中进行无压烧结。该方法能有效抑制烧结过程中的碱金属挥发,并能得到高致密度的陶瓷块体制品,其压电常数比只用埋粉烧结的碱金属铌酸盐陶瓷有较大幅度的提高。

    一种1-3结构巨磁电材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN1719635A

    公开(公告)日:2006-01-11

    申请号:CN200510011750.X

    申请日:2005-05-20

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 一种1-3结构巨磁电材料及其制备方法,该材料由压电陶瓷、磁致伸缩材料和高分子粘结剂组成,所述压电陶瓷有一个维度大于另外两个维度,呈长柱状,压电陶瓷柱上下连通分布在磁致伸缩材料粉末与高分子粘结剂组成三维连通的基体中,具有1-3结构。本发明与现有技术相比,这种1-3结构巨磁电材料制备过程简单易行,性能测试表明该材料的磁电转换系数高并且稳定。改变压电陶瓷的含量,可以调节材料的磁电转换系数,使之满足不同的需求。

    一种压电陶瓷大功率特性的测试方法及装置

    公开(公告)号:CN112083042A

    公开(公告)日:2020-12-15

    申请号:CN202010946861.4

    申请日:2020-09-10

    Abstract: 本发明涉及一种压电陶瓷大功率特性的测试方法及装置,该方法包括:获取样品的谐振频率;驱动电压驱动样品发生振动,所述驱动电压的频率为所述谐振频率;电流探针采集通过样品的电流信号,激光测振仪采集样品振动的位移信号;电流信号和位移信号经示波器汇总后,发送给终端设备进行分析所述样品的大功率特性。本申请通过在样品表面施加电压使得样品起振,最后在样品振速达到最大时做短路处理,来模拟样品的高振速的工作环境,进而分析压电陶瓷材料的大功率特性,才能进一步去评价压电陶瓷材料在大功率下的机械品质因数。

    一种n型SnS基热电材料的制备方法

    公开(公告)号:CN109817804B

    公开(公告)日:2020-10-20

    申请号:CN201910043957.7

    申请日:2019-01-17

    Abstract: 本发明涉及了一种n型SnS基热电材料及其制备方法,属于能源材料技术领域。本发明利用卤族元素对SnS进行掺杂改性得到n型SnS。将Sn、S和卤化物按照化学计量比SnS1‑xβx(β=Cl,Br,I等卤族元素)进行配料,其中x取值范围为0≤x≤0.2;然后将原料放入行星式球磨机,充入保护气,在一定转速下合成n型SnS1‑xβx粉体,最后通过放电等离子烧结得到n型SnS1‑xβx块体材料。对SnS热电性能的报道主要集中在p型半导体,n型SnS基半导体的热电性能未见报道。卤族元素的掺杂提高了电子浓度,得到n型SnS基热电半导体的热电优值ZT为0.15~0.5。该制备方法过程简便、易于操作,对设备和制备环境要求低,周期短、适合大规模生产。

    一种Sn-S基热电化合物及其制备方法

    公开(公告)号:CN102867905B

    公开(公告)日:2015-10-28

    申请号:CN201210265582.7

    申请日:2012-07-27

    Applicant: 清华大学

    Inventor: 李敬锋 谭晴

    Abstract: 本发明公开了一种Sn-S基热电化合物及其制备方法,所述制备方法包括以下步骤:a)提供初始原料,所述初始原料中含有Sn单质、S单质以及Ag、Cu或In单质,所述Sn单质、S单质以及Ag、Cu或In单质的摩尔比为1:0.8~2:0~1;b)将所述初始原料在保护气体气氛中进行干磨;c)将干磨后的物料加入有机液体介质进行湿磨;d)将湿磨后的粉末取出烘干,得到干燥粉末;e)将所述干燥粉末压实后进行真空烧结,得到Sn-S基热电化合物。根据本发明的制备方法,采用的初始原料为无毒无污染原料,价格低廉,该方法工艺流程短,耗时少,效率高,能耗低,获得的产品组织细小均匀,热电性能好,适合于大规模工业生产。

    无铅压电陶瓷/聚合物1-3结构复合材料及其加工方法

    公开(公告)号:CN101255265B

    公开(公告)日:2011-03-30

    申请号:CN200810103886.7

    申请日:2008-04-11

    Applicant: 清华大学

    Inventor: 李敬锋 甄玉花

    Abstract: 一种无铅压电陶瓷/聚合物1-3结构复合材料及其加工方法,属于功能陶瓷材料及其制造技术领域。复合材料由(Na,K)NbO3基无铅压电陶瓷与环氧树脂组成,陶瓷柱分散在环氧树脂基体中,利用机械加工得到的压电陶瓷微柱阵列排列分布在聚合物基体中,压电陶瓷的微柱的截面宽度40-100um,纵横比3~10。被加工成截面宽度40~100um的微柱阵列形式分布在聚合物的基体中。在切割压电陶瓷的过程中,通过在第一次平行切割后填入树脂大大增强被加工样品的强韧性和微柱阵列的完整性,从而将压电陶瓷柱状阵列的精细加工尺度提高了一个数量级。具有微细结构的1-3型有序复合压电材料可用于高频医疗超声成像技术。

    一种制备具有高纵横比热电臂的微型热电器件的方法

    公开(公告)号:CN101436641B

    公开(公告)日:2010-04-14

    申请号:CN200810239624.3

    申请日:2008-12-12

    Applicant: 清华大学

    Inventor: 李敬锋 刘大为

    Abstract: 本发明公开了一种制备具有高纵横比热电臂的微型热电器件的方法。该方法利用机械加工在玻璃薄片上制作出凹槽,并通过加压烧结成功制成具有30~150微米微孔阵列的玻璃模板;通过利用光刻和磁控溅射技术在单晶硅衬底上面制作叉指电极来分别控制P型和N型热电材料的电化学沉积,从而制作出交替排列的P型、N型热电阵列;在电化学法填充N型Bi2Te3材料的过程中,设计出一种反向脉冲沉积的工艺,从而实现纵横比超过10的填充生长。

    一种四元方钴矿结构的热电材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN100570915C

    公开(公告)日:2009-12-16

    申请号:CN200810119808.6

    申请日:2008-09-11

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 一种四元方钴矿结构的热电材料及其制备方法,其化学式为CoSb3+δ-x-yXxYy,其中X为Se或Te,Y为Ge或Sn,δ为Sb补偿量,x和y分别为X和Y的掺杂量。该材料的特征于在CoSb3中同时掺入IVB族和VIB族元素。该材料利用IVB族和VIB族元素间电荷补偿使得总的掺杂浓度增加,而引入更多的点缺陷散射来降低热导率。在适当的条件下Co-Sb-X-Y基体中可析出CoX1.5Y1.5相而形成“纳米点”,而对声子输运产生额外散射作用。本发明采用机械合金化与放电等离子烧结相结合的方法,制备出具有高热电性能的Co-Sb-X-Y四元材料,其无量纲优值ZT在550℃时达到1.1。

    一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其低温烧结制备方法

    公开(公告)号:CN101429027A

    公开(公告)日:2009-05-13

    申请号:CN200810239628.1

    申请日:2008-12-12

    Applicant: 清华大学

    Inventor: 李敬锋 王轲

    Abstract: 本发明公开了属于功能陶瓷材料技术领域的一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其低温烧结制备方法。铌酸钾钠基无铅压电陶瓷,通式为:(1-x)(Na0.52+yK0.48)NbO3+y/2-xLiNbO3,0.058≤x≤0.085,0.01≤y≤0.03。方法为,称取配料,将原料加入到球磨罐中球磨,烘干后得到混合料粉,将混合料粉在空气中预烧,随炉冷却,合成碱金属铌酸盐;将碱金属铌酸盐粉球磨粉碎,冷压成型后,冷等静压,得到碱金属铌酸盐预烧坯体,将冷等静压后的预烧坯体在空气中无压烧结,随炉冷却,得到铌酸钾钠基无铅压电陶瓷。制备的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷化学成分波动较小,性能稳定,压电性能优异,致密度非常高。

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