公开(公告)号：CN114361275B

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202111558649.1

申请日：2021-12-17

Applicant: 南昌大学

Inventor： 王启胜 ,  王立 ,  吴形 ,  吴识腾 ,  王震东

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了基于带晶界的铅盐半导体薄膜的室温超快红外探测器及其探测方法，包括基底、半导体薄膜、两个电极，基底贴合在半导体薄膜下方，半导体薄膜上左右两端各有一电极，半导体薄膜为单晶且有晶界的铅盐半导体薄膜，半导体薄膜形成光热电转化层。探测器受光激发，电子跃迁到光热电转化层导带边上方，具有过剩能量的热载流子在皮秒量级时间内通过电子‑电子相互作用产生热电子，电极两端形成较稳定的温度梯度，以纳秒尺度的时间量级在材料两端形成稳定的电场，从而实现材料无需外部供电的自驱动超快探测。相比于现有光热电探测器，本发明不仅简化了制备工艺，缩小了器件体积，降低了大规模集成的难度，还提高了量子效率，缩短了响应时间。

公开(公告)号：CN117995931A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202211341628.9

申请日：2022-10-28

Applicant: 江西省纳米技术研究院

Inventor： 张晓东 ,  范亚明 ,  黄蓉 ,  曾中明 ,  张宝顺

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种PIN二极管紫外光电探测器及其制备方法。所述PIN二极管紫外光电探测器包括：PIN结构，包括沿指定方向依次层叠设置的P型半导体层、本征半导体层和N型半导体层；第一电极，与P型半导体层电连接；第二电极，与N型半导体层电连接；所述N型半导体层的材质包括氧化镓，并且所述N型半导体层远离本征半导体层的第一表面上分布有彼此间隔的多个纳米孔；以及，所述本征半导体层的材质选自具有六方晶系结构的材料。本发明通过精准控制外延温度，利用Ga的自反应腐蚀原理在Ga2O3表面形成了均匀纳米孔阵列，从而获得较高的表体面积比，同时在衬底和Ga2O3层之间插入本征半导体层，实现了n型Ga2O3的PIN异质结构器件的制作。

公开(公告)号：CN117855299A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202410032858.X

申请日：2024-01-09

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王晓亭 ,  刘峰铭 ,  邓文杰 ,  张永哲

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/036 ,  H01L31/101

Abstract: 一种放大光电响应偏振比的异质结器件结构，属于异质结器件领域。器件结构自下向上依次包括：基底、具有各向异性晶体结构的材料、绝缘层、具有各向同性晶体结构的材料、形成于所述具有各向同性晶体结构的材料两端相互对峙的源级和漏极。所述绝缘层的材料为氮化硼、氧化硅或者氮化硅，绝缘层厚度应为50nm以上，所述基底包括衬底以及生长于衬底表面的绝缘材料层。本发明提供的放大光电响应偏振比的异质结器件在不同线偏振态的线偏振光照射下，由于各向异性晶体结构的材料会产生各向异性的光吸收，从而产生不同大小的光致栅压，不同大小的光致栅压对沟道电流在亚阈值区域呈非线性变化，从而放大异质结器件的光电响应偏振比。

公开(公告)号：CN111969075B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202010681105.3

申请日：2020-07-15

Applicant: 中国科学院金属研究所

Inventor： 张兴来 ,  刘宝丹 ,  马宗艺 ,  李晶

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/036 ,  H01L31/18 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

公开(公告)号：CN114679531B

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202210368312.2

申请日：2020-10-24

Applicant: 趣眼有限公司

Inventor： 阿里尔·达南 ,  俄梅尔·卡帕奇 ,  乌利尔·利维 ,  乌拉罕·巴卡尔 ,  纳达夫·梅拉穆德 ,  约尼·普罗斯珀·沙利波 ,  罗尼·多布林斯基 ,  希莱尔·希莱尔

IPC: H04N23/56 ,  H04N23/71 ,  H04N23/73 ,  H04N23/20 ,  H04N25/53 ,  H04N25/63 ,  H04N25/633 ,  H01S5/06 ,  H01S5/00 ,  H01S3/16 ,  H01S3/113 ,  H01S3/0941 ,  H01S3/06 ,  H01L31/103 ,  H01L31/036 ,  H01L27/146 ,  G02B5/18 ,  G01S17/89 ,  G01S17/02 ,  G01S17/18 ,  G01S7/487 ,  G01S7/4863 ,  G01S7/481 ,  G01J5/20

Abstract: 包括没有亮区域的暗背景的第二图像。公开了生成图像的系统、生成图像信息的方法及计算机可读介质，涉及红外光子学中使用的电光器件及激光器。所述方法包括：从光电检测器阵列(PDA)接收包括高反射率区域的低反射率目标的第一帧信息，所述第一帧信息指示在第一帧曝光时间(FET)期间被检测的所述低反射率目标的不同部分的光强度；基于所述第一FET处理所述第一帧信息，以提供包括被暗背景环绕的亮区域的第一图像；从所述PDA接收所述低反射率目标的第二帧信息，所述第二帧信息指示在比所

公开(公告)号：CN111739970B

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202010199946.0

申请日：2020-03-20

Applicant: 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司

Inventor： D·富尔曼 ,  W·古特 ,  M·莫伊泽尔

IPC: H01L31/0687 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/036 ,  H01L31/065

Abstract: 一种堆叠状的、单片的、正置变质的、地面式的聚光太阳能电池，其具有恰好五个子电池且具有变质缓冲层，其中，第一子电池具有第一晶格常数G1，并且由锗组成，第二子电池具有第二晶格常数，并且具有GaInAs，第三子电池具有第二晶格常数G2，并且具有GaInAs，第四子电池具有第二晶格常数G2，并且具有InP，所述第五子电池具有第二晶格常数G2并且具有InP，G1

公开(公告)号：CN116180235A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202310175628.4

申请日：2023-02-28

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 冯晴亮 ,  张文斌 ,  王肖剑 ,  刘赟

IPC: C30B29/46 ,  C30B25/14 ,  H01L31/036 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明涉及二硫化钼铒单晶材料的制备方法、单层二硫化钼铒单晶材料和用途。单层二硫化钼铒单晶材料中，单晶晶体中含有硫元素、钼元素和铒元素；所述二硫化钼铒单晶合金的晶体中，部分硫元素与铒元素形成共价键，部分硫元素与钼元素形成共价键，部分硫元素同时与铒元素和钼元素形成共价键。本申请提供的单层二硫化钼铒单晶材料实现了对二硫化钼晶体的改性，将铒元素部分替换到二硫化钼晶体中钼的位置，获得了二硫化钼铒单晶材料，提高了二硫化钼材料的本征电子性质，获得了宽光谱响应。

公开(公告)号：CN116093178A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202310030777.1

申请日：2023-01-10

Applicant: 中山大学

Inventor： 郑伟 ,  贾乐敏 ,  程璐

IPC: H01L31/028 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/036 ,  H01L31/09

Abstract: 本发明涉及半导体光电器件技术领域，具体涉及一种无需滤波器的金刚石深紫外窄带光电探测器及方法。本发明提供了一种基于高质量金刚石的无滤波深紫外窄带光电探测器，该光电探测器从上而下依次由Pt层、金刚石层、Pt层和蒸镀有Au金属的玻璃基板组成。本发明采用高迁移率、较少陷阱能态的高质量金刚石作为探测器主体，从而制得高比探测率和大线性动态范围的金刚石光电探测器，其在深紫外波段具有优异的窄带响应性能且能够准确辨别不同深紫外光，可进一步制备基于高质量金刚石的面阵窄带探测器，有望用于复杂环境中对特定波长光源的紫外成像。

公开(公告)号：CN114351238B

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202210021372.7

申请日：2022-01-10

Applicant: 广东工业大学

Inventor： 赵伟娜 ,  王金龙

IPC: C30B1/02 ,  C30B1/10 ,  C30B29/46 ,  C30B33/00 ,  H01L31/032 ,  H01L31/036 ,  H01L31/18 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于二维材料技术领域，具体涉及一种二维四元原子层单晶的制备及其在光电子器件中的应用，本发明通过对Cu、Bi、P、Se四种元素进行真空煅烧成功制备出一种新型四元二维材料CuBiP2Se6，制备方法简单，制备周期短，扩展了二维材料家族；同时，本发明成功制备出一种基于二维CuBiP2Se6材料的光电子器件，该器件拥有优秀的光电性能。此外，本发明的CuBiP2Se6材料属于少见的本征p型二维半导体，有望应用于未来的可见近红外光电子器件。

公开(公告)号：CN113611760B

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202110768999.4

申请日：2021-07-07

Applicant: 中山德华芯片技术有限公司

Inventor： 牛文龙 ,  杨文奕 ,  刘建庆 ,  吴倩

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/036 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种锗太阳能电池及其制备方法和应用，属于太阳能电池技术领域。本发明提供的锗太阳能电池，包括依次叠加设置的锗衬底和外延片；锗衬底远离外延片一侧表面，设置有沟槽；沟槽的设置方向与锗衬底的 晶向相交错。本发明的锗太阳能电池通过优化结构设计，能够实现常规刚性太阳能电池的球面弯曲，同时降低了传统锗太阳能电池的重量。