公开(公告)号：CN117062516A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202310977253.3

申请日：2023-08-04

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 孙堂友 ,  俞梵涛 ,  余燕丽 ,  覃祖彬 ,  李海鸥 ,  彭英 ,  刘兴鹏 ,  张法碧

IPC: H10N70/00 ,  H10N70/20 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及阻变存储器制备技术领域，具体涉及一种通用型纳米结构沟道平面电极以及制备方法，将低成本AAO纳米结构制备工艺在平面电极沟道中引入纳米结构沟道电极，通过纳米结构尺寸的调控，减小左右电极的有效间距、实现高性能器件制备。本发明解决EBL等精细加工的依赖性问题，同时电极间距只需控制在微米级，从而可采用传统光刻工艺制备左右电极。由于沟道区域的宽度在微米级，而光刻的对准精度为0.5μm，所以可以消除第二、三次光刻对准误差的影响。此外，通过省略部分步骤，还可实现通用型的传统平面电极的制备，在此基础上，本发明实现纳米结构沟道平面电极的独立、可控制备，获得通用型纳米结构沟道平面电极。