公开(公告)号：CN115831956A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202111092240.5

申请日：2021-09-17

Applicant: 中兴光电子技术有限公司

Inventor： 周扬 ,  沈百林 ,  李蒙

IPC: H01L27/02

Abstract: 本申请公开了一种静电释放保护电路、保护单元以及芯片和装置，该静电释放保护电路用于与有源器件并联，所述静电释放保护电路包括第一二极管组件和第二二极管组件；所述第一二极管组件与所述第二极管组件反向串联；或者所述静电释放保护电路包括第三二极管组件和第四二极管组件；所述第三二极管组件与所述第四二极管组件的反向并联。本电路通过若干个二极管组件的连接，可以降低硅光芯片的有源器件遭到静电损坏的风险，提高硅光芯片的品质；而且该保护电路结构简单，可以提高芯片集成度的同时降低封装成本。本申请可广泛应用于硅基光电子技术领域内。

公开(公告)号：CN115810976A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202111066834.9

申请日：2021-09-13

Applicant: 中兴光电子技术有限公司

Inventor： 周换颖

IPC: H01S5/065 ,  H01S5/062 ,  H01S5/00 ,  H01S5/06

Abstract: 本发明公开了一种波长锁定器、可调激光器及波长锁定控制方法，该波长锁定器包括环形谐振腔、光输入端、第一光电探测器、第二光电探测器和相位调制器；光输入端设置有第一连接端和第二连接端；环形谐振腔与第二连接端连接，包括环形波导绕线，以及分别与环形波导绕线连接的第一分束器和第二分束器；第一光电探测器与第一连接端连接；第二光电探测器与第一分束器连接；相位调制器设置于环形波导绕线上。在本发明实施例中，无需采用外置标准具、光栅或滤波器阵列大型元件就能够实现波长锁定和调节功能，能够减少对激光器件光源产生的噪声干扰，提高调节精度，节省结构空间，降低封装工艺复杂度，缩小产品尺寸。

公开(公告)号：CN115758979A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202111033604.2

申请日：2021-09-03

Applicant: 中兴光电子技术有限公司

Inventor： 李凡 ,  沈百林 ,  李蒙

IPC: G06F30/392

Abstract: 本发明提供一种冗余图形添加方法和电子设备，所述方法包括：在设计版图上生成至少一个辅助图形，每个所述辅助图形将至少一个所述设计图形包围，所述辅助图形具有第一边界，所述辅助图形所包围的所述设计图形具有第二边界，所述第一边界与所述第二边界之间的距离大于预设的第一间距阈值，所述辅助图形的精度小于所述设计图形的精度；按照预设的设计规则，在所述设计版图上生成至少一个冗余图形单元，所述设计规则包括所述冗余图形单元与所述辅助图形不相交。本发明以粗精度的辅助图形替代高精度的设计图形作为设计规则依据，使冗余图形单元规避粗精度的辅助图形即可，从而大大减小了图形间的计算量，提高了冗余图形添加效率。

公开(公告)号：CN115706389A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202110920950.6

申请日：2021-08-11

Applicant: 苏州洛合镭信光电科技有限公司 ,  中兴光电子技术有限公司

Inventor： 李玮淳 ,  邓秋芳

IPC: H01S5/12 ,  H01S5/40 ,  H01S5/062 ,  H04B10/50

Abstract: 本发明公开了一种电吸收调制激光器及其制作方法、通信设备，电吸收调制激光器包括衬底、DFB激光器芯片、EAM芯片和有机光导线，所述DFB激光器芯片和所述EAM芯片设置于所述衬底上，所述有机光导线用于连结所述DFB激光器芯片的出光端和所述EAM芯片的入光端。根据本发明实施例提供的方案，采用有机光导线连结DFB激光器芯片的出光端和EAM芯片的入光端，能够实现不同芯片的光路级联，从而使得DFB激光器芯片输出光可以经过有机光导线传导进入EAM芯片，无需进行额外的外延工艺即可制成电吸收调制激光器，有利于简化电吸收调制激光器的制作工艺，降低器件的制造成本。

公开(公告)号：CN114512894A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202011158751.8

申请日：2020-10-26

Applicant: 中兴光电子技术有限公司

Inventor： 邓秋芳

IPC: H01S5/12 ,  H01S5/32 ,  H01S5/34

Abstract: 本发明实施例公开一种激光器的制作方法及激光器，制作方法包括：在衬底上依次划分第一分布式反馈DFB区域、调谐区域和第二DFB区域；分别在第一DFB区域和第二DFB区域上制备选区介质掩膜条对，或者在调谐区域上制备选区介质掩膜条对；在制备有选区介质掩膜条对的第一DFB区域、调谐区域和制备有选区介质掩膜条对的第二DFB区域，或者在第一DFB区域、制备有选区介质掩膜条对的调谐区域和第二DFB区域依次外延生长下分别限制层、多量子阱层以及上分别限制层，以使调谐区域的多量子阱层的组分分别偏离第一DFB区域和第二DFB区域的多量子阱层的组分；去掉选区介质掩膜条对；通过该制作方法所制作的激光器可靠性高并能够增大激光器波长调谐范围。

公开(公告)号：CN114384617A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202011111129.1

申请日：2020-10-16

Applicant: 中兴光电子技术有限公司

Inventor： 杨旻岳

IPC: G02B5/18 ,  G01M11/02 ,  H04B10/079

Abstract: 本发明公开了一种二维耦合光栅结构及其串扰测试结构，该二维耦合光栅结构包括：主体和光栅阵列，主体包括相互垂直的第一入射面和第二入射面；光栅阵列设置于主体中，光栅阵列中的光栅分别沿第一方向和第二方向分布，第一方向垂直于第一入射面的方向，第二方向为垂直于第二入射面的方向，光栅阵列中沿第一方向的光栅周期和沿第二方向的光栅周期互不相同；光栅阵列用于使第一光信号和第二光信号正交偏振耦合后输出，第一光信号为从第一入射面输入的光信号，第二光信号为从第二入射面输入的光信号。由于光栅周期不同，偏振后的第一光信号和第二光信号的中心波长互不相同，使得耦合后的输出光信号的总光谱响应更宽，减少光栅带宽对光信号衰减的影响。

公开(公告)号：CN114124222A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202010879689.5

申请日：2020-08-27

Applicant: 中兴光电子技术有限公司

Inventor： 付志明 ,  朱梅冬 ,  王莹 ,  陆建鑫

IPC: H04B10/25 ,  H04J14/02 ,  H04Q11/00

Abstract: 本发明公开了一种光处理单元、光传送系统及光传送方法。其中，光处理单元包括分光组件和多个第一合波分波组件，其中，第一合波分波组件用于对CWDM方式的第一光信号和DWDM方式的第二光信号进行合波或者分波，即采用CWDM和DWDM混合的方式进行光信号的传输，从而可以实现单光纤双向传输，在此基础上，通过设置分光组件，能够将单路光信号按照预设比例分成多路光信号或者将多路光信号合并成单路光信号，从而可以扩大主干光纤的覆盖范围，使得第一合波分波组件连接的第一光模块可以分布在不同的区域中，提高第一光模块分布的灵活性。并且，实现单光纤双向传输也能够节省光纤资源，降低成本。

公开(公告)号：CN110308506B

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN201910439547.4

申请日：2019-05-24

Applicant: 中兴光电子技术有限公司

Inventor： 刘万元 ,  沈百林 ,  邵永波 ,  李蒙

IPC: G02B5/20

Abstract: 本申请公开了一种粗波分复用滤波器，包括用于传输第一模式光波的第一波导臂和用于传输第二模式光波的第二波导臂，第一波导臂和第二波导臂构成MZI型滤波器结构，其中，第一波导臂包括第一相位补偿区和第一模式无热区，第二波导臂包括第二相位补偿区和第二模式无热区；第一模式无热区和第二模式无热区的长度满足预设的无热要求；第一相位补偿区和第二相位补偿区保持第一波导臂和第二波导臂的相对相移不变，且补偿第一模式无热区和第二模式无热区的长度差异。本申请通过在两个波导臂上分别设置模式无热区和相位补偿区，实现了两臂等长的无热滤波器结构，且不需要使用弯曲波导或负折射率材料，也不需要进行波导或模式的转换。

公开(公告)号：CN113448023A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202010218171.7

申请日：2020-03-25

Applicant: 中兴光电子技术有限公司

Inventor： 张帅 ,  高博

IPC: G02B6/42

Abstract: 本申请公开了一种弹簧装配结构及其光模块。其中，所述弹簧装配结构应用于光模块，所述光模块包括第一壳体、第二壳体和解锁组件，所述弹簧装配结构包括：设置在所述第二壳体的弹簧槽，所述弹簧槽设置有朝向所述第一壳体的第一开口和朝向所述解锁组件的第二开口，所述第一开口与所述弹簧槽的端部之间形成有限位台，所述第二开口由所述解锁组件封闭；以及设置在所述第一壳体的封口部，所述封口部与所述第一开口相匹配并能够封闭所述第一开口。本申请实施例的弹簧装配结构在装配过程中就能够稳定弹簧的安装位置，降低装配难度，避免组装半成品件在生产、储运和周转过程中出现弹簧发生脱落的问题。

公开(公告)号：CN111665646B

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN201910176514.5

申请日：2019-03-08

Applicant: 中兴光电子技术有限公司

Inventor： 华士跃 ,  李蒙

IPC: G02F1/03

Abstract: 本文公开了电极慢波结构、具有慢波结构的电极组件及电光调制器。电极慢波结构包括相互平行且非等电势的第一主电极和第二主电极，以及分别设置在第一主电极和第二主电极上的多个正T型和倒T型枝节电极；正T型枝节电极上的第一纵向枝节电极的一端与第一主电极垂直连接，另一端与第一横向枝节电极垂直连接；倒T型枝节电极上的第二纵向枝节电极的一端与第二主电极垂直连接，另一端与第二横向枝节电极垂直连接；第一横向枝节电极的一部分与相邻的第二横向枝节电极的一部分相对设置，第一纵向枝节电极和第二纵向枝节电极的长度均大于d/2，d是第一主电极与第二主电极之间的间距。本文的技术方案能够增大电极结构的电容调整范围，减小电极尺寸。