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公开(公告)号:CN117062516A
公开(公告)日:2023-11-14
申请号:CN202310977253.3
申请日:2023-08-04
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及阻变存储器制备技术领域,具体涉及一种通用型纳米结构沟道平面电极以及制备方法,将低成本AAO纳米结构制备工艺在平面电极沟道中引入纳米结构沟道电极,通过纳米结构尺寸的调控,减小左右电极的有效间距、实现高性能器件制备。本发明解决EBL等精细加工的依赖性问题,同时电极间距只需控制在微米级,从而可采用传统光刻工艺制备左右电极。由于沟道区域的宽度在微米级,而光刻的对准精度为0.5μm,所以可以消除第二、三次光刻对准误差的影响。此外,通过省略部分步骤,还可实现通用型的传统平面电极的制备,在此基础上,本发明实现纳米结构沟道平面电极的独立、可控制备,获得通用型纳米结构沟道平面电极。