公开(公告)号：CN101874290B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN200880117698.8

申请日：2008-11-27

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/187 ,  H01L21/76254 ,  H01L29/1054

Abstract: 本发明提供一种贴合基板的制造方法，所述贴合基板具有导入了比原来大的拉伸应变的Si1-xGex(0＜x≤1)薄膜。具体而言，本发明提供一种贴合基板的制造方法，所述方法至少包括下列工序：准备施主晶片和热膨胀率低于所述施主晶片的支撑晶片的工序；将氢离子或稀有气体离子或者此二者注入施主晶片以形成离子注入层的工序；对施主晶片与支撑晶片的至少一方的贴合面进行等离子体活化处理的工序；将施主晶片与支撑晶片进行贴合的工序；对施主晶片的离子注入层施加机械性冲击并进行剥离的工序；对施主晶片的剥离面进行表面处理的工序；以及通过使Si1-xGex(0＜x≤1)薄膜在剥离面上外延生长，以在贴合的晶片上形成应变Si1-xGex(0＜x≤1)薄膜的工序。

公开(公告)号：CN101188258B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN200710193656.X

申请日：2007-11-23

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 伊藤厚雄 ,  秋山昌次 ,  川合信 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  久保田芳宏

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/068 ,  H01L31/036

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/056 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1892 ,  H01L31/1896 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种单结晶硅太阳能电池的制造方法及单结晶硅太阳能电池，该方法包含：将氢离子或稀有气体离子注入单结晶硅基板的工艺；对单结晶硅基板的离子注入面与透明绝缘性基板的表面之中的至少一方进行表面活性化处理的工艺；以进行表面活性化处理后的面作为贴合面，来贴合单结晶硅基板的离子注入面与透明绝缘性基板的工艺；对离子注入层施予冲击，机械性剥离单结晶硅基板，来形成单结晶硅层的工艺；在单结晶硅层的剥离面侧形成多个第二导电型的扩散区域，并作成在单结晶硅层的剥离面存在多个第一导电型区域与多个第二导电型区域的工艺；以及形成覆盖多个第一与第二导电型区域的光反射膜工艺。由此可以提供一种光封闭型单结晶硅太阳能电池。

公开(公告)号：CN101179054B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200710170066.5

申请日：2007-11-09

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  川合信 ,  飞坂优二

IPC: H01L23/00 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/84 ,  H01L21/762 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/76254 ,  C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/78603 ,  Y10S438/967 ,  Y10T428/31612

Abstract: 本发明提供一种非常适合于半导体装置的工艺的SOQ基板及其制造方法。本发明的手段为：将氢离子注入单结晶硅基板10的表面(主面)，形成氢离子注入层(离子注入损伤层)11。通过此氢离子注入，形成氢离子注入界面12。贴合此单结晶硅基板10和含有碳浓度100ppm以上的石英基板20，并对注入损伤层11附近赋予外部冲击，将贴合基板沿着单结晶硅基板10的氢离子注入界面12，剥离Si结晶膜。然后，对所得到的硅薄膜13的表面，进行研磨等，除去损伤，而得到SOQ基板。

公开(公告)号：CN102405440A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201080017536.4

申请日：2010-02-02

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏

IPC: G03F1/48 ,  G03F1/64 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/62 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/24 ,  G03F1/64

Abstract: 本发明的光刻用防尘薄膜组件包括单晶硅防尘薄膜组件膜(10)，此防尘薄膜组件膜(10)由包含外框部(20a)和此外框部(20a)的内侧区域的多孔部(网状结构)(20b)的支撑部件(20)支撑着。另外，为了防止防尘薄膜组件膜(10)的表面氧化，而形成了被覆单晶硅膜露出在外部的部分的抗氧化膜(30a、30b)。支撑部件(20)是通过加工SOI基板的操作基板而获得的，单晶硅防尘薄膜组件膜(10)是由SOI基板的SOI层所获得。防尘薄膜组件膜(10)和支撑部件(20)牢固地结合在一起，所以可以确保充分的机械强度。

公开(公告)号：CN102210007A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN200980144897.2

申请日：2009-11-11

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  伊藤厚雄

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 本发明提供一种制造SOI基板的方法，该方法包括以下顺序步骤：将离子注入硅晶片(5)或具有氧化物膜(7)的硅晶片(5)，形成离子注入层(2)；对透明绝缘基板的表面以及注入离子的硅晶片和/或注入离子的具有氧化物膜的硅晶片的表面进行表面活化处理；将该硅晶片(5)或具有氧化物膜(7)的硅晶片(5)与该透明绝缘基板(3)贴合在一起；在150℃以上且不高于350℃下对贴合基板进行热处理，得到接合体(6)；和从该接合体(6)的透明绝缘基板侧朝向该硅晶片(5)或具有氧化物膜(7)的硅晶片(5)的离子注入层(2)照射可见光，以使该离子注入层(2)的界面脆化并将硅薄膜转移到该透明绝缘基板(3)，从而形成SOI层(4)。

公开(公告)号：CN101587294A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200910138995.7

申请日：2009-05-21

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 久保田芳宏 ,  秋山昌次 ,  进藤敏彦

IPC: G03F1/14

CPC classification number: G03F1/64 ,  G03F1/62

Abstract: 一种防护薄膜组件，其使用SOI基板，并从单一基板制作出由单晶硅膜所作成的防护薄膜(11)与支持该防护薄膜的基底基板(12)，在基底基板(12)上设置开口部，若防护薄膜组件使用于光掩模上时的曝光区域的面积为100％，让该开口部占曝光区域面积的60％(开口比)以上，同时在基底基板的非曝光区域上设置补强框(12a)。藉由从单一基板制作出防护薄膜(11)与支持该防护薄膜的基底基板(12)(一体化结构)以及在基底基板上设置补强框，而获得强度增加的效果。又，以自属于{100}面群以及{111}面群的其中任一个晶格面倾斜3°～5°的结晶面作为单晶硅膜(11)的主面。

公开(公告)号：CN101414118A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200810149932.7

申请日：2008-10-17

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 久保田芳宏 ,  秋山昌次 ,  进藤敏彦

IPC: G03F1/14

Abstract: 本发明的目的在于提供一种防护薄膜组件，其具备实用的EUV用防护薄膜，该薄膜具有优异的高透光性与化学安定性。本发明之防护薄膜组件10，使用对13.5nm波长的光的吸收系数在0.005/nm以下的硅结晶膜作为防护薄膜11。因为硅结晶膜是间接跃迁型的半导体膜，故光吸收系数相对比较低，特别是单结晶硅膜，跟非晶质硅膜或多结晶硅膜比较起来吸收系数更低，故能轻易满足EUV用防护薄膜所需要的透光率。该等防护薄膜可从薄膜化SOI基板(包含SOQ基板或SOG基板)所得到的SOI膜制得。若从SOI基板制得硅结晶膜的防护薄膜的话，在防护薄膜形成过程中不会受到过度的应力，而且是在室温程度的温度下形成防护薄膜，亦不至造成应变。

公开(公告)号：CN101174595A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710185125.6

申请日：2007-10-30

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 伊藤厚雄 ,  秋山昌次 ,  古屋昌浩 ,  川合信 ,  田中好一 ,  久保田芳宏 ,  飞坂优二

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/142

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/186 ,  H01L31/1896 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明是一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包含：将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序；以该离子注入面作为贴合面，经由透明粘结剂，粘结该单晶硅基板与该透明绝缘性基板的工序；固化该透明粘结剂的工序；对该离子注入层施予冲击，机械性剥离该单晶硅基板，来形成单晶硅层的工序；在该单晶硅层的该剥离面侧，形成多个第二导电型的扩散区域，并作成在该单晶硅层的该剥离面，存在多个第一导电型区域和多个第二导电型区域的工序；在该单晶硅层的该多个第一导电型区域上，分别形成多个个别电极的工序；以及形成各个集电电极的工序。由此提供一种单晶硅太阳能电池，将薄膜的光变换层作成结晶性高的单晶硅层，可提供作为透视型太阳能电池。

公开(公告)号：CN117043910A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202280012407.9

申请日：2022-02-08

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种复合晶圆的制造方法，该复合晶圆的制造方法具备以下阶段：准备支撑衬底，该支撑衬底为钽酸锂及铌酸锂的任一种，且实质上不极化；准备活性衬底，该活性衬底为贴合在支撑衬底的一面侧的钽酸锂及铌酸锂的任一种，且极化；对活性衬底注入离子而产生界面；将支撑衬底与活性衬底贴合；将贴合后的支撑衬底与活性衬底升温；以及在界面剥离活性衬底。另外，本发明还提供该复合晶圆。

公开(公告)号：CN109891747B

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN201780066532.7

申请日：2017-10-10

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  丹野雅行

IPC: H03H9/25 ,  C01B33/12 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H03H3/08 ,  H03H9/145

Abstract: 本发明提供一种不需要发生金属杂质的扩散的高温工艺，散热性优异，并且相对于高频的损耗小的基板的制造方法及高热传导性基板。本发明的复合基板是具有压电单晶基板、支承基板以及设置在所述压电单晶基板与所述支承基板之间的中间层的复合基板。本发明的复合基板的特征在于，中间层为由无机材料构成的膜，其至少一部分为热合成二氧化硅。中间层可以沿着复合基板的接合面分为至少2层，与支承基板相接的第一中间层设为含有热合成二氧化硅的层为宜。