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公开(公告)号：CN108987392B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN201810923958.6
申请日：2018-08-14
Applicant: 黑龙江大学
Abstract: 本发明公开了一种复合磁场传感器及其制作工艺，所述复合磁场传感器包括作为衬底的硅片(1)，在所述硅片(1)的上表面制作有两个N沟道场效应晶体管，分别为第一场效应晶体管(MOSFET1)和第二场效应晶体管(MOSFET2)，在所述(MOSFET1)和(MOSFET2)上分别集成有第一巨磁电阻(GMR1)和第二巨磁电阻(GMR2)，以实现对外加磁场的测量。本发明所述的复合磁场传感器，结构简单，体积小，集成化程度高，其制作工艺操作方便，易于实现，适合大规模工业应用。
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公开(公告)号：CN117202771A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311165602.8
申请日：2023-09-11
Applicant: 黑龙江大学
Abstract: 一种镍铝层状双金属氢氧化物/二硫化钼异质结忆阻器、制备方法及其应用，本发明属于无机材料二维异质结和信息存储技术领域，具体涉及一种镍铝层状双金属氢氧化物/二硫化钼异质结忆阻器、制备方法及其应用。本发明的目的是获得一种具有模拟型阻变和低工作电压的异质结忆阻器。由下至上依次为下电极、形成在下电极上的镍铝层状双金属氢氧化物层、形成在镍铝层状双金属氢氧化物层上的二硫化钼层和形成在二硫化钼层上的上电极。方法：对下电极清洗、烘干；在下电极一侧形成保护区，另一侧作为生长区；采用尿素水解法生长镍铝层状双金属氢氧化物；在其上旋涂二硫化钼溶液；真空蒸镀形成上电极，即完成制备。本发明异质结忆阻器用于模拟生物神经突触。
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公开(公告)号：CN113488586B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202110326972.X
申请日：2021-03-26
Applicant: 黑龙江大学
Abstract: 本发明公开了一种生物阻变存储器及其制备方法，所述生物阻变存储器包括介质层，所述介质层由生物材料和纳米材料复合而成，其通过旋涂的方式制作在顶电极和底电极之间。本发明所述生物阻变存储器，生物材料易获取、无需化学提取和纯化、成本低、可被人体吸收、对环境无害、可生物降解，生物材料与纳米材料复合制备的介质层，能够显著提升阻变存储器的阻变性能。本发明提供的生物阻变存储器的制备方法，步骤简单易操作，可塑性强，成本低廉，工作电压低，适用范围广泛，制备的生物阻变存储器具有较长的保持时间和良好的耐久性，能够有效地实现对器件开关比的调控。
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公开(公告)号：CN115701273A
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202110806053.2
申请日：2021-07-16
Applicant: 黑龙江大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明公开了一种阈值型阻变存储器及其制备方法，所述阻变存储器包括衬底1及以阵列形式设置在其上方的阻变存储器单元，所述阻变存储器单元包括由下至上依次设置的底电极2、第二阻变层3、中间电极层4、第一阻变层5和顶电极6。本发明提供的阈值型阻变存储器，采用鸡蛋蛋白和银作为阻变层和中间电极层，与顶电极和底电极构成一个或多个阻变存储器单元。该器件表现出典型的阈值特性，可重复性较好，使用寿命较长，且功耗较低，可以作为选择器与其它阻变存储器串联，构成1S 1R单元从而抑制Crossbar(交叉开关矩阵)结构中的漏电流效应。本发明提供的阈值型阻变存储器的制备方法，操作简单，成本低廉，具有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN112635662B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN201910954291.0
申请日：2019-10-09
Applicant: 黑龙江大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种响应温度刺激的阻变存储器的制备方法，属于电子技术以及存储器器件技术领域。本发明为了解决现有阻变存储器无法实现外界温度刺激的响应的问题。本发明将果胶水溶液滴涂在聚对苯二甲酸乙二醇酯衬底上真空蒸镀的铝薄膜上，铝作为上电极，获得响应温度的阻变存储器。本发明制得的阻变存储器在外界温度的刺激下可实现阻变存储器三稳态到双稳态转换的特性响应，拓展了调控阻变存储器特性的手段，为实现阻变存储器的温控特性调制提供了可能，进而可以更好的应用于智能存储等新兴领域。并且本方法制备的阻变存储器的功能层所用原料为果胶，相比于使用重金属粒子掺杂得到功能层，对环境更加友好，且该阻变存储器的开关比高、性能稳定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105258738B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201510844822.2
申请日：2015-11-26
Applicant: 黑龙江大学
IPC: G01D21/02
Abstract: 本发明公开了一种压力/磁场单片集成传感器，该单片集成传感器包括第一磁敏二极管MD1、第二磁敏二极管MD2、第三磁敏二极管MD3、第四磁敏二极管MD4、第一压敏电阻R1、第二压敏电阻R2、第三压敏电阻R3、第四压敏电阻R4、第一负载电阻Rx1、第二负载电阻Rx2、第三负载电阻Ry3和第四负载电阻Ry4；其中，第一磁敏二极管MD1的正极与第二磁敏二极管MD2的正极构成差分输出，第三磁敏二极管MD3的正极和第四磁敏二极管MD4的正极构成差分输出，两对差分输出实现二维磁场的检测；第一压敏电阻R1与第四压敏电阻R4串联，形成第一输出电压Vout1，第二压敏电阻R2与第三压敏电阻R3串联，形成第二输出电压Vout2，两个输出电压构成差分输出实现压力的检测。
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公开(公告)号：CN105606158B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201610150468.8
申请日：2016-03-16
Applicant: 黑龙江大学
Abstract: 本发明公开了一种力/磁多功能传感器，该传感器包括用来检测外加磁场的第一悬臂梁1、悬臂梁顶端磁性材料3，和用来检测外加力的第二悬臂梁2、悬臂梁顶端硅质量块4，并由第一薄膜晶体管TFT1沟道等效电阻R1、第二薄膜晶体管TFT2沟道等效电阻R2、第三薄膜晶体管TFT3沟道等效电阻R3和第四薄膜晶体管TFT4沟道等效电阻R4构成第一惠斯通电桥，实现了磁场的检测；第五薄膜晶体管TFT1′沟道等效电阻R1′、第六薄膜晶体管TFT2′沟道等效电阻R2′、第七薄膜晶体管TFT3′沟道等效电阻R3′和第八薄膜晶体管TFT4′沟道等效电阻R4′构成第二惠斯通电桥，实现了力的检测；本发明提供的力/磁多功能传感器体积小，成本低，准确度高，稳定性好。
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公开(公告)号：CN105261439A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510727803.1
申请日：2015-10-30
Applicant: 黑龙江大学
IPC: H01F7/00
Abstract: 本发明公开了一种小型可调恒定磁场装置，该磁场装置包括显示屏1、控制芯片2、按键3、结构支架4、设置在结构支架4内部的载物台5、设置在载物台5上的磁传感器51和分别设置在载物台5两侧的可以移动的第一磁铁61和第二磁铁62；该磁场装置还包括第一电机91和第二电机92；其中，磁传感器51将感受到的磁场强度以电信号形式传送给控制芯片2，控制芯片2再将磁传感器51传递的电信号传递给显示屏1，继而在显示屏1上显示当前磁场强度；按键3用于输入所需磁场强度，控制芯片2根据所需磁场强度与当前磁场强度的差距做出开启第一电机91和第二电机92的指示，从而移动第一磁铁61与第二磁铁62，改变磁场强度，实现了磁场装置的可调性或智能化。
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公开(公告)号：CN101593810B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200910072447.9
申请日：2009-07-02
Applicant: 黑龙江大学
CPC classification number: H01L29/66166 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/55 , G11C2213/71 , G11C2213/77 , H01L27/2463 , H01L27/2472 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/16
Abstract: 纳米结构开关忆阻器及其制造方法，涉及到一种纳米结构忆阻器结构与制造方法，它克服了现有的忆阻器制造模型开关速度相对比较低的问题。本发明的纳米结构开关忆阻器包括有三层纳米膜，分别为P型半导体层、中性半导体层和N型半导体层，所述忆阻器的两个电极还可以采用交叉布置的方式。本发明的制作方法中，采用电解的方法在多孔模板的纳米孔洞中制作纳米金属线，所述纳米金属线用于连接三层纳米膜和电极，所述的三层纳米膜采用磁控溅射的方法获得，最后采用压印技术制备忆阻器的电极引线。本发明所述的忆阻器的开关速度快，更适用于在即将出现的更快、更节能的即开型PC或模拟式计算机中实现存储数据功能。
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公开(公告)号：CN101630662A
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200910072709.1
申请日：2009-08-20
Applicant: 黑龙江大学
Inventor： 温殿忠
IPC: H01L21/8256 , H01L51/00
Abstract: 蛋白质结构快速开关忆阻器阵列的制作方法，它涉及蛋白质结构忆阻器阵列的制作方法。本发明解决了现有的忆阻器模型制作方法存在的制作成本高及制作得到的忆阻器制造模型的开关速度低的问题。本发明方法是采用微电子技术和生化技术相结合的方法在半导体材料上固定上牛免疫球蛋白质，并制作得到生物细胞膜，继而制作得到蛋白质结构快速开关忆阻器阵列；本发明纳米结构忆阻器阵列的制作方法简单，所使用的原料价格便宜，制作成本低，制作得到的忆阻器阵列开关速度更快。
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