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公开(公告)号：CN101404142A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810152752.4
申请日：2008-10-31
Applicant: 南开大学
IPC: G09G3/32 , H01L27/32 , H01L21/84 , H01L21/336 , H01L21/20
Abstract: 本发明公开了一种电流镜型TFT－OLED显示像素单元电路，包括有：四个多晶硅TFT管T1、T2、T3、T4、一个有机发光二极管OLED、一个电容Cs，该T3、T4管完全对称，由T3、T4构成一个电流镜，T1、T2作为开关管，行扫描信号加在这两个管的栅极，以控制数据电流的通断，电容Cs以电压形式存储显示数据，其两端的电压加载到T4的栅极上，以驱动OLED发光，所述多晶硅TFT管T1、T2、T3、T4均为P沟道器件。本发明还提供了高质量镜像TFT管的横向晶化或激光晶化制备方法。本发明可以提高组成镜像流的TFT管的器件特性的一致性与精确性，可以提高OLED屏的图像响应速度、图像灰度级和画面显示质量。
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公开(公告)号：CN101320629A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810053817.X
申请日：2008-07-11
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 一种用于染料敏化太阳电池的对电极，由基片、金属层、阻隔层和催化层构成，其制备方法是金属层、阻隔层和催化层依次沉积于基片上；当染料敏化太阳电池所采用的电解质对金属层无腐蚀性时，在金属层与催化层之间不设阻隔层，即催化层直接镀敷在金属层表面。本发明的优点是：可将染料没有完全吸收的太阳光反射回来，增加光程、提高太阳光的利用率和染料的吸收率；可显著降低电池串联电阻和电池内耗，改善欧姆接触，提高电池的填充因子和输出功率；基底材料的选择范围广，制备方法简单且成本低；金属层的制备简单，沉积温度选择范围宽，易于实现大规模、高速率沉积；可显著提高染料敏化太阳电池的光电转换效率，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN101257052A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810052620.4
申请日：2008-04-07
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/02 , H01L31/075 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了硅基薄膜太阳电池用窗口材料及其制备方法。所述窗口材料为磷掺杂硅基薄膜N，包括磷掺杂N型微晶硅氧薄膜，或者磷掺杂的N型纳米硅氧。该窗口材料的制备是将待处理样品放入沉积系统中，在待处理样品的本征硅基薄膜I上或透明导电薄膜T1上沉积作为硅基薄膜太阳电池用窗口材料的磷掺杂硅基薄膜N。本发明利用微晶硅基或纳米硅基薄膜材料电子和空穴迁移率具有相同数量级的特性，提出了新的硅基薄膜太阳电池用窗口层材料，可在不透明或透明衬底上制备P/I/N型的薄膜太阳电池，也可以在透明衬底上制备N/I/P型的薄膜太阳电池，工艺灵活性提升，更容易获得比较好的电池效率。
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公开(公告)号：CN101187016A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710150229.3
申请日：2007-11-19
Applicant: 南开大学
IPC: C23C16/505
Abstract: 本发明公开了一种可获得均匀电场的大面积VHF－PECVD反应室背馈入式平行板功率电极，包括平行板功率电极板和功率馈入连接端口，其特征在于所述功率馈入连接端口位于功率电极板的背面，功率电极板的正面与衬底S相对。本发明利用电极功率馈入端口位置的优化分布，抑制了电极馈入端口附近电势的对数奇点效应和电势驻波效应，使电场分布均匀性得到较大的改善，因而可以避免由于采用电极边缘功率馈入方式造成的电场分布不均匀问题。本发明解决了大面积电极板电位分布的均匀性问题，为研发大面积VHF－PECVD薄膜沉积和刻蚀系统奠定了基础，可有力推动硅薄膜电池和薄膜晶体管矩阵技术产业化进程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101179013A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710150842.5
申请日：2007-12-10
Applicant: 南开大学
IPC: H01L21/20
Abstract: 自缓释金属诱导晶化多晶硅薄膜材料的制备方法及应用。采用镍硅混合物靶，在氩氧混合气体中溅射形成低镍含量的氧化镍和氧化硅混合薄膜作金属诱导横向晶化诱导源。由于镍以氧化物状态存在，并以较低含量混合在氧化硅中，因此，除靠近非晶硅和金属诱导层界面处的镍可较快地扩散到硅膜之中，后面的镍则以非常缓慢的速度释放到硅膜中。表面镍原子数量与混合物薄膜的厚度无关，因此，即使其厚度不均匀及批次间厚度出现变化，晶核和诱导前锋的形成状态却是基本相同的。在随后的横向晶化过程中，缓释的镍不断补充晶化前锋所需的镍。使用该技术可在保持适当的晶化速率前提下，有效地减少了多晶硅中镍的残余量，提高了多晶硅材料和器件的均匀性和稳定性。
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公开(公告)号：CN101134833A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710061327.X
申请日：2007-09-30
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及用于染料敏化太阳电池的环保型电解质组合物及其制造方法，它采用乙醇、丙酮为溶剂，LiI(或KI)、I2为氧化还原电对I3－/I－的提供物，有机聚合物(聚偏氟乙烯、偏氟乙烯六氟丙烯共聚物、聚丙烯)为凝胶剂，碳酸丙烯酯与碳酸乙烯酯为增塑剂制造的一种染料敏化太阳电池用无毒的准固态电解质。该方法取代了传统电解质制造中常用的有毒腈类溶剂——乙腈、甲氧基丙腈等，改为无毒的乙醇、丙酮。由于制造过程中无需采用有毒溶剂，本发明能避免有毒溶剂的挥发带来的对人体健康的危害，以及对环境的污染，是一种环保型电解质的制造方法。
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公开(公告)号：CN1738061A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510014465.3
申请日：2005-07-12
Applicant: 南开大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及金属诱导单一方向横向晶化薄膜晶体管器件及其制备方法。采用催化金属镍在选择晶化区域的低温氧化硅覆盖层下覆盖的非晶硅薄膜上形成周边晶化的多晶硅岛，并选择多晶硅岛的适当位置形成金属诱导单一方向横向晶化薄膜晶体管的沟道。将各种金属诱导的多晶硅材料进行了优化使用，既可获得高性能的多晶硅TFT器件，明显的减少晶化的时间，有效的减低衬底收缩和衬底中金属离子扩散的影响，提高制备产率。该技术适合与制备低温多晶硅电路、低温多晶硅显示器有源选址基板，以及面阵图象传感器等多种微电子和光电子产品的制备，是具有重要产业应用价值技术。
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公开(公告)号：CN1438714A
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN03105077.8
申请日：2003-03-06
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明是一种薄膜光光上转换图象显示装置，本发明将Si基薄膜光电池及有机薄膜发光二极管(OLED)直接耦合构成一种新型光光转换装置。将光电传感器Si基薄膜光电池和以顶部为高透过率透明电极的顶发射OLED反向串接构成复合装置，由Si基薄膜光电池将输入光信号转换成的光生电流直接耦合到OLED发出另一波长的可见光，不同的Si基薄膜光电池可实现不同波段的光响应。本发明可用于光探测、寻像器、夜视、光图象转换的信息处理、光子学平行信号处理等领域。
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公开(公告)号：CN2359842Y
公开(公告)日：2000-01-19
申请号：CN98249026.7
申请日：1998-11-23
Applicant: 南开大学
IPC: H04N5/225
Abstract: 本实用新型涉及非晶硅有源寻址面阵图像传感器的制造。带有TFT/PIN面阵图像传感器矩阵的下玻璃板衬底、上玻璃板、密封胶圈、密封盒内充填的氮气和薄膜TFT/PIN图像传感器矩阵和电极引线构成非晶硅有源寻址面阵图像传感器;本实用新型是用低温聚酰亚胺与非晶硅材料共同形成冗余结构,既保持了聚酰亚胺绝缘层的绝缘特性,又提高了PI层耐后道微细加工能力,可提高制备TFT/PIN面阵图像传感器的成品率;而面阵器件的整体真空封装,将使面阵传感器性能稳定性得到提高。
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