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公开(公告)号:CN119858914A
公开(公告)日:2025-04-22
申请号:CN202510346251.3
申请日:2025-03-24
Applicant: 深圳索理德新材料科技有限公司
IPC: C01B32/21 , C01B21/082 , C01B32/05 , C01B32/205 , C01B33/021 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提出一种复合碳层包覆石墨匹配硅碳材料及其制备方法,其中,制备方法的步骤包括:将沥青包覆在石墨基材上,得到包覆石墨;通入碳源气体对所述包覆石墨进行化学气相沉积,在所述包覆石墨表面生成具有特定取向的石墨纳米桥联结构,得到改性石墨;制备硅碳基材并与所述改性石墨进行混合,得到复合碳层包覆石墨匹配硅碳材料。通过构建石墨纳米桥联结构和碳层,提高电子和锂离子的同步传输效率,减少电阻,提高电池充放电效率。通过引入硅碳基材,显著提高材料的锂存储能力,提高电池充放电容量。石墨纳米桥联结构和多孔碳层结构,增强材料的结构稳定性,减少因硅体积膨胀导致的材料粉化和容量衰减,提高电池的寿命。
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公开(公告)号:CN119468732B
公开(公告)日:2025-03-25
申请号:CN202510035029.1
申请日:2025-01-09
Applicant: 西冶科技集团股份有限公司
Inventor: 代军峰
Abstract: 本发明公开了基于红外图像分析的工业硅冶炼炉管控方法及系统,涉及工业硅冶炼炉管控技术领域,分析冶炼炉炉内冶炼特性,构建虚拟三维模型,并结合红外热成像图像为模型添加红外表现图层,进而进行灰度化处理;通过对灰度图层的特征分析,构建炉内灰度表现延伸模型,并捕捉其动态变化;基于灰度值、动态表现及历史控制参数数据的等同性,对模型进行多次筛选归类,形成若干虚拟冶炼炉三维模型动态表现集;在后期冶炼炉控制中,利用关键因子匹配当下炉况与动态表现集,筛选出等同表现的虚拟模型,以其历史控制参数为参考,指导冶炼炉的实时控制,本发明通过上述技术方案实现了精准、高效的冶炼过程管理。
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公开(公告)号:CN119503908A
公开(公告)日:2025-02-25
申请号:CN202411648243.6
申请日:2024-11-18
Applicant: 蓝固(常州)新能源有限公司
IPC: C01G53/66 , H01M4/62 , H01M4/36 , H01M4/525 , H01M4/485 , H01M10/0525 , H01M4/136 , C01G23/00 , C01G25/00 , C01G33/00 , C01G35/00 , C01G53/42 , C01B25/45 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B33/021
Abstract: 本发明提供了一种复合固态电解质包覆正极材料的制备方法。本发明将硅偶联剂包覆在固态电解质上,在其表面形成了层含有机硅的网状保持层,有效地稳定材料界面的稳定,避免电解质腐蚀电极材料,极大地提升富锂材料的倍率性能和循环稳定性。然后选用阳离子聚合物作为基膜组装成两层杂化膜包覆在固态电解质最外层,然后将冠醚锂盐配合物引入磷脂/阳离子聚合物杂化膜表面,有效抑制电极表面副反应的发生,稳定了活性材料的结构,同时提高膜的热稳定性,改善正极材料界面离子电导率,最后复合固态电解质包覆在正极材料表面。
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公开(公告)号:CN119501084A
公开(公告)日:2025-02-25
申请号:CN202411634345.2
申请日:2024-11-15
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高分散无氧化超细纳米颗粒及其制备方法,属于粉末冶金技术领域。本发明将微米级金属颗粒或微米级硅颗粒负载于碳基底,获得前驱体A,然后通过控制碳热脉冲的参数,实现纳米颗粒直径、分散性和氧化程度可调的目的,最终形成直径可调、分散性良好的无氧化球形纳米颗粒。
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公开(公告)号:CN119447274A
公开(公告)日:2025-02-14
申请号:CN202411585509.7
申请日:2024-11-08
Applicant: 万华化学集团股份有限公司
IPC: H01M4/38 , H01M4/583 , H01M10/0525 , C01B32/15 , C01B33/021
Abstract: 本发明公开了一种硅碳负极材料的制备方法,包括:将多孔碳干燥后作为基体;将多孔碳基体与助沉积剂混合,共同放置于反应器中,通入保护气,加热至沉积温度,通入硅源气和保护气混合物,将硅沉积到多孔碳内;将反应器调节温度至包覆温度,通入碳源气1和保护气混合物,对多孔碳进行初步碳包覆,之后通入碳源气1、碳源气2和保护气混合物,完成多孔碳表面完全碳包覆;再将助沉积剂分离出,得到硅碳负极材料。本发明解决了现有气相沉积法生产硅碳负极材料过程中硅沉积不均匀问题,强化了气固传质,降低了沉积和包覆温度,提高了产品质量和生产安全性。
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公开(公告)号:CN119400848A
公开(公告)日:2025-02-07
申请号:CN202411541952.4
申请日:2024-10-31
Applicant: 安徽清能碳再生科技有限公司
IPC: H01M4/38 , H01M4/583 , H01M4/04 , C01B33/021 , C01B32/05
Abstract: 本申请涉及一种硅碳负极材料生产方法及系统,涉及电池材料生产技术的领域,该方法包括获取粉碎材料总量;确定取样区域并获取样本检测图像;于各样本检测图像中确定材料特征区域以及材料特征类型;确定材料区域面积并根据所有的材料区域面积确定单类型综合面积;根据不同的材料特征类型的单类型综合面积确定单类型区域占比;根据不同的样本检测图像中所确定的同一材料特征类型的单类型区域占比确定单类型综合占比,并根据单类型综合占比以及粉碎材料总量确定单类型材料量;根据材料特征类型以及单类型材料量确定整体需求量,并控制整体需求量的活化剂与材料进行加工生成硅碳负极材料。本申请具有减少活化剂在多孔碳生产过程中的浪费的效果。
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公开(公告)号:CN119370849A
公开(公告)日:2025-01-28
申请号:CN202411680597.9
申请日:2024-11-22
Applicant: 广东中固邦科光电科技有限公司 , 广东邦固薄膜涂料创新研究院有限公司
IPC: C01B33/021 , C01B33/037
Abstract: 本发明涉及一种硅微球生产中的连续离心洗涤方法,属于硅微球生产技术领域。本发明中连续离心洗涤方法缩短了生产周期,提高了生产效率,通过多次洗涤和离心分离,有效去除了杂质,提高了硅微球的纯度;并且使用的部分洗涤液为回收溶剂,减少了环境污染,并且降低生产成本。第一次洗涤使用硅烷偶联剂和阳离子表面活性剂混合溶液进行超声洗涤,有效去除了硅微球表面的杂质和未反应的物质;第二次洗涤使用乙醇溶液进行洗涤,进一步去除了残留的洗涤液和杂质;第三次洗涤使用去离子水进行洗涤,确保了硅微球的纯净度和稳定性;本发明通过多次离心洗涤和氮气吹扫,有效去除了硅微球表面的水分和残留物,得到了干燥、纯净的硅微球。
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公开(公告)号:CN119284910A
公开(公告)日:2025-01-10
申请号:CN202411243040.9
申请日:2024-09-05
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01B33/021
Abstract: 本发明提供了一种蜂窝状微米级多孔硅材料的制备方法,属于无机非金属材料制备技术领域。制备方法如下:通过球磨工艺获得纳米级硅粉稳定悬浮的海藻酸钠溶胶,将溶胶转移至模具中,在溶胶顶部喷覆金属离子溶液凝胶剂进行定向凝胶化,凝胶化完成后脱模获得湿坯,将湿坯在酸性环境中置换出金属离子,对湿坯进行冷冻干燥,在高温下保温排胶,得到蜂窝状微米级多孔硅材料。通过调节凝胶剂的种类和浓度,可以实现多孔硅材料孔径尺寸的大范围精确调控。本发明制备的多孔硅材料具有高度规则的蜂窝状结构,机械性能好,孔隙完全贯通,孔径尺寸可在10~300μm范围内精确调控,在能源存储、过滤、催化、生物医药等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN119284909A
公开(公告)日:2025-01-10
申请号:CN202411167789.X
申请日:2024-08-23
Applicant: 贵州晖阳科技创新研究有限公司
IPC: C01B33/021 , C01B32/05 , C01B32/184 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/62
Abstract: 本发明公开了一种提升硅碳复合材料快充性能的方法,包括:首先制备出杂原子掺杂MOF材料,之后通过硅烷裂解法沉,通入硅烷气体和杂原子气体,低温钝化,得到硅碳前驱体材料;配置树脂的有机溶剂,之后添加氧化石墨烯溶液分散均匀,之后添加硅碳前驱体,喷雾干燥,所得材料在700‑1000℃温度下,通入氢气进行还原即得。本发明所得材料能改善倍率性能及循环性能。
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公开(公告)号:CN119191302A
公开(公告)日:2024-12-27
申请号:CN202411253114.7
申请日:2024-09-09
Applicant: 苏州大学
IPC: C01B33/021 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于新能源材料及器件领域,具体涉及一种柔性硅纳米线及其制备方法和应用。本发明通过金属辅助的湿法刻蚀技术,使刻蚀过程中的硅纳米线在指定位置形成水平裂纹。该裂纹的形成是由于浸水过程中银颗粒构成的膜分层以及随后的湿法刻蚀过程中银颗粒的再分布和再附着所造成的,部分银以颗粒形式重新分布在硅纳米线的侧壁上,形成局部水平腐蚀,导致裂纹状硅纳米线的产生。在导电碳胶的帮助下,通过裂纹结构的存在,通过将硅纳米线阵列进行剥离,使其负载在柔性的导电碳胶基底上,制备成垂直结构的水蒸发诱导器件,其优良的性能得益于剥离后的硅纳米线丰富的三维结构的优点,其提供了大的比表面积,高密度的纳米孔道结构和显着的表面电位。
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