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公开(公告)号：CN101165004A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710175600.1
申请日：2007-10-08
Applicant: 北京大学
IPC: C04B41/53
Abstract: 本发明公开了一种制备硅纳米线的方法。本发明方法，包括如下步骤：1)将纳米线分散在硅衬底上；2)以所述纳米线为掩膜干法刻蚀所述硅衬底，刻蚀掉纳米线以外的硅衬底部分，得到硅纳米线。本发明采用纳米线作为掩膜，并结合ICP干法刻蚀手段，可以获得尺寸和电学性能可控制的硅纳米线，该方法操作简单、速度快、可靠，不需要采取通常的气体生长源、催化剂、高温生长炉等。本发明方法适合于制备各种硅纳米线器件，以及其他半导体纳米材料与硅相结合的器件，在发展新型纳米光电器件、实现与Si微电子集成等方面将具有广泛的应用前景。
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