表面被覆切削工具及其制造方法

    公开(公告)号:CN111655410A

    公开(公告)日:2020-09-11

    申请号:CN201880087930.1

    申请日:2018-12-14

    Abstract: 该表面被覆切削工具包括基材和被覆基材的覆膜。基材包括前刀面和后刀面。覆膜包括TiCN层。TiCN层在前刀面的区域d1中具有(311)取向,并且在后刀面的区域d2中具有(422)取向。当前刀面和后刀面通过切削刃面而彼此连续时,区域d1是介于前刀面和切削刃面的边界线与假想线D1之间的区域,其中假想线D1在前刀面上并且与假想棱线相隔500μm,并且区域d2是介于后刀面和切削刃面的边界线与假想线D2之间的区域,其中假想线D2位于后刀面上并且与假想棱线相隔500μm。在前刀面和后刀面通过棱线而彼此连续时,区域d1为介于棱线和假想线D1之间的区域,其中假想线D1位于前刀面上并且与棱线相隔500μm,并且区域d2是介于棱线和假想线D2之间的区域,其中假想线D2位于后刀面上并且与棱线相隔500μm。

    表面被覆切削工具及其制造方法

    公开(公告)号:CN107438490B

    公开(公告)日:2020-03-13

    申请号:CN201680001347.5

    申请日:2016-06-07

    Abstract: 一种表面被覆切削工具,包括基材以及形成在该基材的表面上的覆膜。该覆膜包括第一硬质覆层,该第一硬质覆层包含具有氯化钠型晶体结构的晶粒。该晶粒具有这样的层叠结构,其中由AlxTi1‑x的氮化物或碳氮化物构成的第一层和由AlyTi1‑y的氮化物或碳氮化物构成的第二层交替层叠成一层或多层。该第一层各自具有在0.6以上至小于1的范围内变化的Al的原子比x。该第二层各自具有在0.45以上至小于0.6的范围内变化的Al的原子比y。该原子比x与该原子比y之差的最大值为0.05≤x‑y≤0.5。彼此相邻的该第一层和该第二层的总厚度为5nm至40nm。

    表面被覆切削工具
    75.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106536100B

    公开(公告)日:2019-06-14

    申请号:CN201580003729.7

    申请日:2015-07-13

    CPC classification number: B23B27/14 C23C16/403 C23C16/56 C23C28/042 C23C28/044

    Abstract: 根据本发明的表面被覆切削工具(10)包括基材(11)和形成在基材上的覆膜(12)。该覆膜包括α‑Al2O3层,所述α‑Al2O3层包含多个α‑Al2O3的晶粒,所述晶粒的粒界包括CSL粒界和一般粒界。前刀面(1)侧和后刀面(2)侧的所述α‑Al2O3层均示出(001)取向。在前刀面侧的α‑Al2O3层内,Σ3晶界的长度LR3超过Σ3‑29晶界的长度LR3‑29的80%,并且为全部粒界的总长LR的10%以上50%以下。在后刀面侧的α‑Al2O3层内,Σ3晶界的长度LF3超过Σ3‑29晶界的长度LF3‑29的80%,并且为全部粒界的总长LF的10%以上50%以下。长度LR3与长度LR3‑29之比LR3/LR3‑29小于长度LF3与长度LF3‑29之比LF3/LF3‑29。

    表面被覆切削工具及其制造方法

    公开(公告)号:CN107530784A

    公开(公告)日:2018-01-02

    申请号:CN201680001348.X

    申请日:2016-06-07

    Abstract: 一种表面被覆切削工具,包括基材以及形成在该基材的表面上的覆膜。该覆膜包括第一硬质覆层,该第一硬质覆层包含具有氯化钠型晶体结构的晶粒。该晶粒具有这样的层状结构,其中,由AlxTi1‑x的氮化物或碳氮化物构成的第一层和由AlyTi1‑y的氮化物或碳氮化物构成的第二层交替层叠成一层或多层。该第一层各自具有在0.76以上至小于1的范围内变化的Al的原子比x。该第二层各自具有在0.45以上至小于0.76的范围内变化的Al的原子比y。该原子比x与该原子比y之差的最大值为0.05≤x‑y≤0.5。彼此相邻的该第一层和该第二层的总厚度为3nm至30nm。

    表面被覆切削工具
    80.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106660138A

    公开(公告)日:2017-05-10

    申请号:CN201580004244.X

    申请日:2015-08-28

    Abstract: 根据本发明的表面被覆切削工具(10)包括基材(11)和在基材上形成的覆膜(12)。该覆膜具有包含多个α‑Al2O3的晶粒的α‑Al2O3层(16)。所述α‑Al2O3层包括在厚度方向上位于基材侧并且厚度为1μm的下层部分(16B),以及位于与所述基材侧相对的表面侧并且厚度为2μm的上层部分(16A)。对于沿着包括所述α‑Al2O3层的表面的法线的平面切割所述α‑Al2O3层而获得的截面,当通过FE‑SEM对所述截面进行EBSD分析从而指定所述晶粒各自的晶体取向,并且基于所述晶体取向制作彩色图时,在所述彩色图中,在所述上层部分中,(001)面的法线方向相对于所述α‑Al2O3层的表面的法线方向在±10°之内的晶粒所占据的面积为90%以上,并且在所述下层部分中,所述面积为50%以下。

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