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公开(公告)号：CN1183177A
公开(公告)日：1998-05-27
申请号：CN97190228.3
申请日：1997-02-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S3/18 , H01L21/304
CPC classification number: H01S5/2231 , H01S5/0202 , H01S5/0658
Abstract: 在具有一活性层和其间插入该活性层的一包层结构的半导体激光器中,该包层结构包括一可饱和吸收层,且该可饱和吸收层由InGaAsP形成。
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