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公开(公告)号：CN102969276A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210544997.8
申请日：2012-12-14
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
Abstract: 本发明涉及半导体领域，公开了一种半导体器件及其制备方法。本发明中，通过在晶体管的源极和漏极形成金属半导体化合物接触区，同时在对应位置上的绝缘介质层中形成的通孔内，形成金属半导体化合物，将源极和漏极引出。由于金属半导体化合物的电阻率较低，因此可以使得通孔内的物质本身的电阻尽量小；而且，由于通孔内的填充材料与源极和漏极接触区的材料均为金属半导体化合物，因此可以使通孔内物质与源极和漏极接触区之间的接触电阻尽量小。此外，由于通孔内填充的是金属半导体化合物，使得通孔内的导电材料与绝缘介质层的材料之间具有良好的界面和粘附性，又不破坏介质层材料的结构，因此也无需在通孔内的填充材料和绝缘介质层之间形成阻挡层。
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公开(公告)号：CN103940884A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410100281.8
申请日：2014-03-18
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明涉及晶体管，公开了一种离子敏感场效应晶体管及其制备方法。该离子敏感场效应晶体管包含半导体衬底，场氧化层，位于半导体衬底上通过掺杂形成的源极和漏极，源极和漏极之间被刻蚀到半导体衬底内部的凹槽结构，位于凹槽外围并与源极和漏极掺杂类型相同的凹形掺杂区域，该凹形掺杂区域中掺杂浓度峰值处的区域为埋层凹槽，该埋层凹槽与凹槽互不接触，上述场氧化层位于半导体衬底上除源极、漏极和凹槽之外的所有区域，凹槽表面有离子敏感膜。与现有技术相比，本发明中的晶体管能够在测量时免遭周围环境中电磁场的干扰，而且测量时电流密度更大，还能够避免凹槽的表面缺陷或表面固态电荷在测量时对电流灵敏度的影响。
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公开(公告)号：CN105067012A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510387408.3
申请日：2015-07-03
Applicant: 复旦大学
IPC: G01D3/036
Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，公开了一种稳定薄膜晶体管传感器性能的测试方法。本发明通过在薄膜晶体管结构的一类电子器件的栅极上施加极性交变的脉冲激励，以消除晶体管转移特性曲线中的迟滞现象。所施加的交变脉冲信号极性交替，这种正负电压激励，可以消除恒定极性栅极电压偏置下栅介质层或沟道敏感层的电荷积累，从而消除迟滞。当使用栅控晶体管结构的传感器时，通过这种交变脉冲激励方法，可以使得背景电流更加稳定，测量结果更加可靠，精确。
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公开(公告)号：CN103472115A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310359689.2
申请日：2013-08-16
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明涉及晶体管，公开了一种离子敏感场效应晶体管。该离子敏感场效应晶体管包含半导体衬底202，以及位于半导体衬底202上通过掺杂形成的源极101和漏极102，源极101和漏极102之间有一个被刻蚀到半导体衬底202内部的凹槽结构，在该凹槽结构表面生成离子敏感膜103，就形成了栅绝缘层。由于本发明中凹槽结构是被刻蚀到半导体衬底202内部的，有一定的深度，这样的结构能对溶液201中的被测氢离子起到屏蔽保护的作用，使得在测量氢离子浓度时免遭周围环境中电磁场的干扰，进而使测量结果的准确性和可重复性都得到了有效的提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103472115B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201310359689.2
申请日：2013-08-16
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明涉及晶体管，公开了一种离子敏感场效应晶体管。该离子敏感场效应晶体管包含半导体衬底202，以及位于半导体衬底202上通过掺杂形成的源极101和漏极102，源极101和漏极102之间有一个被刻蚀到半导体衬底202内部的凹槽结构，在该凹槽结构表面生成离子敏感膜103，就形成了栅绝缘层。由于本发明中凹槽结构是被刻蚀到半导体衬底202内部的，有一定的深度，这样的结构能对溶液201中的被测氢离子起到屏蔽保护的作用，使得在测量氢离子浓度时免遭周围环境中电磁场的干扰，进而使测量结果的准确性和可重复性都得到了有效的提高。
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公开(公告)号：CN103940885B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201410100698.4
申请日：2014-03-18
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明涉及晶体管，公开了一种离子敏感场效应晶体管及其制备工艺。包含半导体衬底，栅绝缘层，通过掺杂形成的源极和漏极以及与所述源极和所述漏极掺杂类型相同的埋设沟道，埋设沟道位于半导体衬底内靠近上表面处，且埋设沟道与半导体衬底上表面不接触，源极和漏极分别位于埋设沟道两侧，栅绝缘层位于埋设沟道之上的半导体衬底上。与现有技术相比，本发明中当源极和漏极之间产生电流时，电流优先从埋设沟道流过，而不是从栅绝缘层与半导体衬底的接触界面通过，这样就避免了由于上述接触界面存在的表面缺陷而产生的测量电流的噪声，避免了因表面载流子散射降低器件的信噪比和离子测量的灵敏度。
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公开(公告)号：CN103940884B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410100281.8
申请日：2014-03-18
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明涉及晶体管，公开了一种离子敏感场效应晶体管及其制备方法。该离子敏感场效应晶体管包含半导体衬底，场氧化层，位于半导体衬底上通过掺杂形成的源极和漏极，源极和漏极之间被刻蚀到半导体衬底内部的凹槽结构，位于凹槽外围并与源极和漏极掺杂类型相同的凹形掺杂区域，该凹形掺杂区域中掺杂浓度峰值处的区域为埋层凹槽，该埋层凹槽与凹槽互不接触，上述场氧化层位于半导体衬底上除源极、漏极和凹槽之外的所有区域，凹槽表面有离子敏感膜。与现有技术相比，本发明中的晶体管能够在测量时免遭周围环境中电磁场的干扰，而且测量时电流密度更大，还能够避免凹槽的表面缺陷或表面固态电荷在测量时对电流灵敏度的影响。
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公开(公告)号：CN102969276B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201210544997.8
申请日：2012-12-14
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
Abstract: 本发明涉及半导体领域，公开了一种半导体器件及其制备方法。本发明中，通过在晶体管的源极和漏极形成金属半导体化合物接触区，同时在对应位置上的绝缘介质层中形成的通孔内，形成金属半导体化合物，将源极和漏极引出。由于金属半导体化合物的电阻率较低，因此可以使得通孔内的物质本身的电阻尽量小；而且，由于通孔内的填充材料与源极和漏极接触区的材料均为金属半导体化合物，因此可以使通孔内物质与源极和漏极接触区之间的接触电阻尽量小。此外，由于通孔内填充的是金属半导体化合物，使得通孔内的导电材料与绝缘介质层的材料之间具有良好的界面和粘附性，又不破坏介质层材料的结构，因此也无需在通孔内的填充材料和绝缘介质层之间形成阻挡层。
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公开(公告)号：CN103940885A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410100698.4
申请日：2014-03-18
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明涉及晶体管，公开了一种离子敏感场效应晶体管及其制备工艺。包含半导体衬底，栅绝缘层，通过掺杂形成的源极和漏极以及与所述源极和所述漏极掺杂类型相同的埋设沟道，埋设沟道位于半导体衬底内靠近上表面处，且埋设沟道与半导体衬底上表面不接触，源极和漏极分别位于埋设沟道两侧，栅绝缘层位于埋设沟道之上的半导体衬底上。与现有技术相比，本发明中当源极和漏极之间产生电流时，电流优先从埋设沟道流过，而不是从栅绝缘层与半导体衬底的接触界面通过，这样就避免了由于上述接触界面存在的表面缺陷而产生的测量电流的噪声，避免了因表面载流子散射降低器件的信噪比和离子测量的灵敏度。
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