公开(公告)号：CN101599617B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200910203147.X

申请日：2009-06-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高山彻 ,  早川功一 ,  佐藤智也 ,  佐佐木正隼 ,  木户口勋

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/028 ,  H01S5/22 ,  H01S5/24 ,  H01S5/10 ,  H01S5/40

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4087 ,  H01S2301/14

Abstract: 本发明提供一种半导体激光器装置，在半导体激光器的特性中可全部满足良好的温度特性、高偏光比、没有紊乱的FFP、高扭折光输出，其具备：n型包层；活性层；以及具有条纹状的脊、和分别夹着位于脊一侧的第1沟和位于另一侧的第2沟而设置的翼区域的p型包层。当设前端面的反射率为Rf，共振器端面的后端面的反射率为Rr，前端面附近区域的第1沟的宽度的最小值为W1及第2沟的宽度的最小值为W2，后端面的第1沟的宽度为W3及上述第2沟的宽度为W4时，Rf＜Rr，W1＜W3以及W2＜W4的关系式成立，当设前端面的脊的宽度为Wf，后端面的脊的宽度为Wr时，Wf＞Wr的关系式成立，脊包含由前端面侧向后端面侧宽度减少的区域。

公开(公告)号：CN101123343B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200710141399.5

申请日：2007-08-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高山彻 ,  佐藤智也 ,  早川功一 ,  木户口勋

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01S5/227 ,  H01S5/40

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/162 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/221 ,  H01S5/2218 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/4087 ,  H01S2301/18

Abstract: 衬底上具有多个发光部的半导体激光器，制造工序简化，降低了导波路损失且使水平及垂直扩散角相同。半导体激光装置，在同一衬底(10)上具有红色激光器(A)和红外激光器(B)。红色激光器(A)，是具有条纹(14a)的第一导电型第一包覆层(14)、第二导电型第二包覆层(12)夹着AlGaInP系列活性层(13)的构造。红外激光器(B)，是具有条纹(24a)的第一导电型第三包覆层(24)、第二导电型第四包覆层(22)夹着AlGaAs系列活性层(23)的构造。第一、第二、第三及第四包覆层(依次14、12、24、22)，均为AlGaInP系列，Al∶Ga的组成比依次分别为：X1∶1-X1、X2∶1-X2、X3∶1-X3、X4∶1-X4时，满足X1≥X2以及X3≥X4的关系。

公开(公告)号：CN100454696C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200480035275.3

申请日：2004-12-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 水内公典 ,  山本和久 ,  笠澄研一 ,  木户口勋

IPC: H01S5/062

CPC classification number: H01S5/0625 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/0624 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/22

Abstract: 提供一种半导体激光装置和激光投影装置，在端面反射率不同的半导体激光装置(10)中，将配置在条状脊部(107a)上的电极，分割为由4个电极部(1)、(2)、(3)、(4)构成的四分割结构，使越是接近光出射端面侧的电极部，其注入电流越大。利用这种半导体激光装置，可以使与条状脊部对置的活性层内的载流子密度分布成为适合其光强度分布的分布，因此可以防止由于空间烧孔效应产生的横模的不稳定化和增益降低引起的高输出特性劣化。

公开(公告)号：CN100454597C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200580013357.2

申请日：2005-04-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 石桥明彦 ,  横川俊哉 ,  岛本敏孝 ,  长谷川义晃 ,  川口靖利 ,  木户口勋

IPC: H01L33/00 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/0075 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3216 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体的制造方法，包括：准备n-GaN基板(101)的工序(A)；在基板(101)上形成具有与基板(101)的主面平行的上面的多个条纹状脊的工序(B)；在多个条纹状脊的上面选择性地生长以第一浓度含有n型杂质的AlxGayInzN晶体(0≤x、y、z≤1：x+y+z＝1)(104)的工序(C)；在AlxGayInzN晶体(104)上生长以低于所述第一浓度的第二浓度含有n型杂质的Alx’Gay’Inz’N晶体(0≤x’、y’、z’≤1：x’+y’+z’＝1)(106)，将相邻的2个AlxGayInzN晶体(104)用Alx’Gay’Inz’N晶体(106)连结而形成1个氮化物半导体层(120)的工序(D)。

公开(公告)号：CN100428590C

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200580001179.1

申请日：2005-02-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 水内公典 ,  山本和久 ,  笠澄研一 ,  木户口勋 ,  北冈康夫

IPC: H01S5/02 ,  G02F1/37 ,  H01S3/02 ,  H01S3/109 ,  H01S3/23

CPC classification number: G02B1/18 ,  G02B27/0006 ,  G11B7/121 ,  G11B7/1275 ,  G11B7/1362 ,  G11B7/1395 ,  H01S3/005 ,  H01S3/0092 ,  H01S3/025 ,  H01S3/0809 ,  H01S3/09415 ,  H01S3/109 ,  H01S3/2391 ,  H01S5/005 ,  H01S5/0092 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02296 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4087

Abstract: 本发明的课题是提供一种缓和了被射出的波长的限制的相干光源。本发明的相干光源是同时射出第一光(3)、和波长比所述第一光(3)短的第二光(4)的相干光源，具备：至少射出第一光(3)的光源主体；透过或反射第一光(3)的反射镜(5)；和在反射镜(5)的至少一部分设置的功能性膜(6)。功能性膜(6)通过第二光(4)呈现光催化效果，第一光(3)的波长为400nm以上，第二光(4)的波长是390nm以下。

公开(公告)号：CN101185211A

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200680018439.0

申请日：2006-12-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村泽智 ,  高山彻 ,  中山久志 ,  藤本康弘 ,  木户口勋

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/227 ,  H01S5/343 ,  G11B7/125

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  G11B7/127 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3436 ,  H01S5/4087

Abstract: 本发明公开了一种半导体激光装置及其制造方法。在将红外线激光部(100)和红色激光部(130)装载在同一n型GaAs基板(101)上的单片两波长激光装置中，红外线激光部(100)的p型第一覆盖层(105)和红色激光部(130)的p型第一覆盖层(135)由同一材料构成且彼此具有不同的杂质浓度。

公开(公告)号：CN1319228C

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200410087416.8

申请日：2004-09-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山根启嗣 ,  上田哲生 ,  木户口勋 ,  河田敏也

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/028 ,  H01L21/02

Abstract: 一种制造半导体器的方法。作为用电介质膜涂覆谐振腔的端面的制备步骤，对作为端面的半导体叠层结构的解理面进行等离子体清洗以阻止吸收激光的导电膜粘附在解理面。在等离子体清洗期间，将含有氩气和氮气的第一处理气体引入真空的ECR溅射装置。在不施加电压的情况下将解理面暴露于处于等离子体态的第一处理气体中一段时间之后，引入含有氩气和氧气的第二处理气体，并当对硅靶施加电压时，将解理面暴露于处于等离子体态的第二处理气体中。

公开(公告)号：CN1271767C

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200410032116.X

申请日：1999-09-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 木户口勋 ,  石桥明彦 ,  粂雅博 ,  伴雄三郎 ,  上山智

IPC: H01S5/343 ,  H01L33/00 ,  C30B25/14 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/34333

Abstract: 首先，将衬底温度升高到1020℃，在由蓝宝石构成的衬底(11)上顺序生长由n型Al0.1Ga0.9N组成的n型包层(14)、由n型GaN组成的n型光波导层(15)、及由n型Al0.2Ga0.8N组成的、抑制n型光波导层(15)构成原子的再蒸发的平坦性维持层(16)。接着，停止III族原料气体供给，将衬底温度降低到780℃，与此同时将运载气体由氢气更换为氮气，然后选择性导入V族源NH3、III族源TMI和TMG生长具有多量子阱结构的有源层(17)。

公开(公告)号：CN1677777A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200410102402.9

申请日：2004-12-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上田哲生 ,  粂雅博 ,  河田敏也 ,  木户口勋

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/20 ,  H01S5/02

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/162 ,  H01S5/168 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4087 ,  H01S2301/18

Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器1，电流阻挡层19在发光端和发光端的相对一端覆盖在光学谐振器的纵向上延伸的p－型第二覆层17和p－型覆盖层18，在光波导中形成无电流注入区。发光端上的电流阻挡层19被制作得足够大，使得从电流注入区流入的载流子不会到达发光端面，分布在发光端面的近场内的光强度被高度集中，能够扩大发出的激光束的水平发散角度。这种结构有可能优化覆层厚度和电流注入区尺寸之后，独立地扩大水平发散角度。

公开(公告)号：CN1574526A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410047569.X

申请日：2004-05-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊藤启司 ,  木户口勋 ,  高山彻 ,  今藤修

IPC: H01S5/20 ,  H01S5/22 ,  H01S5/30

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/18 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明的半导体激光器装置，在基片(101)上至少含有第1导电型的包覆层(102)、活性层(104)和第2导电型的包覆层(107)，其中，具有用于注入载流子的条形结构(117)，射出激光的谐振器的前方端面的条形的宽度大于位于相反侧的后方端面的条形的宽度，而且，前方端面的反射率低于后方端面的反射率。由此，能够根据半导体激光器内部的谐振器方向的光强度分布，控制载流子向活性层(104)注入，能够谋求降低阈值电流，提高斜度效率及提高纽结水平，能够提供一种在高光输出工作时也能以基横模稳定振荡激光的半导体激光器装置。