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公开(公告)号：CN119915488A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202311429830.1
申请日：2023-10-30
Applicant: 中兴光电子技术有限公司
Inventor： 杨旻岳
IPC: G01M11/02
Abstract: 本申请实施例提供了一种共模抑制比测试方法及其装置，其中，共模抑制比测试方法包括：通过两个相同的待测光混频器构建目标干涉仪；对目标干涉仪的消光比进行检测；根据消光比确定待测光混频器的直流共模抑制比。通过上述技术方案，能够很好简化直流共模抑制比的检测步骤，提高检测效率。
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公开(公告)号：CN119154954A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202310713508.5
申请日：2023-06-15
Applicant: 中兴光电子技术有限公司
Inventor： 张玲艳
Abstract: 本申请提供了一种光收发装置和光线路终端,光收发装置包括光发射模块、光接收模块及收发分路模块，光发射模块包括至少一个发射器件以及多路复用组件；多路复用组件用于对发射器件发送的发射光信号合路射出；光接收模块包括至少一个接收器件以及解多路复用组件；解多路复用组件用于将入射光信号分路发射至对应的接收器件；收发分路模块用于将从多路复用组件出射的发射光信号传输至外部，及将外部输入的入射光信号传输至解多路复用组件。光线路终端包括上述光收发装置。通过采用多路复用组件和解多路复用组件分别实现发送端和接收端的光路集成，简化收发光路上的光学器件，以能减少光信号耦合调整工艺，从而支持多路不同波长收发且制作工艺更简单。
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公开(公告)号：CN118409399B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410889374.7
申请日：2024-07-04
Applicant: 中兴通讯股份有限公司 , 中兴光电子技术有限公司
IPC: G02B6/42
Abstract: 本申请实施例提供了一种光器件及光模块，涉及光通信技术领域。光器件包括管壳、电路板、接收组件和发送组件，发送组件和接收组件均与电路板通过金线电气连接；管壳的第一侧壁设置有尾纤安装结构，尾纤安装结构与接收组件、发送组件对应设置，尾纤安装结构用于安装尾纤，接收组件和发送组件均位于管壳内。通过将接收组件和发送组件与电路板连接，从而使得射频信号可以通过电路板与接收组件、发送组件直接交互，并利用电路板使得射频信号经过的链路上的阻抗设计更加匹配。同时尾纤通过尾纤安装结构集成，可以在缩小光器件的尺寸的同时提供足够大的空间给尾纤安装，本申请实施例的光器件和光模块的射频性能更好且尺寸更小且适用于FTTR场景。
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公开(公告)号：CN118282517A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211729283.4
申请日：2022-12-30
Applicant: 中兴光电子技术有限公司
IPC: H04B10/40 , H04B10/516
Abstract: 本申请提供了一种带宽调节方法、硅光芯片及硅光收发组件。通过载流子耗尽型轨迹调制器获取目标电光带宽，通过硅基集成锗探测器获取目标光电带宽，再根据目标电光带宽和目标光电带宽，调节对应的硅光芯片的带宽，实现对硅光芯片的带宽调节，匹配不同带宽的开发需求，减少为应对不同带宽需求的单独产品开发，降低流片成本。还通过调整载流子耗尽型轨迹调制器的调制器特征，获取目标电光带宽的值和调整速率，通过调整硅基集成锗探测器的探测器特征，获取目标光电带宽的值和调整速率，获得所需的硅光芯片的带宽调整范围和调整速率，能够匹配更多不同带宽的开发需求。
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公开(公告)号：CN118226579A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202211630778.1
申请日：2022-12-19
Applicant: 中兴光电子技术有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种波导终结器，及具有其的光通信器件。其中，波导终结器包括：杂化波导吸收终结，杂化波导吸收终结的一端为输入端口；波导散射终结，波导散射终结与杂化波导吸收终结的另一端级联。通过杂化波导吸收终结和波导散射终结的级联设置，光在进入波导终结器后，首先主要被杂化波导吸收终结吸收，然后残余由波导散射终结进行散射；平衡了波导终结器的尺寸和性能，最大限度的降低散射和反射。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117908185A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202211232395.9
申请日：2022-10-10
Applicant: 中兴光电子技术有限公司
Abstract: 本申请公开了一种光功率耦合器，光功率耦合器包括第一薄膜铌酸锂波导和第二薄膜铌酸锂波导，第一薄膜铌酸锂波导包括依次连接的第一绝热耦合波导段和第一弯曲波导段，第二薄膜铌酸锂波导包括依次连接的第二绝热耦合波导段和第二弯曲波导段，第一绝热耦合波导段和第二绝热耦合波导段并排设置在二氧化硅包层内，第一绝热耦合波导段的宽度变化趋势和第二绝热耦合波导段的宽度变化趋势相反，第一弯曲波导段和第二弯曲波导段往不同方向延伸以分离输出光功率；第一薄膜铌酸锂波导和第二薄膜铌酸锂波导的厚度范围是300nm至500nm。利用了薄膜铌酸锂材料的特性，增强波导的传输能力，实现较大的工艺容差、超低的光传输损耗和高速的信号处理能力。
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公开(公告)号：CN110598327B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201910869906.X
申请日：2019-09-16
Applicant: 中兴光电子技术有限公司
IPC: G06F30/392 , G06F30/31 , G06T11/20
Abstract: 一种波导绘制方法、系统、存储介质和终端，其中，所述方法包括：从设置于复平面的波导起始中心点开始，按照波导的行进方向进行绘制，得到所述波导在其行进方向上的下一个中心点；所述波导的行进方向包括：直线行进或弯曲行进；当下一个中心点不是终止中心点时，从所述下一个中心点开始，按照波导的行进方向进行绘制，继续得到下一个中心点，直至波导绘制结束；将所有中心点开始按照指定的宽度进行对称展宽，得到所需波导。本发明实施例能避免波导拼接出现断点的可能性。
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公开(公告)号：CN115933055A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110979865.7
申请日：2021-08-25
Applicant: 中兴光电子技术有限公司
Inventor： 王希琪
Abstract: 本发明提供了一种偏振旋转分束器和光子集成芯片，包括偏振旋转区和偏振分束区，其中，偏振旋转区的第一脊波导处于第一平板波导之上，偏振分束区的第二脊波导和第三脊波导分别处于第三平板波导之上，第三平板波导处于第二平板波导之上，而第一平板波导和第二平板波导相接且高度相等。本发明实施例的偏振旋转区的第一脊波导的脊高大于偏振旋转区的第二脊波导和第三脊波导的脊高，也即本发明实施例采用了不同刻蚀深度的脊波导作为偏振旋转区的波导和偏振分束区的波导，其中，偏振旋转区采用深刻蚀脊波导，能够使偏振旋转区具有更高的偏振旋转效率；偏振分束区采用浅刻蚀脊波导，能够使偏振分束区具有更高的耦合效率。
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公开(公告)号：CN115764542A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202111028108.8
申请日：2021-09-02
Applicant: 中兴光电子技术有限公司 , 苏州洛合镭信光电科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种双波长半导体激光器及其制备方法，双波长半导体激光器包括：第一DBR激光区，包括第一光栅区，第一光栅区设置有第一弯曲波导；第二DBR激光区，包括第二光栅区，第一光栅区设置有第一弯曲波导，第二光栅区设置有第二弯曲波导，第一夹角与第二夹角互不相同，第一光栅区的光栅和第二光栅区的光栅具有相同的光栅周期，第一夹角为第一弯曲波导与垂直第一光栅区的光栅方向所成的夹角，第二夹角为第二弯曲波导与垂直第二光栅区的光栅方向所成的夹角。根据本发明实施例提供的方案，通过光栅结合弯曲波导实现了等效啁啾光栅，利用弯曲波导与光栅的夹角不同增大了DBR激光区的反射谱范围，有效提高激光器的调谐范围和拍频实现的微波调谐范围。
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公开(公告)号：CN115758978A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202111027231.8
申请日：2021-09-02
Applicant: 中兴光电子技术有限公司
IPC: G06F30/392 , G06F30/398
Abstract: 本发明公开了一种版图检测方法、装置和计算机可读存储介质，方法包括：获取待测图形；根据待测图形得到多个图形特征；获取图形错误特点；根据图形错误特点对图形特征进行筛选，得到指定特征；将指定特征对应的版图位置标记为版图错误。在使用上述版图检测方法对待测图形进行检测，能够针对版图绘制过程中出现的一些在设计规则之外的错误类型进行检查，避免了人工检查导致的效率低以及检查错漏等问题。
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