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公开(公告)号：CN114736408A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210298742.1
申请日：2022-03-23
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高介电的聚酰亚胺/聚偏二氟乙烯(PI/PVDF)复合薄膜制备方法。首先通过4,4’‑二氨基二苯醚和均苯四甲酸二酐制备出PI的前驱体，然后将PVDF分批添加到PI前驱体中，并在80‑200摄氏度的温度范围内进行低温热亚胺化。该方法可以避免高温处理使PI与PVDF相分离而引入孔洞，是制备出兼顾高介电常数和高介电强度的PI/PVDF复合薄膜有效方法。与传统高温(200摄氏度以上)热亚胺化制备的纯PI薄膜相比，在测试频率为1000赫兹时，质量分数为百分之15的PI/PVDF复合薄膜的相对介电常数可达4.68，是纯PI的1.51倍；储能密度为2.68焦耳/立方厘米，是纯PI的1.49倍。
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公开(公告)号：CN114645286A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210325895.0
申请日：2022-03-30
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C25B1/26 , C25B9/19 , C25B15/02 , C25B15/027 , C25B15/031 , B01J27/06 , B01J35/00 , B01J37/34
Abstract: 一种高催化活性卤氧化铋表相氧空位的调控方法。本发明采用电化学辅助的方法对催化剂进行处理，提高卤氧化铋光催化剂的表相氧空位的浓度，从而大幅度提高降解有机污染物的光催化性。本方法如下：一、将卤氧化铋放入含有水的电解池中，电解池以隔膜分开；二、在搅拌的状态下，通过酸(或碱)调节电解液的pH值；三、将电极插入电解池中，在恒压(或恒流)模式下维持一定时间，通电过程中控制电解池中液体的温度；四、将步骤三得到的粉体过滤后清洗至中性，烘干既得富含高浓度表相氧空位的卤氧化铋粉体。本发明制备方法简单，价格低廉且样品表相氧空位浓度高等优点。
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公开(公告)号：CN114427113A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202210017333.X
申请日：2022-01-07
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种CuBr纳米线及其制备方法，制备方法主要包括：将CuCl2溶液与Na2PdCl4溶液按比例混合；按照一定剂量比加入KBr粉末并进行预加热；再按比例加入抗坏血酸溶液，在预设温度下快速搅拌反应5‑6小时；得到的产物经固液分离即为CuBr纳米线成品。制备过程中通过引入Pd离子可有效辅助CuBr纳米晶种生长为纳米线形貌。相比于同类制备方法，本发明所提供的方法对设备要求低、易于产业化生产。此外，各向异性的纳米线形貌将有益于CuBr材料性能的拓展与提升。
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公开(公告)号：CN110534910A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910833267.1
申请日：2019-09-04
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 基于光选择性调控金属-二维有机无机杂化钙钛矿超材料的太赫兹环偶器件及其制备方法，它涉及微电子和太赫兹超材料功能器件领域。它要解决现有太赫兹环偶极子超材料存在结构和制备工艺繁琐、功能单一、应用范围窄的问题。器件：包括衬底、周期性排列的两个双开口金属谐振环结构单元和两个双开口金属谐振环上分别覆盖不同组分的二维有机无机杂化钙钛矿。方法：高阻硅上涂光刻胶，前烘、曝光、显影和定影；淀积金属；淀积Parylene，形成掩膜结构；涂钙钛矿溶液；退火；淀积Parylene，形成掩膜结构；涂钙钛矿溶液；退火。本发明应用条件简便、工作模式可自由切换，工艺简单、成本低。本发明应用于微电子和太赫兹超材料功能器件领域。
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公开(公告)号：CN106397798B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201610806328.1
申请日：2016-09-07
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种改性BaTiO3/PI介电储能三层结构复合薄膜及其制备方法，所述的改性BaTiO3/PI三层结构复合薄膜是由上下两层为改性BaTiO3纳米粒子所填充的PI复合材料和中间层为纯PI材料构成的。本发明采用原位聚合方法和涂膜工艺制备改性BaTiO3/PI三层结构复合薄膜。通过实验测试发现，该复合薄膜的介电综合性能优异，同时具有较高击穿场强和储能密度，使得它在电容器和储能器方面具有很大应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109453792A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811398430.8
申请日：2018-11-22
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: B01J27/051 , B01J35/02 , B01J33/00
Abstract: 一种在光芬顿反应中抗光腐蚀的硫化物异质结材料的制备方法，属于光化学能转换、光催化降解领域。本发明要解决在过氧化氢诱导的强氧化性光芬顿反应中，对硫化物的腐蚀可能加剧的技术问题。本发明方法：一、将α-Fe2O3纳米颗粒加入到去离子水中，搅拌，然后依次加入Na2MoO4·2H2O和CH4N2S，超声震荡，升温后保温，无水乙醇洗涤3次后离子水洗涤3次，干燥，得到Fe2O3/MoS2；二、将步骤一获得的Fe2O3/MoS2分散于混合溶液中，超声震荡，然后在室温下搅拌使TEOS完全水解，取沉淀物，真空干燥，得到硫化物异质结材料。本发明用于光化学能转换、光催化降解领域。
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公开(公告)号：CN106192012B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201610807845.0
申请日：2016-09-07
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高介电常数二异丙胺硝酸盐有机晶体及其生长方法，属于单斜晶系，空间群为P21/n，晶胞参数为a=8.1799Å，b=8.3530Å，c=14.3808Å，α=γ=90.00°，β=96.72°。二异丙胺硝酸盐有机晶体采用室温下籽晶溶液蒸发法生长，得到的有机晶体尺寸为11mm×5mm×3mm，通过测试晶体介温谱，发现该晶体有很高的介电常数，该晶体可以应用于电容器等领域。
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公开(公告)号：CN107799906A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201711071629.5
申请日：2017-11-03
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明提出了一种可调谐的太赫兹石墨烯超材料吸收器，包括叠合在一起的四层结构：图形化的石墨烯超材料顶层、介质中间层、金属底层以及衬底；在所述的衬底上设置金属底层，在所述金属底层上设置介质中间层，在所述介质中间层上设置图形化的石墨烯超材料顶层。本发明采用石墨烯代替传统的金属结构构建太赫兹超材料吸收器，通过静电掺杂调谐两石墨烯圆盘的费米能，从而控制两石墨烯圆盘的谐振特性以及圆盘之间的近场耦合特性，实现对吸收器的吸收强度、带宽和频率灵活控制。
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公开(公告)号：CN106735180A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611148043.X
申请日：2016-12-13
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: B22F1/02
Abstract: 一种聚苯乙烯包覆金属纳米颗粒的方法。本发明涉及有机无机复合纳米粒子制备领域，特别是涉及一种聚苯乙烯包覆金属纳米颗粒的方法。本发明是要解决现有方法不能有效的防止金属纳米颗粒团聚和氧化，且成本高的问题。方法：一、功能化金属纳米颗粒；二、功能化后的金属纳米颗粒、蒸馏水、无水乙醇和聚乙烯吡咯烷酮混合，得到反应体系，将反应体系的温度升温至45℃后，向反应体系中加入苯乙烯和偶氮二异丁腈，将反应体系的温度升温至81℃～84℃，搅拌2h，向反应体系中加入饱和氯化钠溶液进行破乳，对油相进行减压抽滤后洗涤，真空烘干，得到聚苯乙烯包覆的金属纳米颗粒。本发明用于金属纳米颗粒进行包覆，防止金属纳米颗粒团聚和氧化。
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公开(公告)号：CN103724622B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201310653545.8
申请日：2013-12-06
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种铌酸钾钠/聚酰亚胺高介电薄膜的制备方法，它涉及一种铌酸钾钠/聚酰亚胺高介电薄膜的制备方法，本发明的目的是要解决现有的高介电聚合物-陶瓷复合薄膜的介电综合性能较差，不能满足微电子领域高介电柔性薄膜需求的问题，本发明的制备方法为：一、称量原料；二、原料的干燥；三、制备混合溶液A；四、制备混合溶液B；五、制备聚酰胺酸溶液；六、制备亚胺化后的玻璃板；七、脱模、制样，即完成。本发明的铌酸钾钠/聚酰亚胺高介电薄膜的介电综合性能优异，可满足微电子领域高介电柔性薄膜的需求。本发明应用于无机/有机复合材料的制备技术领域。
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