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公开(公告)号：CN103367639A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310316077.5
申请日：2013-07-25
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化锌纳米线低功耗阻变存储器，包括：一氧化硅片衬底；一下电极，设置于所述氧化硅片衬底上方；一阻变纳米线，设置于所述下电极上方；一上电极，设置于所述阻变纳米线上方；其中，所述阻变纳米线为铜掺杂的氧化锌纳米线。本发明具有工艺兼容性好、结构简单的特性，由于采用铜作为掺杂物质，增加了氧化锌内部的氧空位，从而降低了写操作电流和电压，功耗也随着减小。
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公开(公告)号：CN119509702A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411620345.7
申请日：2024-11-13
Applicant: 福州大学
IPC: G01J4/04
Abstract: 本发明涉及一种通过应力调控实现光的圆偏振度探测的方法，属于偏振探测技术领域。所述方法采用蓝宝石衬底上生长的Bi2Te3/Fe4GeTe2异质结薄膜作为偏振探测器件，通过外加张应力exc将偏振探测器件的线偏振响应调为零。将施加张应力exc时正负45度入射角下的总光电流与背景电流比值随四分之一波片转角作为校准数据，通过将待测激光在正负45度入射角下的总光电流与背景电流的比值与校准数据进行对比，获得待测光的圆偏振度。本发明测量结果准确，简洁高效，可行性高，有利于日后推广应用。
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公开(公告)号：CN117855319A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410022831.2
申请日：2024-01-08
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0304 , H01L31/18 , G02F1/01 , G02B27/28 , G02B5/30
Abstract: 本发明涉及一种提升本征InAs/GaAs量子点圆偏振光电流响应的方法，该方法通过测试InAs/GaAs量子点的圆偏振光电流随外加偏压的变化趋势，来获得InAs/GaAs量子点光电流中圆偏振光电流占所有偏振相关光电流的比例，找出当圆偏振光电流占总的偏振光电流的比值为最大时对应的偏压值，以实现通过施加偏压提升圆偏振光电流响应。该方法调控效果明显，十分简单易行，成本低廉，极大提升了本征InAs/GaAs量子点对圆偏振光电流的响应，对于InAs/GaAs量子点在量子光学、光通信以及新型光电子器件的设计和应用具有重要的推广应用价值。
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公开(公告)号：CN112881773B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202110065501.8
申请日：2021-01-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种测量拓扑绝缘体Bi2Te3中拉莫进动引起的磁致光电流的方法。该方法是对三维拓扑绝缘体Bi2Te3施加一个平面内沿x方向的磁场，用1064nm的激光垂直照射（沿z方向）在样品上两电极连线的中点上，激发产生磁致光电流。通过转动四分之一波片获得不同偏振状态下的光电流，然后通过公式拟合得到圆偏振光激发由拉莫进动引起的磁致光电流。其原理为，圆偏振光激发产生垂直方向的自旋极化Sz，x方向的磁场使得拓扑绝缘体中产生的自旋极化Sz产生拉莫进动，从而产生y方向的自旋极化Sy。这个方向的自旋极化将会引起x方向流动的电荷流，即由拉莫进动引起的圆偏振磁致电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110707179B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201910992343.3
申请日：2019-10-18
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032
Abstract: 本发明涉及一种调控碲化锑薄膜圆偏振光致电流的方法。该方法通过改变薄膜的厚度，来改变表面粗糙度，从而调控碲化锑薄膜中圆偏振光致电流；碲化锑薄膜中的圆偏振光致电流信号是由上表面态的信号和下表面态的信号叠加而成；由于上表面态和下表面态的自旋轨道耦合的方向是相反的；当薄膜厚度增加时，表面粗糙度增加，上表面态的贡献减小，上表面态和下表面态信号叠加以后下表面态的信号会占主导，从而使得圆偏振光致电流的大小甚至符号发生变化，起到调控碲化锑薄膜中圆偏振光致电流的作用。本发明调控效果显著，简单易行，成本低廉，有利于日后推广应用。
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公开(公告)号：CN113419200A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110777057.2
申请日：2021-07-09
Applicant: 福州大学
IPC: G01R33/12
Abstract: 本发明涉及一种探测Bi2Te3表面态六角翘曲的电流诱导自旋极化的方法。包括：制备Bi2Te3薄膜样品并在其上沉积矩形的电极；通过引线将电极与电流前置放大器的输入端相连；将斩波器的斩波频率、光弹性调制器的一倍频分别作为锁相放大器1、锁相放大器2的参考信号，电流前置放大器的输出端与锁相放大器1、锁相放大器2的输入端相连；激光器发出的光依次通过斩波器、起偏器、光弹性调制器以及透镜，以入射角θ照射在样品上两电极连线的中点；测得不同入射角下的普通光电导电流和圆偏振相关的光电流；计算得到不同入射角下的圆偏振光电导差分电流，通过公式拟合得到Bi2Te3表面态六角翘曲的圆偏振光电导差分电流随入射角的变化曲线。
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公开(公告)号：CN109884001B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201910195613.8
申请日：2019-03-14
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种区分拓扑绝缘体Sb2Te3的圆偏振光致电流和光子拽曳电流的方法。该方法的技术方案为，用1064nm的激光通过起偏器和四分之一波片后照射在样品上，通过转动四分之一波片产生周期变化的偏振光，产生的光电流通过拟合提取出圆偏振激光产生的光电流。测量不同正负入射角下的圆偏振激光产生的光电流，利用圆偏振光致电流和光子拽曳电流的偶函数分量具有不用的奇偶对称性，以及利用圆偏振光致电流和光子拽曳电流的奇函数分量对入射角的不同依赖关系，将圆偏振光致电流和光子拽曳电流进行区分。本发明测量结果准确，十分简单易行，成本低廉，有利于日后推广应用。
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公开(公告)号：CN110212096B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201910539916.7
申请日：2019-06-21
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明属于电池薄膜材料与器件领域，具体涉及一种以具有陷光结构的MoO3为空穴传输层的有机光伏电池及其制备方法。该电池包括氧化物透明导电衬底、空穴传输层、有机活性层和金属电极，其中，空穴传输层是在氧化物透明导电衬底上蒸镀一层MoO3薄膜，借助聚苯乙烯球作为模板，利用盐酸烟雾刻蚀法对MoO3表面进行刻蚀，形成图案化的表面，最后在图案化的MoO3表面蒸镀上第二层MoO3，最终形成具有陷光结构的MoO3薄膜。本发明制得的有机光伏电池可以显著提高有机活性层的光吸收率，该电池轻便、成本低廉、稳定性较好、对环境友好且易于大面积生产。
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公开(公告)号：CN108062571B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201711439293.3
申请日：2017-12-27
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于差分进化随机森林分类器的光伏阵列故障诊断方法。该方法：首先，采集各种工况条件下的光伏阵列电压和各个光伏组串的电流，并以不同的标识符对各种工况进行标识；其次，采用基于袋外数据的分类误判率均值大小确定随机森林模型中决策树的数量范围；而后，利用差分进化算法对其决策树数量范围进行全局优化，得到最优的决策树数量值；再而，将计算出的最优决策树数量值带入利用随机森林分类器并对样本进行训练，得到随机森林故障诊断训练模型；最后，利用训练模型对光伏阵列进行故障检测和分类。本发明方法，能够在保证最优的模型分类准确率的同时大大加快模型训练速度，从而更快速、准确地实现对光伏发电阵列的故障检测和分类。
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