公开(公告)号：CN107612514A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201711034833.X

申请日：2017-10-30

Applicant: 桂林电子科技大学 ,  桂林斯壮微电子有限责任公司

Inventor： 李海鸥 ,  谢仕锋 ,  邹锋 ,  首照宇 ,  高喜 ,  李琦 ,  蒋振荣 ,  张法碧 ,  陈永和 ,  肖功利 ,  李陈成

IPC: H03F1/26 ,  H03F3/195

Abstract: 本发明涉及一种Ka波段MMIC低噪声放大器，主要解决现有技术中的噪声系数高、带内增益平坦度差、线性度差的技术问题。通过采用包括两级放大器、λ/4传输线结构以及三级匹配网络，该两级放大器包括第一级场效应晶体管放大器，第一级栅极偏置网络，第一级漏极偏置网络以及第一级源极的电阻、第一级源极的电容并联网络，第二级放大器，第二级栅极偏置网络，第二级漏极偏置网络以及第二级源极的电阻、电容并联网络；该λ/4传输线结构包括与第一级栅极偏置网络连接的第一传输线网，以及与第一级漏极偏置网络连接的第二传输线网的技术方案，较好的解决了该问题，能够用于Ka波段的通信领域。

公开(公告)号：CN106803518A

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201710086446.4

申请日：2017-02-17

Applicant: 桂林电子科技大学 ,  广西科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  罗乐 ,  李琦 ,  首照宇 ,  陈永和 ,  杨年炯 ,  李思敏 ,  张法碧 ,  高喜 ,  傅涛

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开一种基于场氧层电场调制的功率器件，通过在场氧层内引入同型变掺杂的同型固定界面电荷区电场分布与漂移区体电场相互调制，引入的新电场尖峰优化了漂移区的表面电场强度，使得表面电场分布更加均匀，从而提高器件的横向耐压特性。此外，变掺杂固定界面电荷区，不仅提高了器件的耐压特性，同时其固定电荷结构简单，受温度、应力影响较小，工艺容差高，与常用的漂移区内局部掺杂电荷的结构可同时使用，通过对引入的同型固定界面电荷区的面密度，分布区域，分布连续性进行优化，获取更佳的击穿电压，并提供更多的提高击穿电压的结构，可广泛运用于多种半导体功率器件。

公开(公告)号：CN119967818A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202510019317.8

申请日：2025-01-06

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 彭英 ,  陈恒杰 ,  陈琰 ,  乐宇乔 ,  张法碧 ,  刘兴鹏

IPC: H10B63/10 ,  H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 本申请提供一种基于亚微米级电极的超薄GeTe基相变存储器及其制备方法，基于亚微米级电极的超薄GeTe基相变存储器包括底电极层、电热隔离层、相变材料层和顶电极层，相变材料层为GeTe，电热隔离层连接于底电极层上并设有图形结构，相变材料层设于图形结构内并与底电极层连接，顶电极层连接于电热隔离层上并对应图形结构设有凸出部，凸出部伸入图形结构内并连接于相变材料层。本申请的基于亚微米级电极的超薄GeTe基相变存储器具有高SET速率、低RESET功耗等特点，其结构简单，便于制作，相比现有的Ge2Sb2Te5材料，GeTe二元合金相变材料组成简单、相变性能好，具有晶化温度高、数据保留时间长和非晶稳定性好等优点，在PCRAM领域有着广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN119776773A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411877105.5

申请日：2024-12-18

Applicant: 桂林电子科技大学 ,  中国电子科技集团公司第三十四研究所

Inventor： 张法碧 ,  曾子文 ,  周娟 ,  李海鸥 ,  孙堂友 ,  刘兴鹏 ,  王阳培华 ,  陈赞辉 ,  首美花 ,  谢仕锋 ,  李跃 ,  杨万里

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/08 ,  C23C14/02 ,  H10F77/12

Abstract: 本申请提供一种镓铟氧化物薄膜及其制备方法，该镓铟氧化物薄膜通过脉冲激光沉积法基于一衬底制备并包括主外延层和缓冲层，缓冲层连接在衬底与主外延层之间，且主外延层和缓冲层的化学式均为(Ga1‑xInx)2O3，其中，0.1≤x≤0.5。该制备方法包括：提供一衬底；通过脉冲激光沉积法在衬底上沉积一层镓铟氧化物的缓冲层，得到中间产物；通过脉冲激光沉积法在缓冲层上再沉积一层镓铟氧化物的主外延层，制得镓铟氧化物薄膜。本申请通过在主外延层制备之前先制备一层薄的缓冲层，可提升薄膜的结晶质量，改善薄膜缺陷密度高等问题，减少镓铟氧化物薄膜缺陷，从而获得高质量的镓铟氧化物薄膜。

公开(公告)号：CN119277181A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411661445.4

申请日：2024-11-20

Applicant: 桂林电子科技大学 ,  桂林艾瑞科技有限公司

Inventor： 王阳培华 ,  黄潇林 ,  刘昊 ,  张佳敏 ,  肖功利 ,  张家荣 ,  李海鸥 ,  孙堂友 ,  张法碧 ,  刘兴鹏

IPC: H04N23/55 ,  H04N23/30

Abstract: 本申请涉及基于超透镜的高清X射线成像系统，包括闪烁体、成像透镜组和成像模块；所述闪烁体将入射的X射线转换成可见光，所述可见光经过所述成像透镜组进行聚焦，所述成像模块进行图像采集；所述成像透镜组包括透镜组、超透镜和反光镜；所述闪烁体的发光峰的半高全宽在所述超透镜的工作波长±10nm范围内；通过引入具有小型化、轻量化、可集成和多功能化特征的超透镜，能过够获得更高空间分辨成像的同时方便集成，解决了现有技术存在的困难，对推进超透镜的实用化具有重要意义。

公开(公告)号：CN118890957A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202410921181.5

申请日：2024-07-10

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘兴鹏 ,  彭一鸣 ,  李海鸥 ,  孙堂友 ,  张法碧

IPC: H10N97/00 ,  H10B53/30

Abstract: 本发明属于微电子存储技术领域，公开了一种基于柔性衬底的铁酸铋铁电存储器及其制备方法，该基于柔性衬底的铁酸铋铁电存储器由下至上依次为云母基底层、SrTiO3缓冲层、La0.65Sr0.35MnO3底电极层、BiFeO3铁电功能氧化物层和Pt上电极层；其制备方法包括：S1、去除云母表面杂质，等待薄膜生长；S2、制备缓冲层；S3、制备底电极层；S4、原位退火；S5～S6、制备BiFeO3铁电功能氧化物层；S7、原位退火；S8、制备Pt上电极层。本发明利用云母作为基底材料、SrTiO3作为缓冲层、La0.65Sr0.35MnO3作为底电极、BiFeO3作为铁电功能氧化物、Pt金属作为上电极，形成多层叠堆结构，使其能够在柔性器件中实现数据的读取和存储功能。本发明适用于可穿戴设备、柔性人工突触等领域。

公开(公告)号：CN117393645A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202311313220.5

申请日：2023-10-11

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 张法碧 ,  王者风 ,  周娟 ,  李海鸥 ,  孙堂友 ,  陈永和 ,  刘兴鹏 ,  李琦 ,  王阳培华 ,  廖清 ,  陈赞辉 ,  首美花 ,  彭英 ,  傅涛 ,  肖功利 ,  邓艳容

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/032

Abstract: 本申请提供一种镓铟氧光电探测器及其制备方法，该光电探测器是基于云母这种柔性衬底制备的，具有优异的抗弯折性能，即器件能够按一定角度弯折几千次而性能几乎保持不变，可适用于可穿戴光电探测器。本申请使用脉冲激光沉积设备先在云母衬底上生长一层镓铟氧薄膜，并使用高温退火炉在空气中退火，最后使用磁控溅射法利用金属掩膜版在镓铟氧薄膜上生长Ti/Au叉指电极，制得柔性的镓铟氧光电探测器。本申请通过简单的制备方法成功地在柔性的云母衬底上制备出了镓铟氧光电探测器，且制得的产品性能优异。

公开(公告)号：CN117241590A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202311191610.X

申请日：2023-09-15

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘兴鹏 ,  韦春树 ,  李海鸥 ,  孙堂友 ,  陈永和 ,  傅涛 ,  肖功利 ,  张法碧 ,  李琦

IPC: H10B53/30 ,  H10N97/00

Abstract: 本发明属于微电子存储器技术领域，公开了一种基于柔性衬底的铁电存储器及其制备方法，铁电存储器包括云母基底层、缓冲层、底电极层、BaTiO3铁电功能氧化物层和Pt上电极层；其制备方法包括：S1、去除云母表面杂质，等待生长薄膜；S2～S3、制备缓冲层；S4、原位退火；S5～S7、制备底电极层和BaTiO3铁电功能氧化物层；S8、原位退火；S9、制备Pt上电极层。本发明利用云母作为基底材料、SrTiO3和La0.65Sr0.35MnO3作为缓冲层、1.1％Nb掺杂的SrTiO3作为底电极、BaTiO3作为铁电功能氧化物、Pt金属作为上电极，形成多层叠堆结构，使其能够在柔性设备中实现高性能的数据存储和读取功能，同时保持对弯曲和形变的适应性。

公开(公告)号：CN117062516A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202310977253.3

申请日：2023-08-04

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 孙堂友 ,  俞梵涛 ,  余燕丽 ,  覃祖彬 ,  李海鸥 ,  彭英 ,  刘兴鹏 ,  张法碧

IPC: H10N70/00 ,  H10N70/20 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及阻变存储器制备技术领域，具体涉及一种通用型纳米结构沟道平面电极以及制备方法，将低成本AAO纳米结构制备工艺在平面电极沟道中引入纳米结构沟道电极，通过纳米结构尺寸的调控，减小左右电极的有效间距、实现高性能器件制备。本发明解决EBL等精细加工的依赖性问题，同时电极间距只需控制在微米级，从而可采用传统光刻工艺制备左右电极。由于沟道区域的宽度在微米级，而光刻的对准精度为0.5μm，所以可以消除第二、三次光刻对准误差的影响。此外，通过省略部分步骤，还可实现通用型的传统平面电极的制备，在此基础上，本发明实现纳米结构沟道平面电极的独立、可控制备，获得通用型纳米结构沟道平面电极。

公开(公告)号：CN116923288A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202310760857.2

申请日：2023-06-26

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 王阳培华 ,  莫玉舒 ,  刘昊 ,  李海鸥 ,  张法碧 ,  孙堂友 ,  刘兴鹏 ,  陈永和 ,  肖功利 ,  傅涛

IPC: B60R16/023 ,  B60Q9/00 ,  G08C17/02

Abstract: 本申请适用于汽车辅助驾驶领域，提供了一种行车鬼探头智能探测系统、及方法，所述行车鬼探头智能探测系统包括：超声波模块、显示模块、无线传输模块、报警模块；所述系统可工作在模式1和模式2，当系统工作在模式2时，所述超声波模块不工作，所述无线传输模块接收其他车辆发送的信息，并传输至所述报警模块，用于安全判定。安装有上述系统的车辆，可接收其他车辆发送的探测信息并进行安全判定，从而在本车辆的超声波模块不工作时，同样能够探测到车辆盲区内的路况，并及时报警，极大的降低了驾驶员由于观察力有限而造成的突发危险和鬼探头事故几率。