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公开(公告)号：CN114267667A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111603700.6
申请日：2021-12-24
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 , 上海先方半导体有限公司
IPC: H01L23/66 , H01L23/538 , H01L23/552 , H01L25/00 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01Q1/22
Abstract: 本发明提供了一种集成天线的多芯片系统及其制作方法，包括：多个叠层，被配置为容纳多个芯片、超细RDL转接板和多个金属支撑柱中的一种或多种，其中多个叠层之间沿厚度方向堆叠形成垂直互连结构；以及中间RDL层，被配置为作为多个叠层的分界面。
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公开(公告)号：CN114171468A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111495587.4
申请日：2021-12-08
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 , 上海先方半导体有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/552
Abstract: 本发明涉及系统级封装技术领域，提出一种基于电磁超材料的射频微系统。该系统包括：腔室；电磁辐射源，其布置于所述腔室中，其中所述电磁辐射源被配置为产生电磁辐射；热辐射源，其布置于所述腔室中，其中所述热辐射源被配置为产生热辐射；以及电磁超材料层，其被配置为吸收电磁辐射以及热辐射。
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公开(公告)号：CN114156247A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111251359.2
申请日：2021-10-26
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 , 上海先方半导体有限公司
IPC: H01L23/427 , H01L23/367 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 本发明涉及半导体封装技术领域，提出一种POP封装结构及其构造方法。该结构包括：第一基板和第二基板；第一芯片，其布置于所述第一基板上；第二芯片，其布置于所述第二基板上；以及相变材料，其包覆所述第二芯片，其中所述相变材料被配置为吸收所述第二芯片工作产生的热量，并且由固相转化为液相以便将热量导出。本发明可以很好地满足高功耗芯片对封装高效散热的要求，在电子封装领域具有极大的应用价值。
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公开(公告)号：CN114068470A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111354586.8
申请日：2021-11-16
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 , 上海先方半导体有限公司
Inventor： 胡文华
IPC: H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/48 , H01L23/367
Abstract: 本发明涉及一种拓展球栅阵列封装I/O口的结构,包括：基板，所述基板具有第一面和与第一面相对的第二面；引线框架，其设置在所述基板的边缘并与所述基板通过焊接的方式连接；芯片，其倒装在所述基板上；散热盖，其贴装在所述基板的第一面上，且所述散热盖的四周粘结在引线框架的第一面上；以及焊球，其布置在所述基板的第二面和所述引线框架的第二面上的焊盘上。
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公开(公告)号：CN113990788A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111267337.5
申请日：2021-10-28
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 , 上海先方半导体有限公司
IPC: H01L21/68
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，提出一种对位治具，包括环形外圈；第一至第六凸点，其布置在所述环形外圈的内侧等分所述环形外圈，所述第一至第三凸点的连线构成第一三角形，第四至第六凸点的连线构成第二三角形，所述第一三角形的外接圆与所述第二三角形的外接圆同心，其中所述第一至第三凸点上具有定位针；其中通过所述定位针定位载片，并且通过所述第四至第六凸点的外切点定位晶圆并且使得所述晶圆与所述载片对准。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110649001B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201910930837.9
申请日：2019-09-29
Applicant: 上海先方半导体有限公司 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/66 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/48 , H01L23/552 , H01L25/18 , H01L21/98 , H01Q1/22 , H01Q1/50 , H01Q1/52 , H01Q21/00
Abstract: 本发明公开了一种集成天线结构的2.5D多芯片封装结构，包括：衬底；多芯片塑封层，所述多芯片塑封层设置在所述衬底的上面；反射互连层，所述反射互连层设置在所述多芯片塑封层的上面；天线隔离层，所述天线隔离层设置在所述反射互连层的上面；天线阵列，所述天线阵列设置在所述天线隔离层的上表面；衬底背面重新布局布线层，所述衬底背面重新布局布线层设置在所述衬底的下面；外接焊球，所述外接焊球设置成与所述衬底背面重新布局布线层的外接焊盘电连接；以及钝化层，所述钝化层覆盖所述衬底背面重新布局布线层。
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公开(公告)号：CN113517263A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110784789.4
申请日：2021-07-12
Applicant: 上海先方半导体有限公司 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/367 , H01L21/768 , H01L21/50 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种堆叠结构及堆叠方法，堆叠结构包括依次垂直层叠且电学连接的第一封装模块至第N封装模块，N为大于等于2的整数，第n封装模块包括第n半导体单元，n为大于等于1小于等于N的整数；第j封装模块还包括：覆盖第j半导体单元的第一表面的第一介质层，j为大于等于1小于等于N‑1的整数；贯穿第一介质层的第一焊料件；第j+1封装模块还包括：覆盖第j+1半导体单元的第二表面的第二介质层；贯穿第二介质层的第二焊料件；其中，第j封装模块的第一介质层与第j+1封装模块的第二介质层相互键合；第j封装模块的第一焊料件与第j+1半导体模块的第二焊料件焊接在一起。堆叠结构具有较高的结构稳定性，保证了堆叠结构的正常工作。
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公开(公告)号：CN113421868A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110689610.7
申请日：2021-06-21
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 , 上海先方半导体有限公司
IPC: H01L23/473 , H01L23/373 , H01L23/367 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及芯片热管理技术领域，提出一种芯片冷却装置及其装配方法。所述冷却装置包括多个金属热界面材料层；进液管；出液管；以及多个热沉粒。本发明通过采用热沉粒与金属化整为零的布置方式，并且通过热沉粒与输送冷却液的管道之间的柔性连接，可以在热沉粒、金属热界面材料层以及大尺寸芯片之间形成较小的应力，有效解决了大尺寸高功耗芯片的散热问题。
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公开(公告)号：CN113299562A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110574088.8
申请日：2021-05-25
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 , 上海先方半导体有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供一种转接板制造方法和转接板。转接板制造方法包括以下步骤：提供制作基底，制作基底为硅基底；形成第一重布线层，在制作基底一侧形成第一重布线层；形成多个金属柱，在第一重布线层背向制作基底一侧形成多个金属柱，多个金属柱分别与第一重布线层中的第一金属互联结构电性接触；形成塑封层，在第一重布线层背向制作基底一侧形成塑封层，塑封层包覆多个金属柱，并暴露多个金属柱背向第一重布线层一侧的端面；形成第二重布线层，在塑封层背向第一重布线层一侧形成第二重布线层，多个金属柱分别与第二重布线层中的第二金属互联结构电性接触；去除制作基底。本发明的制造方法可制造具有高互联密度的重布线层的转接板。
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公开(公告)号：CN113241332A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110469071.6
申请日：2021-04-28
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/46 , H01L25/065
Abstract: 本发明提供一种具有微流道的半导体结构、芯片堆叠结构以及制备方法，通过在半导体基板上形成阻挡层并对阻挡层进行刻蚀以得到填充槽，通过对部分厚度的半导体基板的进行刻蚀以得到初始微流道本体，之后通过对初始微流道本体侧部的半导体基板进行横向刻蚀以得到微流道本体，随后形成微流道进出口使微流道进出口与微流道本体连通，从而得到微流道，由于填充槽的宽度较小，因此容易在填充槽中形成密封层，且密封层并不会填充微流道本体。仅需一个半导体基板即可得到微流道，无需使用硅‑硅直接键合技术，降低了对半导体基板的表面清洁度要求和平整度要求，进而降低了制备难度和复杂度，制备方法简单。
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