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公开(公告)号：CN101764058A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910247379.5
申请日：2009-12-31
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/28
Abstract: 本发明属于微电子器件技术领域，具体为一种形成超薄可控的金属硅化物的方法。该方法包括在硅衬底上沉积金属层，金属层向硅衬底扩散，除去硅衬底表面剩余金属，退火，形成金属硅化物薄层等步骤，沉积的金属包括镍、钴、钛或铂等。沉积金属时还可以掺入铂、钨或钼等。硅衬底中还可以掺入适量碳、氮或氧等。本发明可通过控制衬底温度，硅衬底的离子注入预处理，沉积、扩散和退火重复次数等手段控制金属硅化物最终厚度。本发明方法制备的金属硅化物层热稳定性高，且生长速度可控。本发明可以用来形成金属-半导体肖特基结，也可用于在高掺杂的半导体上形成金属和半导体之间的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN103021865B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210536723.4
申请日：2012-12-12
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种金属硅化物薄膜和超浅结的制作方法。本发明中，通过采用金属和半导体掺杂杂质的混合物做靶材，物理气相沉积PVD法在半导体衬底上淀积混合物薄膜，湿法去除该混合物薄膜，并进行退火形成金属硅化物薄膜和超浅结。由于采用金属和半导体掺杂杂质的混合物做靶材淀积混合物薄膜，并在进行加热退火之前，湿法去除混合物薄膜，使得在半导体场效应晶体管制作过程中能同步形成自限制极限超薄均匀金属硅化物薄膜及超浅结，可以应用在14纳米、11纳米及以下技术节点场效应晶体管中。
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公开(公告)号：CN105067012A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510387408.3
申请日：2015-07-03
Applicant: 复旦大学
IPC: G01D3/036
Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，公开了一种稳定薄膜晶体管传感器性能的测试方法。本发明通过在薄膜晶体管结构的一类电子器件的栅极上施加极性交变的脉冲激励，以消除晶体管转移特性曲线中的迟滞现象。所施加的交变脉冲信号极性交替，这种正负电压激励，可以消除恒定极性栅极电压偏置下栅介质层或沟道敏感层的电荷积累，从而消除迟滞。当使用栅控晶体管结构的传感器时，通过这种交变脉冲激励方法，可以使得背景电流更加稳定，测量结果更加可靠，精确。
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公开(公告)号：CN102655176B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201210144846.3
申请日：2012-05-10
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及半导体工艺技术领域，公开了一种具有纳米线结构的电容器及其制备方法。在本发明中，先在衬底上形成第一导电层；然后在第一导电层上制备金属半导体化合物纳米线，构成底层金属；依次在底层金属上形成介质层、金属层，并由该金属层构成上层金属。本发明通过在第一导电层上制备金属半导体化合物纳米线，构成电容器结构的底层金属，增加了电容器结构的电极面积，从而增大了电容器的电容量；由于在第一导电层上制备的金属半导体化合物具有纳米线结构，使得构成的底层金属具备立体结构，因此可使得电容器结构在同等芯片面积下，增加了电容表面积，从而增大了电容器的电容量，即提供了小尺寸大容量的电容器结构。
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公开(公告)号：CN103474454A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310188487.6
申请日：2013-05-20
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种半导体-金属-半导体叠层结构的制备方法，该方法通过在单晶半导体衬底上先制备超薄的单晶金属半导体化合物薄膜，再在单晶金属半导体化合物薄膜上制备单晶或多晶半导体薄膜，从而得到了由单晶半导体衬底、位于单晶半导体衬底上的超薄单晶金属硅化物薄膜、以及位于单晶金属硅化物薄膜上的单晶或多晶半导体薄膜构成的叠层结构，该方法简单可靠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103472115A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310359689.2
申请日：2013-08-16
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明涉及晶体管，公开了一种离子敏感场效应晶体管。该离子敏感场效应晶体管包含半导体衬底202，以及位于半导体衬底202上通过掺杂形成的源极101和漏极102，源极101和漏极102之间有一个被刻蚀到半导体衬底202内部的凹槽结构，在该凹槽结构表面生成离子敏感膜103，就形成了栅绝缘层。由于本发明中凹槽结构是被刻蚀到半导体衬底202内部的，有一定的深度，这样的结构能对溶液201中的被测氢离子起到屏蔽保护的作用，使得在测量氢离子浓度时免遭周围环境中电磁场的干扰，进而使测量结果的准确性和可重复性都得到了有效的提高。
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公开(公告)号：CN103021865A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210536723.4
申请日：2012-12-12
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种金属硅化物薄膜和超浅结的制作方法及半导体器件。本发明中，通过采用金属和半导体掺杂杂质的混合物做靶材，物理气相沉积PVD法在半导体衬底上淀积混合物薄膜，湿法去除该混合物薄膜，并进行退火形成金属硅化物薄膜和超浅结。由于采用金属和半导体掺杂杂质的混合物做靶材淀积混合物薄膜，并在进行加热退火之前，湿法去除混合物薄膜，使得在半导体场效应晶体管制作过程中能同步形成自限制极限超薄均匀金属硅化物薄膜及超浅结，可以应用在14纳米、11纳米及以下技术节点场效应晶体管中。
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公开(公告)号：CN103021821A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210491549.6
申请日：2012-11-27
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/20 , H01L21/268
Abstract: 本发明涉及半导体工艺技术领域，公开了一种位于柔性衬底上的金属或半导体结构及其退火方法。本发明中，通过采用微波加热方式，对位于柔性衬底上的金属或者半导体结构进行退火，由于微波加热对物质具有选择性加热的特性，使得在对位于柔性衬底上的金属或半导体结构退火时，可选择性地只对非晶硅层或者金属层加热，而柔性衬底不会吸收或基本不吸收微波能量，因此柔性衬底不会在微波退火时被加热到很高的温度，从而保证了柔性衬底不被破坏；而且微波加热能使被加热物料内外同时加热、同时升温，加热均匀，因此，本发明提供的方法能在低温下完成对位于柔性衬底上的金属或半导体结构的退火，并且加热均匀，加热能耗效率高。
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公开(公告)号：CN103000579A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210544371.7
申请日：2012-12-14
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
Abstract: 本发明涉及半导体领域，公开了一种半导体器件及其制备方法。本发明中，通过在对应于晶体管的源极和漏极的金属硅化物接触区的位置上的绝缘介质层中形成通孔，并在通孔内填充金属半导体混合物，将源极和漏极引出。由于金属半导体混合物的电阻率较低，因此可以使得通孔内物质本身的电阻尽量小；而且，由于通孔内的填充材料与源极和漏极接触区的材料均为金属半导体混合物，因此可以使通孔内物质与源极和漏极接触区之间的接触电阻尽量小。此外，由于通孔内填充的是金属半导体混合物，使得通孔内的材料与绝缘介质层的材料之间具有良好的界面和粘附性，又不破坏介质层材料的结构，因此也无需在通孔内的填充材料和绝缘介质层之间形成阻挡层。
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公开(公告)号：CN102044433B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN200910196982.5
申请日：2009-10-10
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/08 , H01L27/02
Abstract: 本发明属微电子领域，涉及一种混合源漏场效应晶体管及其制备方法。该晶体管可以用来作为集成电路的基本单元。本发明提供的晶体管具有混合源漏，源极是由常规的pn结构成，漏极为肖特基结。同时，源极和漏极可以互换，即源极为肖特基结，而漏极是常规的pn结。当源漏互换时，器件所表现出来的电性行为不同。同常规的pn结相比，本发明具有低的寄生电阻和良好的按比例缩小的特性。本发明能缓解若干与纯粹肖特基源漏晶体管有关的潜在问题。而且，本发明混合源漏晶体管源漏结构适合不同电路模块中晶体管的要求，该源漏结构的易互换性能增加电路设计的灵活性。
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