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公开(公告)号：CN101397644A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810117000.4
申请日：2008-07-22
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明是一种Ti基大块非晶合金及其生产方法，其化学成分为(原子百分比)：TixZryBezVu，其中36≤x≤50，28≤y≤34，16≤z≤36，0≤u≤6，且x+y+z+u＝100。本发明的生产方法是先用真空电弧炉熔炼母合金，然后将母合金置于快速凝固装置的电弧炉中熔化，熔化后吸铸到铜模中形成非晶态合金棒，非晶含量50％到100％。Ti基大块非晶具有极高的强度以及良好的室温耐蚀性，并且Ti基大块非晶的玻璃转变温度较高，可作为新型高温耐蚀结构材料。本发明的优点在于舍弃掉了以前钛基非晶合金的后过渡族元素，如Ni，Cu和Sn等，使钛基非晶合金具有更低的密度和更高得比强度。
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公开(公告)号：CN100448798C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200710098903.8
申请日：2007-04-29
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/81 , C04B41/91
Abstract: 一种制备碳化硅晶须增强碳化硅复合材料零件的方法，属于陶瓷基复合材料及其零部件的制备技术领域。是采用粉末注射成形与先驱体转化相结合工艺制备SiCw/SiC复合材料零件。将SiC微粉和SiC晶须与所配制的粘结剂按照一定的比例混合成均匀的喂料。喂料经制粒后通过模具在注射成形机上注射成形，得到所需形状的SiCw/SiC复合材料零件成形坯。所得的SiCw/SiC复合材料零件成形坯经过热脱脂后，在1300～1500℃温度下预烧结，最后将SiCw/SiC复合材料零件置于烧结炉烧结致密化。优点在于，减少了粉末注射成形SiC陶瓷粘结剂的使用量，提高了零件的性能和尺寸精度以及生产效率，实现了复杂SiCw/SiC复合材料零件的近终形、低成本和批量化生产。
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公开(公告)号：CN101049669A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200710099130.5
申请日：2007-05-14
Applicant: 北京科技大学
IPC: B23P17/00 , B23P23/04 , C22C38/02 , C22C33/04 , B21J5/00 , B21B1/22 , B21B37/74 , B21B37/16 , B21B37/58 , C21D9/46 , C21D11/00
Abstract: 一种高硅钢薄板的冷轧制备方法，属于金属材料制备技术领域。薄板中Fe含量为85－96％，Si含量为4－15％，均为重量比；其工艺为：原料准备，硅含量的范围为4－15％，硼的含量为100－5000ppm，其余为铁；冶炼，浇铸；锻造成厚度10－20mm的板坯；热轧到1－2mm；热轧板热处理；温轧得到0.2－0.3mm的板材；温轧板热处理；冷轧得到厚度为0.03－0.05mm的高硅钢板。优点在于，利用冷轧方法制备该合金，而由于该材料的室温脆性，该传统方法在之前被认为不可能制备出高硅钢。所制备出来的冷轧薄带具有良好的板形，表面具有金属光泽。该生产工艺具有普遍适用性，成本低；由于高硅钢优异的软磁性能，具有广阔的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN101020983A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200710065071.X
申请日：2007-04-02
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于金属材料中的金属间化合物技术领域，特别是提供了一种如何优化大尺寸铸态高铌TiAl基合金组织以获得细小均匀全片层组织的热处理方法。其特征在于从Φ(100～200)×(200～500)毫米的铸态高铌TiAl基合金铸锭的中心线切割出尺寸为(10×10×10)～(60×60×60)毫米范围的合金试样，未经过其它任何处理，装入坩埚后，在1350～1400℃范围将其放入热处理炉中保温6～36小时，之后将其取出立即放入炉温为900～1050℃的热处理炉中保温30～60分钟，最后从炉中取出在空气中冷却至室温。本发明是合金经熔炼后直接通过热处理获得细小均匀的全片层组织，没有经过多步包套锻造的热机械加工工艺细化组织，极大地增大了合金材料的可利用尺寸，同时也降低了铸态合金应用前的加工成本。
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公开(公告)号：CN118468568A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410611037.1
申请日：2024-05-16
Applicant: 北京科技大学
IPC: G06F30/20 , G06F30/27 , G06F111/06
Abstract: 本发明公开一种压气机叶型设计变量自适应优化方法和系统，包括：在原始叶型的基础上获得设计变量的初始样本，使用改进的FFD参数化方法得到变形后的叶型；构建基于预筛选策略的混合代理模型，采用改进的差分进化算法进行全局迭代寻优获得此轮迭代的最优解#imgabs0#；判断是否满足退出大循环条件，如果满足就退出大循环，使用#imgabs1#得到最优的叶型，否则判断#imgabs2#是否满足自适应扩展设计变量边界的条件，如果不满足进行下一步判断；否则进行设计变量边界扩展，得到新解#imgabs3#，然后进行下一步判断：是否满足自适应增加控制顶点条件，如果满足则增加控制顶点，然后结束此轮大循环，否则直接结束此轮大循环。本发明可对压气机叶型设计变量进行自适应优化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113410131B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202110678479.4
申请日：2021-06-18
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L21/027 , C23C14/04 , C23C14/16 , C23C14/34
Abstract: 本发明提供一种筛选高熵合金成分的方法，包括以下步骤：S1.设计光刻胶模板的图案；S2.通过光刻技术在基板表面制作模板图案的化学掩模版；S3.使用多靶共溅射在具有设计图案的化学掩模版的基板上沉积高熵薄膜；S4.表征高熵薄膜；S5.筛选出优异性能的高熵合金成分。本发明提升材料成分设计的效率节约成本：本发明的模板图案即可根据表征手段对样品的要求来设计，灵活性较强；提高筛选的精度，减小梯度密度。
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公开(公告)号：CN115216569B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202210873138.7
申请日：2022-07-22
Applicant: 北京科技大学
IPC: C21B5/00
Abstract: 本发明提供了一种通过理论燃烧温度调控高炉喷吹熔剂工艺参数的方法，S1.根据预先设定的高炉喷吹工艺参数，确定未喷吹熔剂时的基准理论燃烧温度；S2.按步骤S1所述的高炉喷吹工艺参数，计算喷吹熔剂时的实际理论燃烧温度；S3.设基准理论燃烧温度与实际理论燃烧温度的差值为y，以y＝0为目标，调整富氧率、风温和风量，即得到新的高炉喷吹熔剂工艺参数。本发明充分考虑了不同熔剂在高炉风口回旋区及在高炉造渣过程中的作用，科学评价高炉复合喷吹熔剂对风口回旋区热平衡的影响，进而实现对高炉喷吹熔剂种类及用量的定向优化，从而提高高炉冶炼效率和质量，降低能耗。
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公开(公告)号：CN111680896B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202010459851.8
申请日：2020-05-27
Applicant: 北京科技大学 , 神华神东煤炭集团有限责任公司 , 北京低碳清洁能源研究院
IPC: G06Q10/0635 , G06Q50/02 , G06F30/20 , G01N33/24 , G01N33/22 , G01N15/08 , G06F111/10 , G06F113/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供一种煤矿地下水库安全距离确定方法，其包括：确定测点的煤岩层厚度和地质构造情况，并制作煤岩样标准试验；对测点煤岩样进行物理力学性质测试，获取其预设类型的物理力学参数；基于所获取的测点煤岩样的预设类型的物理力学参数，开展模拟试验，分析煤矿地下水库坝体和地下水库底板的裂隙发育及渗透率变化情况；基于模拟试验结果，进行上煤层煤矿地下水库安全稳定性评价；基于地下水库安全稳定性评价结果，确定煤矿地下水库安全距离。本发明的方法可确定下煤层首采面与上煤层地下水库之间的水平安全距离，从而可确保在下煤层开采扰动下，对上煤层地下水库结构不会造成破坏。
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公开(公告)号：CN115216569A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210873138.7
申请日：2022-07-22
Applicant: 北京科技大学
IPC: C21B5/00
Abstract: 本发明提供了一种通过理论燃烧温度调控高炉喷吹熔剂工艺参数的方法，S1.根据预先设定的高炉喷吹工艺参数，确定未喷吹熔剂时的基准理论燃烧温度；S2.按步骤S1所述的高炉喷吹工艺参数，计算喷吹熔剂时的实际理论燃烧温度；S3.设基准理论燃烧温度与实际理论燃烧温度的差值为y，以y＝0为目标，调整富氧率、风温和风量，即得到新的高炉喷吹熔剂工艺参数。本发明充分考虑了不同熔剂在高炉风口回旋区及在高炉造渣过程中的作用，科学评价高炉复合喷吹熔剂对风口回旋区热平衡的影响，进而实现对高炉喷吹熔剂种类及用量的定向优化，从而提高高炉冶炼效率和质量，降低能耗。
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公开(公告)号：CN113410131A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110678479.4
申请日：2021-06-18
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L21/027 , C23C14/04 , C23C14/16 , C23C14/34
Abstract: 本发明提供一种筛选高熵合金成分的方法，包括以下步骤：S1.设计光刻胶模板的图案；S2.通过光刻技术在基板表面制作模板图案的化学掩模版；S3.使用多靶共溅射在具有设计图案的化学掩模版的基板上沉积高熵薄膜；S4.表征高熵薄膜；S5.筛选出优异性能的高熵合金成分。本发明提升材料成分设计的效率节约成本：本发明的模板图案即可根据表征手段对样品的要求来设计，灵活性较强；提高筛选的精度，减小梯度密度。
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