一种钙钛矿量子点配体后处理的方法

    公开(公告)号:CN119193137A

    公开(公告)日:2024-12-27

    申请号:CN202411228451.0

    申请日:2024-09-03

    Abstract: 本发明涉及一种钙钛矿量子点配体后处理的方法,包括如下步骤:S10:提供一种含有铯(Cs),甲脒(FA),甲基铵(MA)中一种或多种的一价阳离子前驱体;S20:提供一种混合前驱体,所述混合前驱体包括卤素前驱体、含有铅源的前驱体、有机酸或有机胺;S30:将所述一价阳离子前驱体加入至所述混合前驱体中进行反应,所述反应在惰性气体下采用热注入的方式进行反应,反应温度为150℃‑200℃,反应后冰浴冷却过程中加入溶于氢卤酸的配体溶液进行量子点配体交换处理,得到经配体后处理的钙钛矿量子点。本发明通过在高温下,反应后冰浴冷却过程中加入溶于氢卤酸的配体溶液的方法进行量子点配体后处理。

    一种高性能绿光钙钛矿发光二极管的制备技术

    公开(公告)号:CN117858591A

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202311727407.X

    申请日:2023-12-15

    Abstract: 本发明提供一种高性能绿光钙钛矿发光二极管的制备技术,包括依次设置的ITO层、锌镁氧电子传输层、钙钛矿图案发光层、空穴传输层、空穴注入层和电极;其中,所述钙钛矿图案发光层的制备步骤如下:S1、前驱体溶液的配置:称取溴化铅(PbBr2)、溴化甲脒(FABr)、SFB、BA溶于溶剂N,N‑二甲基甲酰胺(DMF)中,搅拌、过滤备用;S2、钙钛矿薄膜制备:将步骤S1制得的钙钛矿前驱体溶液滴加到锌镁氧电子传输层上,以2000‑5000转/分的转速旋涂成膜,旋涂时间为10‑70秒,之后对钙钛矿薄膜进行退火处理。本发明在器件性能方面也达到了20.5%的创记录EQE和128377cd m‑2的高亮度。

    一种高亮度纯红光发光二极管
    63.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117425363A

    公开(公告)日:2024-01-19

    申请号:CN202310800381.0

    申请日:2023-06-30

    Abstract: 本发明提供一种高亮度纯红光发光二极管,包括依次设置的ITO导电玻璃、空穴注入层、空穴传输层、钙钛矿量子点发光层、电子传输层、电极层;其中,所述钙钛矿量子点发光层包括有表面配体,所述配体含有酰胺官能团、且主链上碳原子数小于等于6个,所述配体由含有酰胺官能团的溴源前驱体水解后原位生成;所述钙钛矿发光二极管亮度大于20000cd m‑2。本发明制备出的发光二极管具有高亮度的技术效果,能保持较好的光学性能。

    一种飞秒瞬态吸收光谱的信噪比提升方法

    公开(公告)号:CN116399823A

    公开(公告)日:2023-07-07

    申请号:CN202310399742.5

    申请日:2023-04-14

    Abstract: 本发明公开了一种飞秒瞬态吸收光谱的信噪比提升方法,包括内壁具有吸光涂层的飞秒瞬态吸收光谱仪,飞秒瞬态吸收光谱仪还内置有位于样品台前的低色散激光聚焦组件和微纳反射组件,微纳反射组件包括反射结构和透光区域,反射结构与入射光路不完全垂直,以使得通过反射结构反射出去的光路能照射至吸光涂层;低色散激光聚焦组件将超连续白光聚焦并提供色散给微纳反射组件,微纳反射组件依据色散效应选择性的反射以调节焦点附近不同波长光的空间分布。本发明以微纳反射组件调节探测白光透过率,不会造成飞秒脉冲探测白光的脉宽展宽。在维持飞秒瞬态吸收光谱最大时间分辨率的前提下,实现了飞秒瞬态吸收光谱信噪比的有效提升。

    一种用于高温化学反应的抗污染磁力搅拌子

    公开(公告)号:CN114272830A

    公开(公告)日:2022-04-05

    申请号:CN202111612603.3

    申请日:2021-12-27

    Abstract: 本发明提供了一种用于高温化学反应的抗污染磁力搅拌子。磁力搅拌子包括磁芯和包覆磁芯的外部壳层;磁芯采用居里点高于650℃的永磁材料,外部壳层采用软化温度高于800℃的玻璃材料;磁芯与外部壳层之间留有一定空隙,空隙用于磁芯热膨胀的空间。该搅拌子以耐高温永磁材料为磁芯,以耐高温玻璃为外壳。相比于传统聚四氟乙烯搅拌子,该搅拌子即便在较高工作温度下其表面依旧不会残留化学物质,有效地避免了因搅拌子物质吸附而产生的化学反应污染问题。磁芯与外部壳层之间留有一定空隙。当环境温度发生骤变时,搅拌子不会因材料热膨胀系数不同而发生破裂。该搅拌子最高可在600℃下工作而不发生磁力衰减。其使用寿命远超现有产品。

    一种制备高发光性能p型ZnO薄膜的方法

    公开(公告)号:CN104332540B

    公开(公告)日:2017-06-23

    申请号:CN201410618510.5

    申请日:2014-11-06

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开的高发光性能p型ZnO薄膜的方法,步骤包括:采用分子束外延设备,将纯O2经过射频活化形成的氧等离子体作为O源,以纯金属Zn源为反应源,以固体纯NaF粉末为p型掺杂源,在衬底上生长p型ZnO薄膜;将获得的p型ZnO薄膜放置在离子溅射系统中,调节溅射电流至10~15 mA,在薄膜表面溅射沉积Pt或Au金属颗粒,溅射时间为20~100 s。本发明方法简单可控,在增强p型ZnO薄膜带边发射的同时,有效地抑制了缺陷发光,极大地提高了p型ZnO的发光性能,为制备高发光性能的ZnO基光电器件奠定了基础。

    一种Si纳米线阵列的制备方法

    公开(公告)号:CN103337455A

    公开(公告)日:2013-10-02

    申请号:CN201310232302.7

    申请日:2013-06-13

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开的Si纳米线阵列的制备方法,采用的是金属辅助化学刻蚀法,以氢氟酸和硝酸银混合配制成反应液I,氢氟酸与双氧水混合配制成反应液II,重掺(100)型硅片通过在反应液I和反应液II两步反应,在重掺(100)硅片上刻蚀得到Si纳米线阵列。本发明制备方法方便易行,Si纳米线长度、载流子浓度可控性优异,稳定性良好,可获得波长可调的中红外表面等离激元共振。适于大批量生产。

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