公开(公告)号：CN101165004A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200710175600.1

申请日：2007-10-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 霍海滨 ,  戴伦 ,  秦国刚 ,  杨卫全 ,  马仁敏

IPC: C04B41/53

Abstract: 本发明公开了一种制备硅纳米线的方法。本发明方法，包括如下步骤：1)将纳米线分散在硅衬底上；2)以所述纳米线为掩膜干法刻蚀所述硅衬底，刻蚀掉纳米线以外的硅衬底部分，得到硅纳米线。本发明采用纳米线作为掩膜，并结合ICP干法刻蚀手段，可以获得尺寸和电学性能可控制的硅纳米线，该方法操作简单、速度快、可靠，不需要采取通常的气体生长源、催化剂、高温生长炉等。本发明方法适合于制备各种硅纳米线器件，以及其他半导体纳米材料与硅相结合的器件，在发展新型纳米光电器件、实现与Si微电子集成等方面将具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN1881645A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200510077056.8

申请日：2005-06-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 秦国刚 ,  马国立 ,  冉广照 ,  徐爱国 ,  乔永平

IPC: H01L51/10 ,  H01L51/40 ,  H01L33/00 ,  H05B33/26 ,  H05B33/10

Abstract: 本发明公开了一种顶出光电极及其制备方法。本发明所提供的顶出光电极，包括衬底和位于衬底上的有机发光层，其中，有机发光层上设有稀土元素层，在稀土元素层上还设有该稀土元素与Au或Ag的复合层。本发明用低功稀土元素/低功稀土元素：Au或Ag复合层作为顶出光电极的上电极材料，可以兼顾透光率、稳定性和低成本等要素，该电极可以用普通的真空蒸镀方法(10－5托)来完成，制备方法简单；而外层的低功稀土元素：Au或Ag复合层导致的光吸收和光反射都较Ag层小，且不易被氧化，从而较好保证了器件的电稳定性和发光稳定性，同时又有较好的防止水汽透入有机层的作用。本发明的顶出光电极可广泛应用于无机薄膜、半导体发光，光电器件和光探测器等方面。